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采用柠檬酸盐法合成了一系列Zn1-xCuxO(x=0.01,0.02,0.03,0.04)纳米粒子,XRD结果表明Zn1-xCuxO样品为单一的ZnO纤锌矿结构. 磁性测试结果表明Zn1-xCuxO(x=0.01,0.02,0.03,0.04)在室温下表现为铁磁性. XRD, TEM与XPS的测试结果表明,样品中没有具有铁磁性的第二相出现. 经分析Zn1-xCuxO(x=0.01,0.02,0.03,0.04)的铁磁性是Cu掺杂ZnO纳米结构的本质特征. 相似文献
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采用柠檬酸盐法合成了一系列Zn1-xCuxO(x=0.01,0.02,0.03,0.04)纳米粒子,XRD结果表明Zn1-xCuxO样品为单一的ZnO纤锌矿结构.磁性测试结果表明Zn1-xCuxO(x=0.01,0.02,0.03,0.04)在室温下表现为铁磁性.XRD,TEM与XPS的测试结果表明,样品中没有具有铁磁性的第二相出现.经分析Zn1-xCuxO(x=0.01,0.02,0.03,0.04)的铁磁性是Cu掺杂ZnO纳米结构的本质特征. 相似文献
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掺Rb纳米晶DyIG磁光薄膜研究 总被引:1,自引:0,他引:1
用热分解法制备的Bi,Al替DyIG磁光薄膜虽然是纳米晶,但由于其晶界分布不均匀、晶粒较大且均匀性差,当用于磁光记录时,晶界将产生较大的噪音。而掺Rb的Bi,Al替DyIG磁光薄膜不仅可以降低晶化温度,而且晶粒明显细化,最大晶粒尺寸从100nm下降到50nm左右,平均晶粒尺寸下降为30nm左右。并且晶粒的均匀性明显改善,掺入的Rb以Rb2O固溶体的形式存在于磁光薄膜表面,填补了薄膜表面的凹凸不平,使薄膜表面反射率增加,信噪比增大。因此掺Rb可使纳米晶Bi,Al替DyIG磁光薄膜的性能大大提高。 相似文献
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基于GaAs的新型稀磁半导体材料(Ga,Mn)As 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了一种基于GaAs的新型稀磁半导体材料(Ga,Mn)As,包括(Ga,Mn)As的制备方法、结构特性、磁性质及磁输运性质。最后,展望了(Ga,Mn)As的应用前景。 相似文献
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采用反应蒸发技术制作不掺杂In2O3透明导电薄膜,薄膜厚度为150~200nm、方块电阻为60~200Ω/□,透光率为80%~94%(波长λ=600mm)。了蒸发过程氧气充入量和蒸发时间对薄膜的光电特性的影响,说明低蒸发速率和限制氧气流量是获得优质薄膜的关键。 相似文献
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Al2O3、ZrO2、Ta2O5和La2O3薄膜在栅介质、无机EL介质和光学薄膜方面有着重要用途,但对其复合薄膜介电性能方面的研究很少。文章采用电子束共蒸发法制备了厚度分别为414nm和143nm的Al2O3-La2O3(ALO)和ZrO2-Ta2O5(ZTO)复合薄膜,用Sawyer—Tower电路测得介电常数分别为17和34,反映介电损耗的参数△Vy分别为0.013V和0.56V,击穿场强分别为128MV/m和175MV/m,在50MV/m场强下,ALO的正、反向漏电流密度分别为3.1×10-5/cm2和4.1×10-5A/cm2,ZTO的正、反向漏电流密度分别为3.9×10-5/cm2和3.7×10-5A/cm2。另外,实验还与电子束蒸发和反应溅射制备的Al2O3、ZrO2、Ta2O5的介电性能做了比较,结果表明,上述复合薄膜单独作为无机EL绝缘层是不合适的。 相似文献
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采用水热法制备了质量分数w[La(NO3)3]为3%~9%的La(NO3)3-In2O3纳米粉体。利用XRD,SEM,TEM等测试手段,对其物相、结构进行了表征。结果表明:掺质量分数为7%的La(NO3)3的In2O3纳米粉体,其颗粒长度和直径分别为2μm与200nm左右,呈棒状。利用该纳米粉体制成气敏元件,并采用静态配气法测试了元件的气敏性能。研究发现:元件在110℃的工作温度下,对体积分数为100×10-6的Cl2的灵敏度高达1665.7,且具有良好的选择性与响应-恢复特性。 相似文献
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以In2O3和GeO2为原料,采用碳还原法制备了In2Ge2O7多晶薄膜,利用XRD和SEM对薄膜的结构和形貌进行了表征。对基于In2Ge2O7薄膜的金属-半导体-金属(MSM)紫外探测器进行了紫外光电导特性测量,结果显示:在波长为250nm的紫外光照射下,在5V偏压下,器件的光电流为727μA(暗电流为12μA),光响应度达到262.9A.W-1,光响应上升时间约为67s,下降时间约为15s。分析认为较长的响应时间是由于内部的缺陷与位错造成的。初步研究结果表明:In2Ge2O7薄膜可以作为一种良好的日盲紫外探测材料。 相似文献
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