重叠型大口径电子枪的开发

NEC研制成功的高分辨率显示管用重叠型大口径电子枪(简称SFL电子枪),由于改进了聚焦特性和会聚特性,实现了大容量且高分辨率的高品质显示。 SFL电子枪采用降低象差的非对称预聚焦透镜,抵销自会聚偏转磁场所引起的电子束光点畸变的和重叠型大口径主电子透镜。     

大屏幕彩色显像管电子枪聚焦性能分析

电子枪聚焦性能是由电极结构决定的。本文通过计算机模拟的方式对三种典型的用于大屏幕彩色显像管电子枪的光点形貌进行了系统模拟。对各电子枪聚焦特性进行的分析和比较表明电子束形成区、主透镜结构对屏蔽中心、角部的着屏光点及不同电流下聚焦的稳定性都有较大的影响。     

彩色显象管用的高分辨率双电位聚焦的电子枪

本文描述了RCA公司研制的一种新型的高分辨率、双电位、一字形电子枪的设计。它采用了新开发的预聚焦透镜,目的是为了在第一个交叉点前减小电子束的发散角。此外,借助于计算机模拟,预聚焦透镜同G_3栅的长度和直径相匹配,以提供28％的聚焦比。计算机最优化设计大大改进了通常聚焦比为20％、大S双电位电子枪的性能,并且等效于流行的三电位电子枪,而不需要有通过芯柱的、过高的第二聚焦电压。此外,这种新型的电子枪设计改善了轨迹特性和偏离轴线的电子束尺寸。在高、低视频激励下,具有很好的补偿特性。在低激励条件下,有最小的网纹,大大降低了图象模糊现象。在荧光屏边缘,光点尺寸较小,使这种枪适用于100°和110°的大屏幕显象管。     

新一代彩色数据显示管的高分辨率电子枪

彩色数据显示管用的新型电子枪已设计成功,该枪是利用COTY系统的低象差主透镜、改进束形成区和聚焦折射透镜。体现这些新特征的电子枪,能提供较好的屏角分辨率、改善会聚性能、且使会聚和聚焦的相互影响减至最小。     

大屏幕彩色显像管电子枪聚焦性能分析

电子枪聚焦性能是由电极结构决定的，本文通过计算机模拟的方式对3种典型的用于大屏幕彩色显像管电子枪的为形貌进行了系统的模拟，对各电子枪聚焦特性进行了分析和比较表明电子束形成区，主透镜结构对屏幕中心，角部的着屏光点及不同电流下了聚焦的稳定性都有较大的影响。     

一字型枪边束优化设计的新方法

在一字型彩色ＣＲＴ中,用Ｇ２、Ｇ３进行会聚电子束,在这样的电子枪系统中,边束电子束在预聚焦透镜处（在Ｇ２和Ｇ３电极之间）向轴向弯曲,此后,电子束倾斜进入主透镜系统。边束电子空过主透镜的正确位置,从而减小光点彗差,同时电子束随聚焦电压情况漂移。为了精确估计电子束在三维结构主透镜中的正确位置,提出了一种新的计算方法。     

实验研究

如上所述,整管结构示意图见签201。 后加速会聚透镜以下简称PDAL(post Dafleclion Aleeleration Lens) 为了研究方便,电子枪偏转板中心电压与阳极同电位,即没有辅助聚焦,电子枪阳极,编转板中心及PDAL低压电极①同电位为(?)A。PDAL电极②为调正电极,电位(?)J可调,PDAL电极③为高压电极,与屏同电位,电位UA2。电子枪的聚焦电压力VF。 一般电子束管中,电子束在发射系统中交叉,将此交叉截面作为聚焦透镜物。在屏上得到它的象,即光点。但是在本结构中,电子束在偏转系统出口处再次交叉,形成虚象,然后通过PDAL在屏上得到实象——光点。因此这是二次交叉类型管种。光学系统见签202。     

电极零件的卷边与极间高压击穿

电子束管是电真空器件的一种,它通常由抽成真空的玻壳及封入其中的电子枪构成。作为管芯的电子枪是电子束管的心脏,无论是那种类型的电子束管都缺少不了电子枪。电子枪是由阴极发射透镜、预聚焦透镜、主聚焦透镜、偏转棱镜等一系列电子透镜依次组合装配而成的电子光学系统。轴对称静电式电子透镜,均是由馈以不同直流电压的圆筒型电极零件按不同间隙装架而成。除掉阴极、调制极外,各个     

日立公司最新电子枪技术

本文对日立公司新一代彩色显像管用电子枪的结构及性能进行了剖析和系统讨论。其超大椭圆孔的主透镜使有效直径比上一代电子枪提高了25％，电子束形成区实现最优化设计，不同电流下聚焦的稳定性提高，同时进入主透镜的电子束发散角在水平和垂直方向不同，实现与主透镜的最佳配合，充分发挥了主透镜中共同透镜为椭圆孔透镜的特点。聚焦对比实验也显示出日立公司新一代电子枪聚焦的优异性能。     

提高9″显象管边缘分辨率的实验研究

本文从分析9″显象管电子枪的结构特点出发,讨论了影响荧光屏上电子束光点尺寸的三个主要因素:透镜放大率、球面象差和空间电荷效应。提出了用减小调制极孔径,增大调制极与加速极之间的距离等方法来减小电子束最小交叉截面的尺寸和电子束的发散张角;并且以调整电子枪在显象管内的位置,即增大它与偏转线圈之间的相对距离,来减小偏转线圈杂散磁场所引起的偏转散焦;从而有效地改善了整管的聚焦性能,并明显地提高了边缘部分的分辨率。 试验结果和批量生产的管子测试表明:上述方法是卓有成效的,其边缘分辨率能提高50线以上。     

一种新型CDT用电子枪的研制

一种具有新的非对称的束形成区和主透镜系统的新型电子枪已经开发出来,这种电子枪已用于４０ｃｍ０．２８ｍｍ ＣＤＴ显示管中。在阴极电流Ｉｋ＝０．２ｍＡ时,屏中心１０％处垂直电子束光点直径为０．６５ｍｍ;在Ｉｋ＝０．２￣０．５ｍＡ时,电子枪的聚焦电压差小于３００伏,而且其它性能均能满足显示管各方面的显示要求。     

BEAMOS数字存贮器件

本文简要介绍BEAMOS(电子束寻址的金属—氧化物、半导体)是一个具有很高速度的永久性电子束数字存贮器件。该管的主要组成部件为电子枪、双偏转系统、MOS存贮靶。该管具有较高的存贮容量,一般可达10~8～10~8比特,由于电子束存取信息,在电子计算机应用中,节省了大量的存贮器接插件.就工艺、复眼透镜的象差设计等,对从事真空电子学及半导体电子学的工程技术人员而言,都是具有研究价值的新工艺及值得探索的设计课题.     

电子束曝光系统中的物镜像差和最佳电子束电流

本文讨论微米及亚微米级电子束曝光系统中各种透镜像差对合成透镜弥散斑的影响,分析了最佳电子束电流与末级透镜束会聚半角的关系。计算结果表明,计算模拟技术用于求取电子束曝光系统最佳参数是方便的,该方法很适合于求取个别系统的精确答案;电子枪电源及透镜电源稳定性的提高可以减小透镜像差弥散斑并提高可获得的最大电子束流;衍射像差在亚微米电子束曝光系统中有不能忽略的影响。     

一种用于彩色投影CRT的高分辨率电子枪

本文介绍用一种选择型预聚焦透镜来减小球差。我们采用计算机分析计算来设计电子枪。这种磁聚焦电子枪在束电流为4毫安时能提供0. 2毫米的光点尺寸。     

电子束聚焦和偏转系统中动态修正的计算

在电子束聚焦和偏转系统中动态修正方法(即用场曲校正透镜和消象散器来消除偏转场曲和象散)可以相当显著地减小系统的总象差和提高系统的电子光学性能。本文讨论了动态修正的计算问题:包括场曲校正透镜和消象散器的工作原理;校正透镜和消象散器电磁场分布的计算;完全消除场曲和象散在校正透镜和消象散器上所加信号强度的计算;以及校正透镜和消象散器对畸变的影响。通过文章给出动态修正计算的实例可见动态修正对提高系统的电子光学性能起着很大的作用。     

电子束聚焦偏转系统中透镜和偏转器不对中装配误差效应的数值计算

本文讨论了透镜和偏转器在电子束系统中不对中装配造成的电子光学性质影响的数值计算问题,包括推导出不对中的透镜和偏转器在系统中的电磁场表示式,电子轨迹方程及象差积分式等。根据这些公式所编制的计算机程序已用来计算了若干个实例,从中可见不对中误差效应的数值计算对于设计和装配电子束聚焦偏转系统起到指导性的作用。     

投影管用新型静电透镜的设计

引言现今要求投影管具有明亮和清晰的图象。作为大屏幕电视用的投影管,需要以大电流来产生足够的亮度,然而在大电流范围内,电子束光点散焦是一个大问题。为了克服散焦,由两个同轴的双圆筒组成的高单电位电子枪(Hi-UPF)现已被开发出来。很多研究使我们清晰地看到,在电子束管(CRT)中,即使是最佳设计的简单双圆筒或三圆筒电透镜仍有球面像差。因此影响了图像质量。为此,我们研究了由两个分离的简单透镜组成的复合透镜。复合透镜的理论分析已由Hawkes 作出。可是他只给出直接用于实验性透镜设计的     

高功率X射线曝光源的环状阴极电子枪的设计

X射线光刻技术是当前制作亚微米工艺结构大规模集成电路的关键技术之一,倍受重视。在实用化的X光刻机的研究探索和技术开发中,强功率高电流密度电子枪的设计是其中重要的课题之一。本文介绍作为X光光源用的环状阴极电子枪的通用计算机程序,这一程序可供计算多电极系统任意电极形状的束流控制特性、电子束着靶轨迹及电流密度分布等。文中给出一些典型计算实例,这将有助于这类仪器设备的设计与改进。由于这种高功率环状阴极电子枪具备一系列优点,同样可推广应用于电子束熔炼、电子束蒸发等装置中。     

BA—510K镀膜机真空室的改装

BALZERS厂生产的BA-510K高真空光学镀膜机,具有较好的性能,如抽速较快,抽气系统能自动控制,有电子束蒸发设备,能监控膜厚等等。国内也进口了不少镀膜机,然而在镀制工件的面积,即膜厚均匀分布方面,电子束蒸发源设计及膜厚监控方面均有待进一步改善,因为这些方面是镀膜机最为重要的部件,为此,我们对BA-510K镀膜机过行了改装,设计了小型多柑涡全水冷的磁偏转电子枪代替了原来的环形电子枪,计算了膜厚分布的均匀性,改变了电子枪的位置,适当调整了蒸发源位置和球形夹具的半径,获得了最大的膜厚均匀面积,并为了用电子束蒸发氧化物等硬膜材料,改变了换监控片的方法,又采用单色仪代替了滤光片,可任意选择监控波长。     

DDF-Ⅱ型动态聚焦电子枪的研制

在DDF-Ⅰ电子枪基础上，改变电子枪结构，将G5分成三部分，将G52／G53之间的四极场，增加G51／G52之间的四极场，通过改变四极场位置和电子束在主透镜的入射角来减小四角电子束的水平尺寸。调整G51／G52之间水平翼片的长度，让四极场场强达到合适的值，使屏面中心和四角的光点尺寸同时达到最佳。通过反复模拟计算和实验测试，最终确定了能获得满屏良好聚焦性能的DDF-Ⅱ电子枪结构。