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电子束反应蒸发技术生长Mo掺杂In_2O_3薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
利用电子束反应蒸发技术,调制衬底温度200~350℃,详细研究了Mo掺杂In2O3(IMO,In2O3:Mo)薄膜的微观结构以及光电性能的变化。随着衬底温度增加,原子力显微镜(AFM)与扫描电子显微镜(SEM)图像均证明IMO薄膜表面趋于粗糙,透过率和Hall测试表明其光学和电学性能逐渐提高。在衬底温度为350℃时,获得薄膜最小电阻率为2.1×10-4Ωcm,载流子迁移率为34.2cm2/Vs,其可见光区及近红外区的平均透过率为78%。衬底温度为200℃时,薄膜表现为黑褐色,经分析X射线光电子能谱(XPS)结果认为与薄膜中钼的低价氧化有关,提高衬底温度可改善薄膜氧化状态。 相似文献
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研究了未掺杂和Co掺杂HfO2薄膜内部的铁磁性质。对于理想配比的HfO2薄膜,没有发现铁磁行为, 但在高缺氧状态下的HfO2则观测到了弱的铁磁性。Co掺杂增强了这种铁磁性。使用真空和氧气交替退火的方法未掺杂和Co掺杂薄膜进行铁磁性测试,结果显示,氧空位的存在可以增强铁磁性,减少氧空位,或者增加薄膜内部的间隙氧会导致铁磁性降低。Co掺杂引起的磁性和观测到的d0 磁性被认为是两种性质的磁性。 相似文献
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在磁性半导体的理论研究工作中,在氧化铟In2O3中掺杂过渡金属元素的研究最为广泛。理论上Fe掺杂In2O3磁性半导体后,具有室温铁磁性。在氧化铟中进行掺杂或引入氧空位可以提高载流子浓度,并且载流子浓度可以通过改变掺杂浓度或者样品制备时氧气压的大小来加以控制。 相似文献
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采用反应热蒸发法制备ITO薄膜,详细研究了氧分压对薄膜的晶体结构及光电性能的影响。当氧分压较小时,在XRD谱中发现了对应于SnO(112)晶向的衍射峰,随着氧分压的增大,薄膜的晶体结构变得完整,性能得到了改善,在较低的衬底温度下(TS=160℃)获得最小的电阻率为5.3×10-4Ωcm,但是,当更多的氧进入薄膜后一方面填充了氧空位,另一方面与Sn4+相结合形成复合中性粒子(Sn+In)2O"i,使得锡的掺杂作用减弱,薄膜的电阻率增大,同时在近红外区域的透过率增大。 相似文献
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(Ni、Li)掺杂ZnO薄膜的制备及其性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用溶胶-凝胶技术和旋涂的方法,在Si(100)衬底上制备了Ni掺杂和(Ni、Li)共掺的3种ZnO薄膜(Ni0.10Zn0.90O、Ni0.10Li0.05Zn0.85O和Ni0.10Li0.10Zn0.80O)。X射线衍射分析表明,所有薄膜样品均为纤锌矿结构,未发现其他杂相。光致发光研究表明,(Ni、Li)共掺后出现了410nm左右的紫外发光峰,并随Li浓度的增加发光峰变强,该峰与Li杂质能级有关,同时观察到O2-空位引起的610nm和740nm的两个红色发光峰。薄膜中Ni离子为+2价,取代Zn离子的位置。掺杂的ZnO薄膜呈现室温铁磁性,单个Ni原子的饱和磁矩可达到0.210μB,掺入Li或在N2气氛中退火后,都导致单个Ni原子的饱和磁矩降低。铁磁性来源于电子调制的机制。 相似文献
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衬底温度对ZnO薄膜氧缺陷的影响 总被引:3,自引:1,他引:2
采用射频磁控溅射在石英玻璃和单晶硅Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜,研究了衬底温度对ZnO薄膜中氧缺陷的影响。实验发现,ZnO薄膜c轴取向性随温度的升高而增强;当衬底温度达到550。C时,XRD谱上仅出现一个强的(002)衍射峰和一个弱的(004)衍射峰,显示ZnO具有优异c轴取向性。同时,随着温度的升高,ZnO薄膜的紫外透射截止边带向高波长方向漂移,其电导率也随衬底温度的升高逐渐增大,表明薄膜中的氧缺陷逐渐增多。这种氧缺陷是由于ZnO的氧平衡分压高于Zn所致,可通过提高溅射气体中氧含量来改善。 相似文献
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Yuanqi Huang Zhengwei Chen Xiao Zhang Xiaolong Wang Yusong Zhi Zhenping Wu Weihua Tang 《半导体学报》2018,39(5):16-20
High quality epitaxial single phase (Ga0.96Mn0.04)2O3 and Ga2O3 thin films have been prepared on sapphire substrates by using laser molecular beam epitaxy (L-MBE).X-ray diffraction results indicate that the thin films have the monoclinic structure with a (-201) preferable orientation.Room temperature (RT) ferromagnetism appears and the magnetic properties of β-(Ga0.96Mn0.04)2O3 thin film are enhanced compared with our previous works.Experiments as well as the first principle method are used to explain the role of Mn dopant on the structure and magnetic properties of the thin films.The ferromagnetic properties are explained based on the concentration of transition element and the defects in the thin films. 相似文献
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试验以Ti2O3,Ti3O5和TiO2作为初始膜料,在ZZS700-6/G型真空镀膜机上采用O2-离子束辅助蒸发制备氧化钛薄膜.用XRD检测方法确定各种膜料和薄膜的相成分,并全面地分析了各种膜料的蒸发特性和薄膜;用分光光度计测量薄膜的透射率,并分析薄膜的光学性能.试验表明,在采用Ti2O3,Ti3O5和TiO2作为蒸发制备氧化钛薄膜时,钛的氧化物中存在Ti3O5固态同一蒸发相;各种膜料在蒸发时,发生分解,熔池中的物质成分逐渐转变成同一蒸发相成分,最终完全转变成同一蒸发相. 相似文献
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Room-temperature ferromagnetic ordering in Mn-doped ZnO thin films grown by pulsed laser deposition 总被引:1,自引:0,他引:1
W. Y. Shim K. A. Jeon K. I. Lee S. Y. Lee M. H. Jung W. Y. Lee 《Journal of Electronic Materials》2006,35(4):635-640
The ferromagnetic ordering in Mn-doped ZnO thin films grown by pulsed laser deposition (PLD) as a function of oxygen pressure
and substrate temperature has been investigated. Room-temperature ferromagnetic behaviors in the Mn-doped ZnO films grown
at 700°C and 800°C under 10−1 torr in oxygen pressure were found, whereas ferromagnetic ordering in the films grown under 10−3 torr disappeared at 300 K. The large positive magnetoresistance (MR), ∼10%, was observed at 5 K at low fields and small negative
MR was observed at high fields, irrespective of oxygen pressure. In particular, anomalous Hall effect (AHE) in the Mn-doped
ZnO film grown at 700°C under 10−1 Torr has been observed up to 210 K. In this work, the observed AHE is believed to be further direct evidence demonstrating
that the Mn-doped ZnO thin films are ferromagnetic. 相似文献
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ZnO films and ZnO:Cu diluted magnetic semiconductor films were prepared by radio frequency magnetron sputtering on Si (111) substrates, with targets of ZnO and Zn0.99Cu0.01 O, respectively. The plasma emission spectra were analyzed by using a grating monochromator during sputtering. The X-ray photoelectron spectroscopy measurements indicate the existence of Zni defect in the films, and the valence state of Cu is 1. The X-ray diffraction measurements indicate that the thin films have a hexagonal wurtzite structure and have a preferred orientation along the c-axis. The vibrating sample magnetometer measurements indicate that the sample is ferromagnetic at room temperature, and the origin of the magnetic behavior of the samples is discussed. 相似文献
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退火氧压对Zn_(0.99)Fe_(0.01)O薄膜的结晶质量及其激光感生电压效应的影响 总被引:2,自引:1,他引:1
采用脉冲激光沉积法(PLD)在Al2O3衬底上成功制备了Zn0.99Fe0.01O薄膜,研究了退火氧压对Zn0.99Fe0.01O薄膜的晶体结构及其激光感生电压(LIV)效应的影响。X射线衍射仪分析结果表明,Zn0.99Fe0.01O具有六角纤锌矿结构,并且是沿[001]取向近外延生长。同时随着退火氧压的增大,薄膜的晶粒尺寸先增大后减小,退火氧压为2000 Pa时薄膜晶粒尺寸最大,结晶质量最好。另外在10°倾斜的Al2O3单晶衬底上制备的Zn0.99Fe0.01O薄膜在3000 Pa的退火氧压下可以观察到最大的LIV信号,达到79.5 mV。 相似文献
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