高性能PtSi凝视红外焦平面列阵的研究与进展

本文叙述了国内外ＰｔＳｉ凝视红外焦平面列阵（ＦＰＡ）的研究发展状况。详细介绍了提高ＰｔＳｉ肖特基势垒探测器（ＳＢＤ）灵敏度的研究工作。这些ＳＢＤ工作温度约为８０Ｋ，应用于中红外波段（３～５μｍ）。象素数达５１２×５１２，１０２４×１０２４的凝视列阵已见报道。ＰｔＳｉＳＢＤＦＰＡ能在３００Ｋ实现热成象，其噪声等效温差（ＮＥａｒ）达到０．０３Ｋ。文中还介绍了我国研制的１２８×１２８元，２５６×２５６元ＰｔＳｉ凝视红外焦平面，并讨论了凝视ＦＰＡ的设计选择，最后对其特性进行了简要总结。     

国内制成高分辨率线阵PtSi红外CCD

国内制成高分辨率线阵ＰｔＳｉ红外ＣＣＤ目前国内线阵位数最多的红外ＣＣＤ探测器──ＧＺ６１５１Ｃ型１０２４位扫描型线阵ＰｔＳｉ红外ＣＣＤ，于１９９３年９月在电子部４４所研制成功，并顺利地通过了产品设计定型鉴定。硅肖特基势垒红外焦平面列阵具有一系列独特的...     

凝视PtSi红外焦平面列阵的结构和性能

ＰｔＳｉ红外焦平面列阵的结构设计，必须有利于提高器件的性能参数。ＩＴＣＣＤ（内线转移电荷耦合器件）是迄今ＰｔＳｉ ＦＰＡ用得最多的读出结构，采用隔行扫描特点，对小象元尺寸，填充系数很难提高。而缩小象元尺寸，增大填充系数是大型凝视ＰｔＳｉ ＦＰＡ的发展方向和必由之路，为此，近年来国外采用了一些新的器件结构，如ＣＳＰ、ＬＡＣＡ、ＭＯＳ、ＤＳＩ、硅圆柱透镜列阵、混合式结构等，研制成了高性能的大型凝视Ｐｔ     

新产品简介

新产品简介重庆光电技术研究所新产品简介ＣＭ６２４１Ｃ型１２８×１２８元ＰｔＳｉ肖特基势垒红外焦平面器件１工作原理采用背面进光模式工作，入射的红外光透过硅片衬底到达ＰｔＳｉ层，在ＰｔＳｉ中吸收红外光子，产生电子空穴对，有足够能量的空穴越过ＰｔＳｉ－Ｓｉ...     

硅基红外焦平面阵列技术的新进展(Ⅰ)

主要介绍以硅为衬底的非本征硅、金属硅化物（Ｐｄ２Ｓｉ，ＰｔＳｉ和ＩｒＳｉ）肖特基势垒红外探测器、ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ异质结内光电发射红外探测器、硅基红外图象传感器、硅微测辐射热计等红外探测器焦平面阵列的新进展     

军用PtSi-SBIRFPA的新发展

概述了军用热成象系统中硅化铂肖特基势垒红外焦平面阵列（ＰｔＳｉ－ＳＢＩＲＦＰＡ）技术的新发展。     

PtSi红外图像传感器与热像仪

叙述了ＰｔＳｉ肖特基势垒红外图像传感器的性能，评述了国内外ＰｔＳｉ红外图像传感器的发展，介绍了ＰｔＳｉ热像仪的应用及其市场。     

热象仪用的红外阵列

热象仪用的红外阵列红外探测器材料，如ＩｎＳｂ、ＩｎＧａＡｓ、ＨｇＣｄＴｅ和ＰｔＳｉ等，可以做成各种阵列，包括扫描及凝视焦平面阵列和线性阵列。在许多新型工业用热成象产品中，都组装有以焦平面阵列为基础的热象仪。目前，至少已有六种不同的手提摄象机。Ａｍｂｅ...     

使用CMOS读出装置的红外焦平面阵列

本文着重介绍使用ＣＭＯＳ多种传输器读出装置的ＨｇＣｄＴｅ，ＩｎＳｎ，ＰｔＳｉ，ＰｂＳｅ，ＰｂＴｅ和ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多重量子阱中波，长波红外焦平面阵列的现状及性能参数。     

PtSi探测器的长波红外工作

通过使用分子束外延生长技术在ＰｔＳｉ／Ｓｉ界面上加进一足够薄的高掺杂浓度峰，可使ＰｔＳｉ肖特基红外探测器的截止波长延伸至长波红外范围。     

使用CMOS读出装置的红外焦平面阵列

本文着重介绍使用ＣＭＯＳ多路传输器读出装置的ＨｇＣｄＴｅ、ＩｎＳｂ、ＰｔＳｉ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ和ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ多重量子阱中波、长波红外焦平面阵列的现状及性参数。     

室温型热释电红外探测器焦平面列阵新进展

文中介绍了目前室温工作的热释电红外探测器焦平面列阵的国外进展，混合型铁电陶瓷焦平面列阵已进入批量生产阶段，这类焦平面列阵制作的热像仪已于１９９５年进入商品市场，而单片式铁电薄膜红外探测器焦平面列阵还处在实验室研究阶段。     

红外焦平面热像测温仪

红外焦平面热像测温仪红外辐射测温仪采用ＩｎＳｂ焦平面器件，其显示温度高达３００℃，灵敏度高，ＮＥＴＤ达０．０２５℃，可手持，采用电池驱动工作。焦平面列阵有１６０×１２０元和２５６×２５６元两种。红外焦平面热像测温仪...     

Rt／Si 快速热退火固相反应制备超薄PtSi薄膜

对Ｐｔ／Ｓｉ快速热退火固相反庆形成超薄ＰｔＳｉ薄膜进行研究。溅射Ｐｔ薄膜的厚度在５－－２０ｍｍ之间，用ＡＥＳ，ＸＲＤ，ＲＢＳ，ＳＥＭ等分析测试手段对固相反应ＰｔＳｉ薄膜的结构特性进行观测，并对ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ肖特基结电学性能进行了测试。实验结果表明，５５０－－６００快速退火有利于Ｐｔ／Ｓｉ反应形成性能优良的ＰｔＳｉ／Ｓｉ肖特基热垒接触。     

新一代红外探测器：红外焦平面列阵

作为新一代红外探测器，红外焦平面列阵（ＩＲＦＰＡ）以其高灵敏度、高分辨率，在军事和空间高技术的研究和发展中发挥着重要作用，已成为红外光电子技术研究的一个热点和核心课题。当前正在大力发展的ＩＲＰＦＡ有Ｓｉ肖特基势垒，Ｉｎｓｂ、ＨｇＣｄＴｅ、ＣａＡｓ／ＡｌＣａＡｓ多量子阱等。     

监视应用的高性能长波红外HgCdTe扫描焦平面列阵（上）

本文介绍用ＨｇＣｄＴｅ（ＭＣＴ）制备的先进的扫描型长波红外（ＬＷＩＲ）焦平面列阵（ＦＰＡ）。该列阵包含一个与ＳｉＣＭＯＳ读出积分电路匹配的,由正面照射的平面型Ｐ型上为ｎ型的同质结二极管组成的列阵,在６５Ｋ下该列阵所测得的平均光谱截止波长为１０．８μｍ,平均量子效率为８７％,在６５和７８Ｋ温度下和无背景辐射条件下,焦平面列阵的峰值Ｄ分别超过９．３×１０＾１１和２．６×１０＾１１ｃｍ．Ｈｚ＾１／２／Ｗ     

Pt／Si快速热退火固相反应制备超薄PtSi薄膜

对Ｐｔ／Ｓｉ快速热退火固相反应形成超薄ＰｔＳｉ薄膜进行研究。溅射Ｐｔ薄膜的厚度在５～２０ｎｍ之间，用ＡＥＳ，ＸＲＤ，ＲＢＳ，ＳＥＭ等分析测试手段对固相反应Ｐｔｓｉ薄膜的结构特性进行观测，并对ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ肖特基结电学性能进行了测试。实验结果表明，５５０～６００℃快速返火有利于Ｐｔ／Ｓｉ反应形成性能优良的ＰｔＳｉ／Ｓｉ肖特基势垒接触。     

PtSi／Si整流接触的研究

本文对是ＰｔＳｉ／Ｓｉ整流特性的接触进行了详细研究，并试制成功ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ和ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ两种用途不同的肖特基势垒二极管。     

8相位256×256衍射微透镜的设计与制作

介绍了衍射微透镜阵列的设计原理与制作工艺方法，在此基础上研制出适用于 ３～５ μｍ波长２５６×２５６ ＰｔＳｉ红外焦平面的 ８相位 ２５６×２５６硅衍射微透镜阵列，阵列中微透镜的孔径为 ５０μｍ，透镜 Ｆ数为 ｆ／２．５，微透镜阵列的中心距为 ５０μｍ。实测衍射效率大于 ８０％，能在红外波前传感器中较好应用。     

红外摄像机系统

本发明提供一种红外摄像机系统,该红外摄像机系统所用的敏感器件是一个具有许多个探测元件的红外焦平面列阵。工作时,光学系统将目标聚焦在红外焦平面列阵上,该红外焦平面列阵产生输出信号,然后与该红外焦平面列阵相连的信号处理系统再对该输出信号进行处理。该摄像机外壳还连接了一个吸收/发射屏蔽装置,摄像机的光学聚焦系统就固定在该屏蔽装置上。