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相似文献
 共查询到20条相似文献，搜索用时 15 毫秒
1.
优化双极器件的改善ＢｉＣＭＯＳ电路延迟的ＣＡＤ方法＝ＡＣＡＤｐｒｏｃｅｄｕｒｅｆｏｒｏｐｔｉｍｌｚｉｎｇｂｉｐｏｌａｒｄｅｖｉｃｅｓｒｅｌａｔｉｖｅｔｏＢｉＣＭＯＳｃｉｒｃｕｉｔｄｅｌａｙ［刊．英］／Ｄｅｓ－ｏｕｋｌ．Ａ，Ｓ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｃ...  相似文献   

2.
Ｍｉｌｌｉｍｅｔｅｒｗａｖｅ　ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ　ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ｉｓ　ｖｅｒｙ　ｉｍｐｏｒｔａｎｔ　ｆｏｒ　ＭＭＩＣ　ｄｅｓｉｇｎ　ａｎｄ　ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ．Ａｎ　ＩｎＰ　ＨＥＭＴ　ｗｉｔｈ　ｓａｗｔｏｏｔｈｅｄ　ｓｏｕｒｃｅ　ａｎｄ　ｄｒａｉｎ　ｉｓ　ｄｅｓｃｒｉｂｅｄ．Ｔｈｅ　ｐａｔｔｅｒｎ　ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ　ｄｕｅ　ｔｏ　ｔｈｅ　ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　ｅｆｆｅｃｔ　ｏｆ　ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ　ｉｓ　ａｖｏｉｄｅｄ．Ｈｉｇｈ　ｙｉｅｌｄ　ＩｎＰ　ＨＥＭＴ　ｗｉｔｈ　ｇｏｏｄ　ＤＣ　ａｎｄ　ＲＦ　ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｓ　ｉｓ　ｏｂｔａｉｎｅｄ．Ｔｈｅ　ｄｅｖｉｃｅ　ｔｒａｎｓｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅ　ｉｓ　１０５０ｍＳ／ｍｍ，ｔｈｒｅｓｈｏｌｄ　ｖｏｌｔａｇｅ　ｉｓ　－１.０Ｖ，ａｎｄ　ｃｕｒｒｅｎｔ　ｇａｉｎ　ｃｕｔ　ｏｆｆ　ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　ｉｓ　１２０ＧＨｚ．  相似文献   

3.
在Ｓｉ衬底上生长高跨导ｐ型Ｇｅ沟ＭＯＤＦＥＴ＝ｐ－ＴｙｐｅＧｅ－ｃｈａｎｎｅｌＭＯＤＦＥＴ’ｓｗｉｔｈｈｉｇｈｔｒａｎｓｃｏｎｄｕｃｔａｎｃｅｇｒｏｗｎｏｎＳｉｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ［刊，英］／Ｋｏｎｉｇ，Ｕ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅ...  相似文献   

4.
关于SMT电路板焊装维修工艺的讨论   总被引：1，自引：1，他引：0  
关于ＳＭＴ电路板焊装维修工艺的讨论（续完）三吉电子企业有限公司葛杰（北京１００００６）ＤｉｓｃｕｓｉｏｎｏｎＲｅｐａｉｒｉｎｇｏｆＳＭＴＰＣＢＳｏｌｄｅｒｉｎｇａｎｄＡｓｅｍｂｌｉｎｇ（Ｅｎｄ）ＧｅＪｉ１ＢＧＡ元件维修球栅管脚阵列（ＢＧＡ）集成电路（...  相似文献   

5.
Ｅｄｉｔｏｒ ｉｎ Ｃｈｉｅｆ (主编 )ＣＨＵＪｕｎ Ｈａｏ(褚君浩 )ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌＰｈｙｓｉｃｓ ,ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ4 2 0ＺｈｏｎｇＳｈａｎＢｅｉＹｉＲｄ ,Ｓｈａｎｇｈａｉ 2 0 0 0 83,ＣｈｉｎａＥｘｅｃｕｔｉｖｅＥｄｉｔｏｒ ｉｎ Ｃｈｉｅｆ (执行主编 )ＭＩＺｈｅｎｇ Ｙｕ(糜正瑜 )ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌＰｈｙｓｉｃｓ ,ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ4 2 0ＺｈｏｎｇＳｈａｎＢｅｉＹｉＲｄ ,Ｓｈａｎｇｈａｉ 2 0 0 0 83,ＣｈｉｎａＨｏｎｏｒａｒｙＡｄｖｉｓｏｒｓ (名誉顾问 )ＴＡＮＧＤｉｎｇ Ｙｕａｎ(汤定元 ) ,Ｓｈａｎｇｈａｉ,Ｃｈｉｎａ ＫＵＡＮＧＤｉｎｇ Ｂｏ(匡定波 ) ,Ｓｈａｎｇｈａｉ,ＣｈｉｎａＥｄｉｔｏｒｉａｌＢｏａｒｄ (编委 )Ｃ .Ｒ .Ｂｅｃｋｅｒ ,Ｗ櫣ｒｚｂｕｒｇ ,ＧｅｒｍａｎｙＣＨＥＮＣｈｅｎ Ｊｉａ(陈辰嘉 ) ,Ｂｅｉｊｉｎｇ ,ＣｈｉｎａＤＯＵＸｉａｏ Ｍｉｎｇ(窦晓鸣 ) ,Ｓｈａｎｇｈａｉ,...  相似文献   

6.
ＳｕｒｆａｃｅＣｒｙｓｔａｌｓｏｆＬｉｑｕｉｄＡｌｋａｎｅｓＸ．Ｚ．Ｗｕ１，２Ｂ．Ｍ．Ｏｃｋｏ３Ｅ．Ｂ．Ｓｉｒｏｔａ４Ｓ．Ｋ．Ｓｉｎｈａ５Ｏ．Ｇａｎｇ６Ｍ．Ｄｅｕｔｓｃｈ６（１．ＰｈｙｓｉｃｓＤｅｐｔ．，ＮｏｒｔｈｅｒｎＩｌｉｎｏｉｓＵｎｉｖｅｒｓｉ...  相似文献   

7.
Ｃ波段１６Ｗ内匹配ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ傅炜（南京电子器件研究所，２１００１６）１９９３年１２月２日收到ＡＣ－Ｂａｎｄ１６ＷＩｎｔｅｒｎａｌｌｙＭａｔｃｈｅｄＰｏｗｅｒＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ￥ＦｕＷｅｉ（ＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅ...  相似文献   

8.
采用图像抑制有源ＨＥＭＴ混频器的６０ＧＨｚＭＭＩＣ下变频器（ｌＥＥ１９９４ＭｉｃｒｏｗａｖｅａｎｄＭＭ．Ｗ。Ｍｏｎｏｌ．Ｃｌｒｃ．Ｓｙｍｐ．）报道，日本ＴａｍｉａＳａｉｔｏ等用ＡＩＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ工艺技术设计、制作出一种Ｖ波段单片下变频器。...  相似文献   

9.
ＭａｇｎｅｔｏｏｐｔｉｃａｌＥｎｈａｎｃｅｍｅｎｔＥｆｅｃｔｉｎＭｎＢｉｘＡｌ０１５ＦｉｌｍｓＣ．Ｈ．ＳｈａｎｇＹ．Ｊ．Ｗａｎｇ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＰｈｙｓｉｃｓ，ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００８０）...  相似文献   

10.
ＩｍｐｅｄａｎｃｅＡｎａｌｙｓｉｓｏｆＧｒａｉｎＢａｒｉｅｒＰｏｔｅｎｔｉａｌｉｎＳｎＯ２ＧａｓＳｅｎｓｏｒｓ①ＣＨＥＮＺｈｏｎｇ②，Ｓ．Ｂｉｒｌａｓｅｋａｒａｎ（ＳｃｈｏｌｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃａｌａｎｄＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＥｎｇｉｎｅｒｉｎｇ...  相似文献   

11.
ＧａｓＳｏｕｒｃｅＭｏｌｅｃｕｌａｒＢｅａｍＥｐｉｔａｘｙｏｆＨｉｇｈＱｕａｌｉｔｙＳｔｒａｉｎｅｄＳｉ１－ｘＧｅｘ／ＳｉＳｕｐｅｒｌａｔｉｃｅＭａｔｅｒｉｌａｓＬ．Ｆ．ＺｏｕＺ．Ｇ．ＷａｎｇＤ．Ｚ．ＳｕｎＸ．Ｆ．ＬｉｕＪ．Ｗ．ＺｈａｎｇＪ．Ｐ．Ｌ...  相似文献   

12.
介绍了在Ｓｉ￣＋注入的ｎ－ＧａＡｓ沟道层下面用Ｂｅ￣＋或Ｍｇ￣＋注入以形成ｐ埋层。采用此方法做出了阈值电压０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ，也做出了夹断电压－０．４～－０．６Ｖ、跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。  相似文献   

13.
只有两个外部元件的ＢｉＣＭＯＳ话音电路＝ＡＢｉＣＭＯＳｓｐｅｅｃｈｃｉｒｃｕｉｔｗｉｔｈｏｎｌｙｔｗｏｅｘｔｅｒ－ｎａｌｃｏｍｐｏｎｅｎｔｓ［刊，英］／Ｃａｓｔｅｌｌｏ，Ｒ．…ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｌｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．１９９３．２８（７）．...  相似文献   

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ＮｏｖｅｌＤＳ／ＳＳＭＡＳｙｓｔｅｍｓｗｉｔｈＴｒｅｌｌｉｓ－ＣｏｄｅｄＳｅｑｕｅｎｃｅａｎｄＰｈａｓｅＭｏｄｕｌａｔｉｏｎＺｈａｎｇＱｉｎｇ；ＢｉＧｕａｎｇｇｕｏ（ＳｏｕｔｈｅａｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００１８）Ａｂｓｔｒａｃｔ...  相似文献   

15.
INFORMATION FOR AUTHORS   总被引：1，自引：0，他引：1  
ＩＮＦＯＲＭＡＴＩＯＮＦＯＲＡＵＴＨＯＲＳ￥／／ＳＥＭＩＣＯＮＤＵＣＴＯＲＰＨＯＴＯＮＩＣＳＡＮＤＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ（ＳＰＡＴ）ｉｓｐｕｂｌｉｓｈｅｄｑｕａｒｔｅｒｌｙｗｉｔｈｔｈｅｐｕｒｐｏｓｅｏｆｐｒｏｖｉｄｉｎｇｔｈｅｐｕｂｌｉｃａｔｉｏｎｏ...  相似文献   

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Ｅｄｉｔｏｒ ｉｎ Ｃｈｉｅｆ (主编 )ＣＨＵＪｕｎ Ｈａｏ(褚君浩 )ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌＰｈｙｓｉｃｓ ,ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ4 2 0ＺｈｏｎｇＳｈａｎＢｅｉＹｉＲｄ ,Ｓｈａｎｇｈａｉ 2 0 0 0 83,ＣｈｉｎａＥｘｅｃｕｔｉｖｅＥｄｉｔｏｒ ｉｎ Ｃｈｉｅｆ (执行主编 )ＭＩＺｈｅｎｇ Ｙｕ(糜正瑜 )ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌＰｈｙｓｉｃｓ ,ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ4 2 0ＺｈｏｎｇＳｈａｎＢｅｉＹ…  相似文献   

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Ｅｄｉｔｏｒ ｉｎ Ｃｈｉｅｆ (主编 )ＣＨＵＪｕｎ Ｈａｏ(褚君浩 )ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌＰｈｙｓｉｃｓ ,ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ4 2 0ＺｈｏｎｇＳｈａｎＢｅｉＹｉＲｄ ,Ｓｈａｎｇｈａｉ 2 0 0 0 83,ＣｈｉｎａＥｘｅｃｕｔｉｖｅＥｄｉｔｏｒ ｉｎ Ｃｈｉｅｆ (执行主编 )ＭＩＺｈｅｎｇ Ｙｕ(糜正瑜 )ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌＰｈｙｓｉｃｓ ,ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ4 2 0ＺｈｏｎｇＳｈａｎＢｅｉＹ…  相似文献   

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一种５Ｖ６位８０ＭＳ／ｓＢｉＣＭＯＳ闪烁ＡＤＣ＝Ａ５Ｖ，６－ｂ，８０ＭＳ／ｓＢｉＣＭＯＳｆｔａｓｈＡＤＣ［刊，英］／Ｒｅｙｂａｎｉ，Ｈ．…∥ＩＥＥＥＪＳｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．－１９９４．２９（８）．８７３～８７８开发出一种５Ｖ单电源６...  相似文献   

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Ｅｄｉｔｏｒ ｉｎ Ｃｈｉｅｆ (主编 )ＣＨＵＪｕｎ Ｈａｏ(褚君浩 )ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌＰｈｙｓｉｃｓ ,ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ4 2 0ＺｈｏｎｇＳｈａｎＢｅｉＹｉＲｄ ,Ｓｈａｎｇｈａｉ 2 0 0 0 83,ＣｈｉｎａＥｘｅｃｕｔｉｖｅＥｄｉｔｏｒ ｉｎ Ｃｈｉｅｆ (执行主编 )ＭＩＺｈｅｎｇ Ｙｕ(糜正瑜 )ＳｈａｎｇｈａｉＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＴｅｃｈｎｉｃａｌＰｈｙｓｉｃｓ ,ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ4 2 0ＺｈｏｎｇＳｈａｎＢｅｉＹ…  相似文献   

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常用术语中英文对照表 术语 英文含义 中文含义 ２６９ ＭＰＥＧ Ｍｏｖｉｎｇ Ｐｉｃｔｕｒｅ Ｅｘｐｅｒｔ Ｇｒｏｕｐ 活动图像专家组 ２７０ ＭＰＩ ＭＰＥＧ Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ ＭＰＥＧ物理接口 ２７１ ＭＰＴＳ Ｍｕｌｔｉｐｌｅ Ｐｒｅｓｅｎｔａｔｉｏｎ Ｔｉｍｅ Ｓｔａｍｐｓ 复用显示时间标记 ２７２ ＭＳＢ Ｍｏｓｔ Ｓｉｇｎｉｆｉｃａｎｔ Ｂｉｔ 最高有效比特 ２７３ ＭＴＵ Ｍｕｌｔｉｐｏｒｔ Ｔｒａｎｓｃｅｉｖｅｒ Ｕｎ…  相似文献   

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