半导体复合氧化物的室温固相合成研究

以无机盐为原料,遵守热力学定律,室温下研磨,使反应物发生固相化学反应而合成CdSnO3、ZnFe2O4、CdFe2O4等半导体复合氧化物的纳米粉体,用XRD、TEM测试手段对产物的物相和微观结构进行了表征和分析,结果表明,固相化学反应完全,所得产物为理论产物,且平均粒径小于100?nm.     

纳米材料SnO_2的室温固相合成及其气敏特性

以无机物SnCl4 ·5H2 O、Na2 CO3 (摩尔比 1:2 )为原料 ,室温下研磨 ,使其发生固相化学反应 ,制得SnO2 ,采用X -射线衍射技术 (XRD)和透射电子显微镜 (TEM)等测试手段对材料的物相和微观结构进行了分析 ,结果表明 ,所得产物为理论产物 ,且平均粒径约为 2 5nm ;采用HWC - 30A汉威气敏元件测试系统对材料的气敏性能进行了测试 ,结果表明 ,该材料制成的烧结型元件对可燃性气体有很高的灵敏度 ,通过控制工作温度可提高元件的选择性     

纳米材料SnO2的室温固相合成及其气敏特性

以无机物SnCl4.5H2O、Na2CO3（摩尔比1：2）为原料,室温下研磨,使其发生固相化学反应,制得SnO2,采用X－射线衍射技术（XRD）和透射电子显微镜（TEM）等测试手段对材料的物相和微观结构进行了分析,结果表明,所得产物为理论产物,该材料制成的烧结型元件对可燃性气体有很高的灵敏度,通过控制工作温度可提高元件的选择性。     

CdSnO3纳米材料的室温固相合成及其气敏特性研究

以无机盐为原料,在遵守热力学限制的前提下,采用室温固相化学反应法合成了复合氧化物CdSnO3,X-射线粉末衍射(XRD)、透射电镜(TEM)等表征结果表明,固相反应完全,产物为β-CdSnO3,其粒径为30 nm左右,与传统方法相比,该法降低了CdSnO3的物相形成温度.气敏性能测试结果表明,以该法合成的CdSnO3为基体的气敏元件,对体积分数0.005%酒精的灵敏度高达63.6倍,抗干扰能力强,响应-恢复快,为应用前景良好的酒敏材料.     

室温固相合成纳米SnO_2及气敏性能研究

用室温固相法合成了SnO2 纳米粉体,在粉体材料中添加无机造孔剂调整材料的微结构。考察不同烧结温度和造孔剂添加量对气敏性能的影响。结果表明:适宜的无机造孔剂和烧结温度能改善气敏材料的微结构,从而提高气敏性能。材料对乙醇有较好的敏感性和选择性。在4. 5V加热电压下,对体积分数为5×10-4的乙醇、汽油和丙酮的灵敏度分别为85. 91, 8. 34和8. 37。     

氧化物半导体甲烷敏感元件研究进展

介绍了氧化物半导体甲烷气体敏感元件的工作机理,论述了改善氧化物半导体甲烷气敏传感器性能的几种途径.采用加入催化剂、控制材料的微细结构、利用新制备工艺和表面修饰等新方法、新技术可提高氧化物半导体甲烷气敏元件的灵敏度、选择性、响应和恢复特性、稳定性.     

室温固相化学反应法合成CdSnO3纳米粉及其铂、钯掺杂物气敏特性研究

用室温固相化学反应法合成了CdSnO3纳米粉,以XRD、SEM、Raman光谱等检测手段对其形貌和微观结构进行了表征,并进一步以铂、钯等贵金属对其进行掺杂,研究了它们的气敏性能.实验证明室温固相法合成的CdSnO3具有粒径大小均匀、纯度高、比表面积大等特点;掺杂铂、钯等贵金属后,灵敏度和选择性都有很大提高,对汽油、液化石油气、甲烷、一氧化碳、丁烷等的抗干扰能力强,且稳定性好,可望开发为一种性能优良的酒敏传感器.     

浅析新型氧化物半导体光电极的合成

本文首先阐述了新型氧化物半导体光电极合成的开发背景,然后对新型氧化物半导体光电极合成中的氢气制备进行了探讨,最后展望了新型氧化物半导体光电极合成的技术前景,从这三个方面对新型氧化物半导体光电极的合成进行了浅析。     

半导体氧化物气敏材料的电导振荡特性研究

本文对半导体氧化物气体敏感材料的电导振荡特性加以研究分析,通过试验与理论分析得出气敏电导振荡的必要条件,并对电导振荡型气体敏感元件的原理、工艺技术和结构等进行分析说明．同时,对半导体氧化物气体敏感材料的常温气体敏感特性进行归纳总结,指出其优缺点和需要解决的问题．     

一种新型金属复合氧化物半导体气敏材料体系

用ＮＨ４）２ＣＯ３作沉淀剂制得Ｃｄ：Ｓｎ＝１：１的粉料，经７５０℃、１５ｈ热处理可得单相钛铁矿型β－ＣｄＳｎＯ３。元件的电导－温度（Ｇ－ｔ）特征表明β－ＣｄＳｎＯ３为典型的表面电阻控制型气敏材料，无需掺贵金属催化剂就对还原性气体响很高的灵敏度。因此，β－ＣｄＳｎＯ３很有希望作为一种新型的气敏材料体系。     

Influence of sputtering power on properties of ZnO thin films fabricated by RF sputtering in room temperature

High mobility and c-axis orientated ZnO thin films were deposited on glass substrates using RF sputtering method at room temperature.Structural properties of ZnO thin films were investigated by X-ray diffraction (XRD).Surface morphology and roughness were studied with scanning electron microscopy (SEM) and atomic force microscopy (AFM).Electrical properties were measured at room temperature using a Hall effect measurement system.The influence of sputtering power on characteristics of ZnO thin films is studied.The results indicate that the sputtering powers have great influence on the crystal quality and mobility of ZnO thin films.By using optimized sputtering conditions,high crystal quality ZnO thin films with Hall mobility of 34 cm 2 /V·s at room temperature were obtained.     

CdS纳米材料的制备及气敏性能研究

采用室温固相反应法制备了纳米CdS粉体。用X射线衍射仪(XRD)对产物进行物相分析,投射电镜(TEM)对产物的形貌、大小进行了表征。结果表明:CdS在608℃以下能在空气中稳定存在,采用静态配气法测定了材料的气敏性能,发现CdS对C2H5OH有很高的灵敏度与选择性,是一种有较好的应用前景的气敏材料。     

基于半导体制冷器件的模糊恒温系统设计

本恒温控制系统精度要求高，且由半导体制冷器件构成的温控系统具有非线性、大惯性及数学模型难建立等特性，这使得常规PID控制器无法很好地满足系统要求，因此本文设计了一种新型模糊PID参数自整定控制器，该控制器能够发挥模糊控制鲁棒性强、动态响应好、上升时间快、超调小的特点，又具有PID控制器的动态跟踪品质和稳态精度，具有很好的实时性．并在实际使用中取得良好的控制效果。     

Structural and electrical properties of mixed oxides of manganese and vanadium: A new semiconductor oxide thermistor material

Binary oxides of manganese and vanadium have been synthesized by solid state sintering, in which the mass ratio of the individual components Mn₂O₃ and VO₂ have been varied from 90:10 to 5:95. The bulk ceramic samples were characterized by X-ray diffraction and scanning electron microscopy with energy dispersive X-ray analysis. The initial compositions either rich in Mn₂O₃ or in equi-proportion by mass with VO₂ yield β-Mn₂V₂O₇ or a new crystalline form of Mn₂V₂O₇, with unit cell parameters: a = 7.73091 Å, b = 6.640788 Å, c = 6.70779 Å α = γ = 90° and β = 98.7086° which is designated as γ-Mn₂V₂O₇. The compositions, richer in VO₂ produce MnV₂O₆ co-existing with V₂O₅ the proportion of which increases with increase in VO₂. The surface microanalysis shows a spherical-granular morphology in Mn₂V₂O₇ structure and plate/rod-like structures co-existing with granular morphology in case of MnV₂O₆ together with V₂O₅. The electrical parameters of the negative temperature coefficient thermistors were determined. Depending on the constituent oxide composition, the NTC thermistors showed room temperature resistivity in the range of 6.52 × 10² to 6.1 × 10⁶ Ω-cm. The thermistor constant and activation energy are in the range of 0.12–0.458 eV and 1393–4801 K, respectively.     

变系数PID控温系统在半导体气体传感器中的应用

提出了一种用于半导体气体传感器的温度控制电路,包含键盘输入、液晶显示、温度采集、数控调压等模块,采用变系数PID算法实现对降压模块输出电压的调控,控制气敏元件的温度.实验表明:与恒压加热和常规PID控温相比,变系数PID控温的调节时间短、超调量小,具有较强的抗干扰能力.350℃加热时,与恒压加热相比调节时间从234 s缩短到了6 s,当环境温度从30℃变化到50℃时恒压加热敏感元件温度上升9℃,而改进后温度变化不超过0.3℃,是一种很有潜力的半导体型气体传感器控温系统.     

双层膜固态磷酸根离子选择电极研究

研究了一种以玻碳为基底电极,掺杂钴-氧化钴的聚苯胺为中间体,层状镁铝复合金属氧化物PVC膜为敏感膜,具有双层膜结构的固态磷酸根离子选择电极.该电极的检测磷酸二氢根的线性范围在10-1～10-4mol/L之间,响应斜率为-32.3 mV/dec,检测下限为7.65×10-5mol/L,电极响应时间较快,且具有较强的稳定性和抗干扰能力.