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相似文献
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1.
采用高温固相法并添加不同助熔剂(H3BO3、不同氟化物以及H3BO3与Al F3的组合)制备出了Ca0.7Sr0.3Mo O4∶Eu3+红色荧光粉。通过XRD、激发和发射光谱研究了助熔剂对荧光粉的物相和发光性能的影响。研究表明,除Ca F2外,其他种类助熔剂的添加均能提高荧光粉的发光强度,且不影响样品的物相结构。H3BO3的最佳用量为荧光粉质量的1%;在氟化物助熔剂中,用量为荧光粉质量的2%的Al F3对荧光粉发光强度的提高最为显著。当以H3BO3与Al F3同时作为助熔剂制备荧光粉时,效果要好于单一助熔剂。  相似文献   

2.
采用硅溶胶对Sr2–xBaxSiO4∶Eu2+LED荧光粉进行表面处理,以改善其稳定性、在树脂中的分散性及封装应用的老化效果。考察了硅溶胶用量、处理温度和时间对荧光粉性能影响,分析了表面处理对荧光粉的晶体形貌和发光性能的影响,并对其应用老化性能进行了研究。结果表明,表面处理使硅酸盐荧光粉的初始发光强度提高约2%,可靠性也有所提高,可使封装后的LED的光衰减少6%。  相似文献   

3.
采用高温固相法合成白光LED用红色荧光粉Sr0.7Ca0.3-2 xMoO4Eux3+Nax+,对样品分别进行X射线衍射(XRD)分析和荧光光谱的测定,讨论了不同掺杂量下合成的荧光粉的发光性质。XRD图谱分析表明,在1 000℃下灼烧9h得到的样品为纯相的SrMoO4。研究结果表明,制备的Sr0.7Ca0.3-2 xMoO4:Eux3+Nax+荧光粉可以被近紫外光(393nm)和蓝光(464nm)有效激发;发射光谱中,在波长在611nm和615nm处有很强的发射峰,其中最强发射峰位于615nm左右,与Eu3+的5D0→7F2跃迁对应。进一步探讨Na+和Eu3+掺杂浓度对发光强度的影响,得出Sr0.7Ca0.3-2 x MoO4:Eux3+Nax+样品的发光强度比SrMoO4:Eu3+Na+增强,当掺杂量x=0.07时,Sr0.7Ca0.3-2 x MoO4:Eux3+Nax+样品在波长614nm处发光强度最强。最后测试计算样品在393nm紫外激发下的色坐标,当Eu3+和Na+的掺杂量x=0.02时,样品红色显示最强。研究结果表明,所合成的红色荧光粉Sr0.7Ca0.3-2 xMoO4:Eux3+Nax+新型红色荧光粉适合在白光LED中应用。  相似文献   

4.
红色荧光粉的在制备荧光转换型白光LED时是不可或缺的,因为红色荧光粉在制备高显色指数白光LED中发挥着重要的作用。LiEuW2O8是最近几年最新发展起来的一种很有潜力的红色荧光粉。主要研究了稀土离子掺杂对LiEuW2O8发光性能的影响。采用高温固相法制备钨酸锂铕系列红色荧光粉。La3+和Sm3+取代LiEuW2O8中的Eu3+,La3+和Sm3+通过再吸收的方式将能量传递给Eu3+,实现对Eu3+的敏化作用。La3+和Sm3+的掺杂并没有改变样品的激发和发射峰,也没有改变晶体结构,但是掺入后能显著提高样品的发射强度。La3+的最佳掺杂量(物质的量分数)为3%,Sm3+的最佳掺杂量为4%。  相似文献   

5.
Sr2SiO4:Eu2 荧光粉的发光性质及在白光二极管中的应用   总被引:3,自引:0,他引:3  
用高温固相反应法制成了Sr2SiO4:xEu2 荧光粉.随着Eu2 掺杂浓度的增加,Sr2SiO4晶体结构从β相转换为α'相.Eu2 掺杂浓度小于等于0.5 mol%时,Sr2SiO4:Eu2 为β相,大于等于2 mol%时是α'相.β-Sr2SiO4:Eu2 的发光颜色为黄绿色,发射光谱由两个谱带组成,分别位于470 nm,535 nm处.α'-Sr2SiO4:Eu2 发光颜色为黄色,发射光谱由两个谱带组成,分别位于490 nm,570 nm处.这两个谱带具有不同的荧光寿命,归结为处于不同格位上Eu2 的发射.用近紫外芯片和这两种荧光粉制成了白光二极管.正向驱动电流为20mA时,用β-Sr2SiO4:0.0035 E2 抖制成的白光LED色温为5562 K;色坐标为x=0.32,y=0.40;显色指数为61;流明效率为15.7 lm/W.用α'-Sr2SiO4:0.02 Eu2 制成的白光LED色温为4 707 K;色坐标为x=0.36,y=0.37;最色指数为73;流明效率为6.7 lm/W.  相似文献   

6.
通过高温固相法制备了白光LED用Sb3+掺杂的Y1.94-yGdSbyAl5O12:0.06Ce荧光粉,使用荧光分光光度计研究了样品的发光性能,并采用紫外-可见-近红外光谱分析系统分析了所制荧光粉的封装性能。结果表明,Y1.94-yGdSbyAl5O12:0.06Ce荧光粉为立方晶系,其发射中心波长为550 nm,Sb3+掺杂有助于提高YAG:Ce的发光强度。将合成的Y1.92GdSb0.02Al5O12:0.06Ce(CL-Y-550)荧光粉封装成白光LED,其平均色温为5 376 K,属于冷白;平均显色指数为81.2,达到了基本的应用水平。  相似文献   

7.
荧光粉转化法是目前制备白光LED的主流技术。但是商业化的荧光粉由于缺少红色部分或红色不稳定,使得制备出的LED灯泡颜色偏冷,因此研制低成本、性能稳定的红色荧光粉具有重要的意义。本项目以化学性质稳定、合成工艺温和的硼酸盐KZn4(BO3)3为基质,掺杂稀土离子来研究荧光粉的发光性能。通过高温固相法合成了一系列不同掺杂浓度的KZn4(BO3)3∶Eu3+,并测试了XRD衍射图谱,发射和激发光谱。研究表明Eu3+离子倾向于占据Zn2+格位。同时,KZn4(BO3)3∶Eu3+的最佳激发波长(393nm)位于近紫外波段,适于用近紫外LED芯片激发来制备LED。KZn4(BO3)3∶Eu3+的最强发射峰位于590nm,属于5 D0-7F1跃迁。当发生浓度猝灭时,Eu3+-Eu3+离子间的临界距离为3nm。该荧光粉的色坐标为(0.629 7,0.369 9),色饱和较高。该物质是一种潜在的可被用于LED照明用的红色荧光粉。  相似文献   

8.
一种红光增强型白光LED特性研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
为了使白光LED光谱中红光成分增强,以更适应人眼视觉,通过对YAG:Ce荧光粉掺杂的改进,引入Gd3+、Pr3+使白光LED光谱在610 nm处出现明显发射峰,并且荧光主峰发生红移。通过对LED的色坐标计算表明,用这种新型荧光粉封装的白光LED色坐标可以达到标准白点(0.33,0.33),理论上有可能符合"能源之星"的要求,用YAG:Ce封装的LED却不可能。  相似文献   

9.
采用高温固相法合成Ba5CaAl4O12:Tb3+绿色荧光粉,并对其发光性质进行研究。Ba5CaAl4O12:Tb3+在239nm激发下,跃迁发射峰值位于489,543,550,587和623nm,分别对应于Tb3+的5D4→7F6,5D4→7F5,5D4→7F4和5D4→7F3的能级跃迁。样品的紫外激发光谱表明,Ba5CaAl4O12:Tb3+基质吸收是位于240nm附近的宽带吸收。研究Tb3+浓度对样品发光强度的影响,当Tb3+掺杂摩尔分数为4%时,发光强度达到最大。加入H3BO3和NH4Cl两种助熔剂均不同程度地提高了该荧光粉的发光强度,且随着助熔剂浓度的增加发光强度先逐渐增强后下降。相比两种助熔剂发现,NH4Cl比H3BO3的效果更好,更有利于荧光粉的发光。  相似文献   

10.
YAG:Ce~(3+)玻璃陶瓷白光LED的发光特性   总被引:3,自引:1,他引:2  
宋国华 《光电子.激光》2010,(12):1785-1789
用化学共沉淀法制备掺铈钇铝石榴石(YAG:Ce3+)前驱体,以B2O3-Al2O3-SiO2-Na2O为玻璃基质制作Ce3+掺杂YAG玻璃陶瓷,并封装成玻璃陶瓷白光发光二极管(LED)。改变玻璃陶瓷基片厚度和外形,测量玻璃陶瓷白光LED的光电色参数,并与常规涂敷YAG荧光粉方法制作的白光LED进行对照比较。结果表明,玻璃陶瓷白光LED发射光谱波形与普通白光LED光谱基本一致。玻璃陶瓷基片从0.50mm变化到0.90mm厚时,相关色温(CCT)从4 182 K增加到8862K。0.60mm厚平板玻璃陶瓷基片封装成的白光LED荧光能量转换效率约为20%,中心CCT为6396K,-85°和+85°视角CCT分别为5921K和5898K;而平凸玻璃陶瓷基片封装成的白光LED,-85°和+85°视角CCT变化范围可控制在150K范围内。  相似文献   

11.
A three-band white light-emitting diode (LED) was fabricated using an InGaN-based blue LED chip that emits 460-nm blue light, and a green phosphor SrGa/sub 2/S/sub 4/ : Eu/sup 2+/ and a red phosphor Ca/sub 1-x/Sr/sub x/S : Eu/sup 2+/ that emit 535-nm green and 615-nm red emissions, respectively, when excited by 460-nm blue light. When the white LED operated in a direct current (DC) 20 mA at room temperature, the Commission Internationale de l'Eclairage chromaticity coordinate (x, y), the color temperature Tc, and the color rendering index Ra are calculated to be (0.3236, 0.3242), 5937 K, and 92.2, respectively. The luminous efficacy of this white LED is about 15 lm/W at a DC 20 mA. With increasing DC from 5.0 to 60 mA, both the coordinates x and y of the white LED trend to increase, and consequently the Tc and the Ra increases and decreases, respectively.  相似文献   

12.
文章采用TRACEPRO软件建立了三种白光LED的光学模型:(1)芯片直接涂覆荧光粉;(2)芯片涂覆硅胶后涂覆荧光粉层;(3)芯片涂覆荧光粉后涂覆硅胶层.通过改变荧光粉的摩尔浓度或硅胶厚度来考察白光LED的光色指标,如光通量、色温及显色指数的变化.研究结果表明:第一种和第二种涂覆方式中,光色指标随着荧光粉摩尔浓度或硅胶厚度的改变呈规律性变化;第三种涂覆方式中,色温及显色指数的变化趋势不稳定,第三种方式光通量高于前两种,最大值可达到87.31m.三种方式的显色指数在70左右.研究结论为白光LED工艺设计提供参考和依据.  相似文献   

13.
采用高温固相法合成了Dy 3+、Eu 3+共掺杂Y3MgAl3SiO12石榴石型荧光粉。采用XRD、荧光光谱仪等仪器对样品的结构以及光谱特性进行表征,探究了Dy 3+/Eu 3+在Y3MgAl3SiO12基质结构中的光谱特征以及离子间的能量传递机制。在367 nm近紫外光激发下,Y3MgAl3SiO12:Dy 3+,Eu 3+的发射光谱包含Dy 3+的6F9/2到6H15/2和6H13/2的电子跃迁特征发射(487 nm蓝光和592 nm黄光)和Eu 3+的5D0 7F2 and 5D0 7F4特征发射峰(616 nm和710 nm红光)。在400~500 nm范围内Dy 3+发射谱与Eu 3+激发谱重叠,表明Dy 3+与Eu 3+之间存在着能量传递,能量传递的机理为电四极-电四极相互作用。该荧光粉通过调整Dy 3+和Eu 3+的掺杂浓度比封装近紫外LED芯片,可以实现单基质暖白光LED照明。  相似文献   

14.
采用高温固相法,制备了适于紫外-近紫外及蓝光激发,主峰位于573nm的Ca2BO3Cl:Eu2+黄色荧光粉。研究了Ce3+以及CaCl2和H3BO3用量对材料发光特性等的影响。结果表明,添加Ce3+,明显增强了Ca2BO3Cl:Eu2+材料在紫外-近紫外区的吸收,有效地提高了材料的发射强度;添加过量的CaCl2或H3BO3,均能提高Ca2BO3Cl:Eu2+材料的发射强度,最佳的CaCl2和H3BO3用量分别为过量5mol%和15mol%。将Ca2BO3Cl:Eu2+材料与460nm InGaN芯片组合,获得了白光发射,色坐标为(0.339,0.351)。  相似文献   

15.
利用黄色、红色和黄绿色3种荧光粉混合的方法制备了一系列大功率平面发光LED光源,深入研究了黄色、红色和黄绿色3种荧光粉分别对大功率白光LED光源的发光效率、显色指数以及色温的影响规律。研究结果表明,随着黄色荧光粉含量的增加,其发光效率明显提高,最高可达140 lm/W,而显色指数和色温略有下降。随着红色荧光粉含量的增加,其显色指数明显提高,最高可达85,而发光效率和色温明显降低。随着黄绿色荧光粉含量的增加,其发光效率、显色指数以及色温均不同程度地略有下降,但是其对大功率白光LED的色容差起到很好的调节作用。  相似文献   

16.
纳米粉体Y2O3:Ti 3+ , Eu3+的光谱性能   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用共沉淀法在氮氢气氛中制备出Y2O 3:Ti 3+, Eu 3+纳米粉体,测量了它的XRD、激发与发射光谱,观测了形貌。通过与Y2O 3:Ti 3+纳米粉体的光谱比较分析,发现Y2O 3中的Ti 3+至Eu3+存在能量传递,以致紫外至蓝光区域的光,均能使Eu3+经5D0→7F2等跃迁通道发射出610nm左右的荧光,于是增强了粉体在红橙光区发光的比重,因此可以调节粉体的发光性能。Y2O 3:Ti 3+纳米粉体的吸收带从紫外延伸到蓝光区,强荧光带覆盖了整个可见光区,这预示它有望成为新一代白光LED或汞灯的光转换荧光粉。  相似文献   

17.
The nitride phosphor Sr2Si5Ng:Eu2+ was synthesized by the high temperature solid-state method. The properties of Sr2Si5N8:Eu2+ were discussed by X-ray diffraction (XRD) scanning electron microscope (SEM) and spectra analysis. The XRD pattern shows that the single phase produces when strontium nitride is a bit excessive. The SEM photo implies that the excessive strontium nitride works as a flux in the reaction system. The position of emission peak is also located at about 612 nm as strontium nitride is excessive. The luminescent intensity of the phosphor adding excessive strontium nitride is higher than that of the phosphor introducing stoichiometric strontium nitride. The optimized content of nitride strontium was 2.05 mol/mol for the obtained phosphor with excellent properties.  相似文献   

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