MOS—双极功率半导体技术的进展

对曾经推动MOS栅控型新型功率晶体管工艺发展的一些新技术作了评述。这种器件技术的优点是有很高的输入阻抗而可用低成本集成电路控制这种器件。描述了这类器件中的两种类型——功率MOSFET和MOS-双极器件——运行的物理过程。分析了加工工艺和器件额定性能的发展趋势。由于这些器件性能优越,可望在未来完全取代功率双极晶体管。     

双极MOS复合器件及其发展动向

微电子技术与电力电子技术相结合,不但使电力电子领域为控制部分向数字化、小型化和高性能方向发展,而且使功率半导体器件自身向高耐压、大容量和高频化方向发展.功率半导体器件中,作力电力电子学基石的晶闸管具有大电流特性,但无自关断能力;广泛使用的双极晶体管需较大的基极驱动电流;可关断晶闸管GTO能在比双极晶体管更大的电流密度下工作,但开关速度低且门极关断电流大;     

功率MOS器件

本文介绍新近功率MOS场效应晶体管的主要结构和电学性能。为了提高MOS晶体管的电流和电压容量,首先得论述一些基本概念;然后介绍迄今为止最有希望的功率MOS结构,即V·MOS和VD·MOS晶体管中所使用的方法。 接着,我们叙述这些器件的电学性能,即阈值电压、电压—电流特性、欧姆(电阻)特性、饱和及准饱和范围,一次和二次击穿、安全工作区。还讨论了某些动态特性。最后,分析了功率MOS场效应晶体管的基本限制之一,即导通电阻与电压控制能力间的权衡;并提供了某些与其它功率器件的比较数据。     

MOS型功率器件

本文综述了现代MOS型功率器件的原理、发展及应用趋势。在此类器件所用的终端技术上,提出了一个优值作标准。此外,还介绍了频率与功率的极限关系,并指出了器件的发展方向。     

MOS/双极型复合功率管的应用

MOS/双极型复合功率管的出现,使双极型功率晶体管的高输入阻抗成为现实.MOS/双极型复合功率管利用MOS器件与双极型器件的各自特点,采用MOS与双极型器件以达林顿形式组合成复合功率管,具有高输入阻抗,低输入驱动,高跨导,低导通阻抗,大电流特性好等优点.《PMOS/     

飞利浦功率MOS器件系列

飞利浦半导体是世界上知名的半导体公司之一。它的产品多种多样，能用在各种不同的领域如有线和无线通信、消费类多媒体产品、汽车电子、计算机系列产品以及工业和家用电器。飞利浦半导体的功率MOS器件系列由于其高效率，更低的损耗和更小的尺寸，在功率应用方面受到越来越广泛的欢迎。采用飞利浦功率MOS器件系列将会给产品设计和产品性能带来巨大的好处。     

双极——MOS功率半导体器件的发展动态

比较了双极－－ＭＯＳ功率半导体器件的五种基本构成方式;然后介绍该类器件发展的最新动态,着重阐述几种最新器件;最后分析预测了这类器件发展的方向。     

MOS型硅功率器件的发展

本文介绍了以MOS技术为基础的新型MOS型硅功率器件的特点,性能水平,发展状况及面临的课题。     

功率MOS器件的结构与性能

电力电子器件的结构决定其性能,而器件的性能又决定电路的性能。根据此原理,本文分析比较了近十年来十种实用的具有新型的功率MOS器件的结构与性能特点,包括：NPT－IGBT、PT－IGBT、SDB－IGBT、Trench MOSFET、Trench IGBT、Cool MOSFET、BiMOSFET、HV－IGBT、HS－IGBT、RB－IGBT。     

MOS/双极高压复合结构中可控硅效应的抑制

本文研究和分析具有偏置栅又有延伸源场板的MOS和双极型高压复合结构中产生可控硅效应的机理,提出如何从材料、几何结构和工艺参数方面采取措施抑制和防止可控硅效应的产生.     

双极器件和MOS LSI的本征吸杂研究

为了寻找一种有效而又可靠的吸杂技术,研究了一种采用HCl氧化的三步预热处理工艺方法。在这种方法中,氧化引起的体内堆垛层错起看吸杂中心的作用。利用HCl本征吸杂,可以完全去除外延堆垛层错,降低高速双极器件的结漏失效。本文提出的HCl本征吸杂技术应用在MOS图象传感器和动态RAM中,可以改善它们的产品性能。     

MOS型硅功率器件平面终端结构

本文介绍了MOS型硅功率器件在平面工艺条件下常用的电场限制环以及场板终端结构的基本设计理论和设计方法,讨论了这两种结构的优化设计的一般原则。在此基础上探讨了平面工艺p-n结终端技术发展所面临的课题。     

汽车用功率MOS器件品种及市场

电子技术几乎全面深入发展到汽车各个控制系统及零部件中，各种新型电子控制装置更广泛地应用于汽车，今后十年内，汽车电子及相关产品平均在整车成本的比例将从目前的20％上升到32％，其发展速度从10％提高到20％，导致电子负载年增100W。     

一种与双极型模拟电路兼容的低/高压MOS器件

本文介绍一种与双极IC电路技术完全兼容的低压(CMOS)/高压(VDMOS)器件设计与制备工艺。VDMOS器件阈电压:1～2伏(根据注入剂量调节),漏击穿电压大于150伏。V_(GS)=5V时其跨导大于10m(?),导通电阻小于200Ω,最大输出电流约800mA。同时得到的NPN器件其β≥250,BV_(ceo)≥65V,BV_(CBO)≥90V。CMOS器件性能也合乎要求。利用这种工艺可制作任何低压和高压双极/MOS器件,这对于功率集成、高低压转换与驱动、等离子体显示等方面应用会有很多实用价值。     

新型功率MOS器件的结构与性能特点

电力电子器件的结构决定其性能,而器件的性能又决定电路的性能。根据此原理,分析比较了近十年来10种实用的具有新结构的功率MOS器件的结构与性能特点。     

槽栅MOS器件的研究与进展

随产丰ＶＬＳＩＫ器件尺寸越来越小,槽栅ＭＯＳ器件被作为在深亚微９米及亚０．１范围极具应用前景的理想同出来。文中介绍了槽顺件提出的背景,论述了槽栅ＭＯＳ器件的结构与特点,并就其发展现状和趋势以及存在的问题进行了概括和总结。