轻/重水堆中子辐照氢区熔硅退火特性的比较

用电阻率测量、金相观察以及红外光谱等方法分别研究了氢区熔硅单晶在轻水反应堆和重水反应堆进行中子辐照后的退火特性。电阻率退火曲线表明，两种中子辐照样品都存在氢致施主。随着退火温度由低到高，轻水堆辐照样品存在一个导电类型由ｐ型到ｎ型的转型过程，而且在这种转型过程中，有一个明显的“周边滞后”现象。在重水堆辐照样品中，热处理缺陷表现为氢致Φ型缺陷（大麻坑），而在轻水堆辐照样品中，热处理缺陷表现为尺寸小得多的氢沉淀。红外光谱测量结果表明，重水堆中子辐照的样品经短时退火后观察不到氧沉淀，而在轻水堆辐照样品中存在吸收峰在１２３０ｃｍ－１附近的氧沉淀。     

硅单晶直拉区熔法

由天津市政府批准设立的“天津市专利金奖”于日前揭晓，有5项专利获得了金奖。其中，《生产硅单晶的直拉区熔法》属国际首创，工艺技术达到了国内领先、国际先进水平。     

掺氮区熔硅单晶

一、前言直拉硅单晶中的氧原子,一般含量为10~17～10~18厘米~(-3),这些氧原子一方面能抑制器件制作过程中位错的产生;另一方面能通过内吸除效应,把硅晶体中的有害杂质吸除。同时氧沉淀在硅晶体中,能增强晶体的机械强度,减少高温扩散中的硅片翘曲形变,所以集成电路中广泛采用直拉硅单晶。但直拉硅单晶存在着坩埚沾污和氧的有害效应,即氧施主问题,不容易拉出高电阻率的晶体,也就不能制作高电压的器件。     

生长大直径区熔硅单晶的工艺

本文所提供的资料是关于如何解决在一个大气压的氩气氛下浮区生长80毫米直径单晶的问题。成功地生长直径80毫米硅单晶很大程度取决于经矿处理(整形)的多晶棒料的直径、籽晶晶向、熔区长度、转速、移动速度,拉完单晶长度以及晶体支承机构等因素。调节好这些参数可获得最佳的生长条件。早期在控制74毫米或更大直径晶体时曾碰到下面的问题:需提供更大的功率以便熔化直径较大的硅棒,为了提高有效功率必须进一步改变线圈的几何形状;以及用生长小直径用的拉速在熔硅时可能会发生凝固或溢出。     

Φ105mm区熔硅单晶设备改造

本文分析了“ＥＢＧ－６０”型高频感应加热装置的结构及一些问题，介绍了如何使其适用于控制Φ１０５ｍｍ区熔硅单晶的方法。     

氧和氢对硅单晶电子辐照缺陷的影响

在超高压电镜中,用100万伏加速电压于室温～773K 之间对硅单晶进行电子辐照。实验发现,在含氧硅单晶中比含氢硅单晶中更易产生辐照缺陷。在含氧硅单晶中辐照缺陷密度较大,而且形成缺陷所需的孕育时间也较短。棒状缺陷、层错和位错环均沿〈110〉方向。棒状缺陷和层错有〈116〉型的位移矢量,层错在(113)面上。非层错化过程产生具有柏氏矢最为 a/2〈110〉型的间隙型位错环.     

氢气氛区熔硅单晶热处理缺陷形成机理

本文用薄晶体电镜,x射线衍射形貌和金相腐蚀坑法研究了氢区熔硅单晶热处理缺陷形成机理。
通过变温热处理,发现氢区熔硅单晶热处理缺陷主要是由氢沉淀引起的。沉淀过程可能首先是Si-H键分解,然后是氢的扩散聚集,测出沉淀过程激活能是56.000±3000卡/克分子,它可能是Si-H键的分解激活能。沉淀物的析出面是{111}晶面,几何形态起始近似球状,然后变成扁椭球,最后是沿<110>方向拉长的片状沉淀物。
随着沉淀物的长大,在一定温度下(约600-700℃)会在沉淀物周围发射稜柱位错环,其分布形态和热处理温度有关。高温热处理时,沉淀物周围能发射出高对称的多组稜柱位错环,形成\     

悬浮区熔法制备中、低阻硅单晶

区熔硅单晶纯度高,补偿度小,其高电阻率单晶在整流器件领域显示出优越性,但重掺杂工艺制备中,低电阻率FZ单晶较为困难,本文介绍一种简便掺杂方法,能较稳定生产10～10~(-2)Ω·cm区熔硅单晶。     

Φ105 mm区熔硅单晶的生长工艺研究

介绍了FZ硅单晶的熔区悬浮原理 ,说明了生产Φ10 5mmFZ硅单晶所用多晶原材料的技术标准 ,通过对不同形式的加热线圈进行分析 ,指出了较理想的加热线圈 ,讨论了反射器和改进后的晶体夹持装置的具体应用。对Φ10 5mmFZ硅单晶的关键生长工艺进行了描述     

大直径区熔硅单晶生长工艺的初步探讨

一、前言大直径区熔硅单晶是制备高压大功率半导体器件,诸如可控硅、整流器等必不可少的主要原材料。近年来,3英寸、4英寸的大直径区熔硅单晶也开始用于制备大规模和超大规模集成电路,所以国外对此类产品     

8英寸大直径区熔硅单晶在津投入试生产

天津中环半导体公司最新研制开发的国内首颗8英寸大直径区熔硅单晶投入试生产。其产品质量和工艺技术达到国际先进水平,并使之形成从节能材料到硅片、芯片制造的垂直整合能力和完整产业链。     

中子辐照和掺杂氢气氛FZ硅中氢施主研究

本文给出了不同原始材料状况、不同中子辐照剂量对FZ(H_2)硅中氢施主产生的影响和经长时放置的中子掺杂FZ(H_2)硅的退火行为,提出了氢施主与缺陷直接相关的新证据;氢施主与中子辐照和掺杂CZ硅中的氧施主产生、退火以及表观浓度与中子剂量的关系很不相同;中子辐照高于某一剂量时,氢施子浓度趋于饱和。本文对实验结果进行了初步讨论。     

高纯真空区熔硅单晶在快速热退火下的红外吸收

高纯真空区熔硅单晶经离子注入和氮气氛中的快速热退火后,在4.2K的红外吸收谱中观察到1136cm~(-1)的氧特征峰;而类似的样品未经快速热退火,则无此吸收峰。利用硅表面的SiO_2层中氧的恒定表面浓度扩散近似,得到样品中氧的计算值和实验值大致相符。     

纯氩气氛下生长直径70毫米区熔硅单晶的工艺

本文概述了拉制大直径区熔硅单晶的试验工作,着重介绍硅单晶的生长设备、氩气净化、加热线圈、操作参数、等诸方面的工艺技术条件。     

熔锍Cu_2S与氢反应的物理化学(二)

本文的动力学部分已刊登在本刊今年的第二、三期;此篇系该文的第二部分,即反应热力学。     

熔锍Cu_2S与氢反应的物理化学(续)

(二)熔鋶与H_2反应对H_2压力的阶次H_2在铜中的溶解速率常数随铜中含硫量增大而减小,但当硫量增加达一定值后,速率常数不再减小。H_2在铜中的溶解度本来就不大,这可由下列公式计算求得:     

铝及其合金中的氢(上)

一、前言几乎在所有的金属材料中,皆存在氢这种使人最讨厌的元素。例如,钢铁材料和钛合金中,由于氢和其反应,使材料的性能显著恶化(氢脆性),因此为了确保材料的可靠性,对于这种重要的问题,要特别注意。但是,在铝及其合金中,氢在固相铝中的固溶度小,通常情况下不能形成稳定的氢化物,固溶状态下存在的氢不是特别重要的问题,而在凝固时则全部放出来,这种排出的     

铝及其合金中的氢(下)

四、氢气泡的影响氢的固溶度,因在液相铝和固相铝中有很大的差异,因此其差量在凝固时作为气体放出来。直到凝固结束时这些气体如果没到外界,而作为气泡残存下来,则形成铸造缺陷而影响材料的质量。本文将介绍凝固时形成什么样的气体缺陷及存在气体缺陷对材料的机械性能又有什么影响。根据适当条件情况,主要考虑形成的严重缺陷,对于形成严重缺陷的,多数是熔铸条件这个根本问题,其他因素也需要考虑。下面介绍凝固时放出氢气形成较细的气孔(通常称为气泡)。 1.气泡的形成所谓气泡就是熔体固溶时放出氢成为气     

电弧悬浮区熔法制备六硼化(钅兰)单晶

前言六硼化镧(LaB_6)是近20年来新发展起来的一种阴极发射材料,它具有优异的电子发射性能,它的电子逸出功低,电子发射密度大,能在高场强下和低真空条件下工作,熔点高,硬度大,化学性稳定,抗中毒性强,并具有对离子轰击的稳定性等优点。1951年 J·M·Lafferty 首先发现六硼化镧具有优异的电子发射特性,引起了世界的注意,以后不少国家的科学家都对六硼化镧的性质及其应用进行了大量的研究,使六硼化镧的应用迅速     

〈111〉籽晶的偏角和偏离方向对生长无位错真空区熔硅单晶的影响

一、前言 无位错真空区熔硅单晶是一种比较理想的Si(Li)X射线探测器级材料,具有低氧低碳的优点,但在真空下生长无位错单晶比在气氛下生长困难得多。实践表明<111>籽晶的取向对生长无位错单晶有较大的影响。国外曾报道过气氛下生长无位错单晶与<111>籽晶的取向有关。本实验的目的是探讨真空下生长无位错硅单晶是否与<111>籽晶取向