正电子湮没寿命谱仪

本文介绍正电子湮没寿命潜仪的方法、原理和类型,描述其主要电路,讨论其性能及影响因素。     

用于正电子湮没寿命谱仪的探测器

一种用于正电子湮没寿命谱仪的探测器，该正电子湮没寿命谱仪包括起始道探测器和停止道探测器，与常规的正电子寿命谱仪起始道与停止道采用相同的探测器不同，本探测器采用了与起始道探测器不同的停止道探测器，在停止道探测器的闪烁体中央，有一圆形井，放置测量样品与22^Na正电子放射源。     

LaCl3:Ce3+闪烁体正电子湮没寿命谱仪

对国内最新研制出的LaCl3：Ce^3＋闪烁晶体时间特性进行了测试,用该种晶体尝试组建了正电子湮没寿命谱仪,时间分辨率达到了350ps。由于LaCl3：Ce^3＋探头在具有快速时间响应特性的同时还具有较高的能量分辨率,用该探头组建正电子湮没寿命谱仪将具有许多潜在的优势。     

正电子寿命谱仪的最佳分辨率

能窗的选择对正电子寿命谱仪的分辨率有决定性的影响。本文描述了一种获得谱仪最佳分辨率的方法。将正电子寿命谱仪的可工作能区分成42个小块。测量每小块能区的分辨率(FWHM)、计数率和峰位“走动”。从中选出分辨率小、计数率高和“走动”小的好能区。能窗是由若干个最佳小能区组成。谱仪分辨率的理论计算值和实验测量值符合得很好。     

NaI（Tl）—HPGeγ—γ符合谱仪系统死时间校正方法

本文讨论了ＮａＩ（Ｔｌ）－ＨＰＧｅγ－γ符合谱仪系统死时间的校正方法。用双源法分别对符合道和分析道的死时间进行了测量。给出了γ－γ符合谱仪系统死时间校正因子的计算公式。并将该公式应用于核数据的测量工作中，对测量的γ活性进行了死时间的校正。     

寿命谱仪能窗选择

近年来正电子湮没技术发展很快。它已经广泛地应用于各种领域中,在某些领域如金属及合金的研究中几乎成为一种常规的手段。 正电子湮没实验技术有三种主要的方法即寿命测量、能量的多普勒展宽测量、角关联测量。其中的寿命测量从概念上讲是比较直接的,但是从仪器设备和它的合理使用上讲,寿命测量是三个正电子方法中最为复杂的。 对于正电子寿命测量所使用的正电子寿命谱仪来说,谱仪的分辨率是最为重要的指     

NaI（Tl）－HPGeγ－γ符合谱仪系统死时间校正方法

本文讨论了ＮａＩ（ＴＩ）－ＨＰＧｃγ－γ符合谱仪系统死时间的校正方法。用双源法分别对符合道和分析道的死时间进行了测量，给出了γ－γ符合谱仪系统死时间校正因子的计算公式。并将该公式应用于核数据的测量工作中，对测量的γ活性进行了死时间的校正。     

BaF2正电子寿命谱仪时间分辨率的改进

介绍了不同材料,不同形状的封装对BaF2晶体光收集的影响。使用聚四氟乙烯薄膜对BaF2晶体作伞状封装,光收集效果较好,在此条件下,常规正电子湮灭寿命谱仪的时间分辨率在^22Na能窗下达到180ps。     

调试正电子寿命谱仪能窗的一种简便方法

最近几年,恒比微分甄别器己广泛用于正电子湮没寿命谱仪中,使该装置简化到可以不用符合方式,只使用阳极引出。以往调试能窗是利用打拿极输出做能谱显示来解决。本文总结了在不用打拿极的情况下也可达到这个目的的经验。它的主要思想是:利用恒比微分甄别器(ORTEC 583)的输出随阈值或能窗的微分变化来确定511 keV康峰的边沿和选出具有最佳效率的能窗。方法的可靠性用直接显示的能谱做了检验,也用示波器测定了脉冲的幅度,     

富勒烯晶体的正电子湮没寿命

系统研究了室温下石墨及富勒烯晶体的正电子湮没寿命，发现Ｃ６０及Ｃ６０／Ｃ７０的寿命值分别为３７９ｐｓ和３８８ｐｓ，并给出纯Ｃ７０的双寿命拟合值为２５８ｐｓ和４１０ｐｓ。     

正电子湮没寿命测量中干扰信号对谱仪和测量结果的影响

正电子湮没信号的精准采集与关联符合技术是寿命谱灵敏表征材料微观缺陷的基础。测量环境中放射性射线对正电子湮没信号采集的影响,制约着寿命谱方法在复杂辐射背景中应用,特别是在核结构材料中子辐照损伤研究中,中子活化诱发的放射性核素形成的γ射线本底,将影响正电子寿命谱仪的测量结果。为探究γ本底对正电子湮没寿命测量的影响规律,本文基于⁶⁰Co、¹³⁷Cs源设计了辐射背景仿真实验,结果显示：⁶⁰Co源产生的双高能γ射线是影响寿命谱形状及湮没寿命的主要因素;通过对比高、低两种典型活度比(⁶⁰Co/²²Na为3.3和1.9)下的测量结果,并经活化反应堆压力容器钢样品放射性本底真实情况检验,结果发现：在低活度比下,辐射本底导致的偶然符合概率增大,寿命谱峰谷比显著变差;在高活度比下,除偶然符合外,信号错误符合概率急剧增加,谱形明显畸变且寿命值迅速减小。基于本文辐射背景放射源模拟方法及干扰γ的影响规律,可进一步探索正电子湮没寿命测量中γ本底排除的新技术和新方法。     

用反符合和热中子屏蔽降低γ谱仪本底

新建的一台反宇宙射线低本底HPGeγ谱仪,在物质屏蔽的基础上采用反符合和热中子屏蔽联合方法,实验研究次级宇宙射线μ子和中子产生的本底。结果表明,反符合屏蔽(塑料闪烁探测器)能大幅度降低μ子产生的本底,还能有效抑制快中子与锗晶体和屏蔽材料非弹性散射引起的本底,100-2000keV能区反符合积分本底抑制系数可达8倍。热中子屏蔽(镉吸收片)的加入可明显降低锗晶体和屏蔽材料热中子俘获产生的本底,使511keV正电子湮灭峰本底的抑制系数由5.8倍提高到20.7倍,100-2000keV反符合积分本底抑制系提高到13.2倍。     

锗γ谱仪^110mAg符合相加修正因子测量

通过在ＨＰＧｅ探测器表面及距探头２８ｃｍ处分别测量形状相同的＾１１０ｍＡｇ（６５７．８ｋｅＶ）和＾１３７Ｃｓ（６６１．６ｋｅＶ）体源的全能峰妆计数率,可在避开源活度,发射几度和自吸收修正等条件下,测得在探测器表面测量＾１１０ｍＡｇ６５７．８ｋｅＶγ射线的符合相加修正因子Ｆ０;本文介绍了此测量方法的原理和测量结果。     

正电子湮没寿命谱分析结果的正确表示

正电子湮没寿命的多寿命成分分析结果通常给出了各成份的寿命τｉ及其零时相对湮没强度Ｉｉ（０），指出用零时相对或绝对湮没强度讨论分析结果不合理，只有正电子在各湮状态上的零时相对占有Ｎｉ（０）＝τｉＩｉ（０）或占有率ｎｉ（０）＝Ｎｉ（０）／∑Ｎｉ（０）才能明确的物理意义，因为正电子在态上的几率密度ｎｉ（０）与正电子湮没环境介质的结构特性密切相关，并以二态捕获模型为例对上述论点作了证明。     

反符合屏蔽γ谱仪中宇宙线辐射本底的减弱

低水平放射性测量的重要条件,要求探测器的本底较小。在实验室里,本底来源可分为三个方面:探测器及其邻近屏蔽材料的污染;实验室周围环境的射线;宇宙射线。本底要最小,就必须尽力降低这三方面的影响。本工作除在前二者作了努力外,特别在压低宇宙射线本底方面作了细致观察和处理。结果,使得该谱仪的本底成为当前同类谱仪中最低的一个,达到8.7±0.1个/min(100-2000 keV能区)。     

用Monte-Carlo方法计算正电子湮没寿命谱中的衬底效应

用Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ方法模拟计算了＾３２Ｎａ源的正电子在不同厚度Ｍｙｌａｒ膜,Ｎｉ膜衬底中的湮没几率,得出Ｓｉ,Ｆｅ、ＰＥ,ＰＰ４种样品在不同Ｍｙｌａｒ膜厚度下的衬底效应。结果,对ＰＥ、ＰＰ样品衬底铲应较Ｓｉ、Ｆｅ等样品强,表明用Ｍｏｎｔｅ－Ｃａｒｌｏ方法计算衬底效应是可行的。     

蒙特卡罗方法模拟反符合屏蔽γ谱仪

本文用蒙特卡罗方法模拟反符合屏蔽γ谱仪中γ射线、电子及其二者级联簇射,给出了探测效率、沉积能谱、响应函数和能量分辨。计算结果同实验相符。可为设计反符合屏蔽γ谱仪提供理论数据。     

用于电子能量损失符合谱仪的时间-幅度变换器

介绍一种新的ＴＡＣ ＮＩＭ插件,它包括两路短时间和两路长时间量程的时间－幅度变换器,量程从２００ｎｓ到１０μｓ。四路变换通道起始信号相同,停止端各自独立。用来测量电子能量损失符合谱仪中的正负离子和电离电子的飞行时间质谱。