全国半导体设备和材料标准化技术委员会第九届微光刻技术交流会暨微光刻分技术委员会2019年会在长春召开

<正>全国半导体设备和材料标准化技术委员会第九届微光刻技术交流会暨微光刻分技术委员会年会于2019年9月8—12日在长春市召开,来自全国半导体设备和材料标准化技术委员会微光刻分技术委员会的委员和国内外86家单位微光刻领域的专家及技术人员近160余人参加了本次会议,来自国内外的学者专家聚集到中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,对微光刻技术、微光刻设备和材料技术的发展趋势、最新研究成果及进展等展开深入的交流与探讨。     

微光刻材料标准化研究

为充分发挥好标准支撑、规范、引领产业发展的作用,开展微光刻材料标准的梳理分析工作,对国内现有微光刻材料标准按基础通用、产品、方法进行分类,详细介绍相关标准的具体内容、使用范围等方面,并与国外相关标准进行对比,综合分析我国微光刻材料标准在掩模基片和抗蚀剂两大领域的优势和短板,为未来我国微光刻材料标准的发展提供参考。     

微光刻领域的标准化及学术交流

全国半导体设备和材料标准化技术委员会微光刻分技术委员会是在中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会领导下,在全国半导体设备和材料技术领域从事微光刻标准化工作的组织。全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203,National Standardization Technical Committee for Semiconductor Equipment and Materials)     

光学曝光与X射线曝光的竞赛前景

<正> 微光刻技术已进入亚微米尺寸加工时代,八十年代末即可使高密度集成电路—4兆位动态RAM和1兆位静态RAM存储器付诸生产。对集成密度的需要将要求曝光装置在九十年代就能大批量生产0.5μm及更小线宽的图形。光学曝光具有0.5μm尺寸的生产能力。作为一种适合于大生产用的竞争技术,X射线曝光也进入了实验考核阶段。是否会在九十年代出现一个从光学曝光转向X射线曝光的大突破,就取决于竞争双方各自的技术性能和经济效益了。     

一种新的亚微米制造技术

已经研制成功一种制作亚微米线宽和器件的新技术。此技术不需要电子束或其它外加的刻蚀技术,而只用常规光刻法和一次边缘选择镀工序。在此工序中,把金属镀到已刻图案的金属层的边缘上。然后,此已镀边缘作为下步等离子腐蚀的掩模,以腐蚀其下层的导体或介质。此技术作出的线宽小至0.04微米,并能用来制造多种微波器件。特别是已用它来制作栅长为0.1微米的镀金铬栅 GaAsMESFET。此法所得 GaAsMESFET 的性能,比得上用比较复杂和花费大的制作栅图案技术制造出来的器件。譬如,在离子注入的 GaAs 上制作的5微米源-漏间距,0.3微米栅长和250微米栅宽的 MESFET,12千兆赫下最大可用增益超过10分贝。     

CRT 分辨率测量用的矩形光栅探讨

我们设计出一种应用空间频率响应法测量 CRT 光点尺寸的新型矩形光栅。结构设计是以符合傅里叶变换原理的一种新概念为依据的。本文介绍了结构设计的细节。新光栅已成功地用在配有微机自动处理测量数据的微光点分析仪上,可测的光点尺寸范围为8—322微米。多次重复测量光点的尺寸,其离散度低于2％。结果表明,这种新光栅结构特别适用于配有微机的微光点分析仪,来测量高分辨率小型 CRT 的光点尺寸。     

自动刻图中的误差分析

在声表面波工艺中,原图位置误差对器件性能的影响是显著的,已经报导了用解析法和模拟法对器件性能与制造公差关系所作的研究,结果表明造成指位误差的一个重要原因是刻图误差。分析了一般手工刻图的误差原因,认为研制适于SAW刻图特点的控制机改造手工刻图以提高刻图精度是十分必要的。本文扼要介绍了SKK-1型刻图控制的结构及主要指标。讨论了试刻图中存在的若干问题及对原图误差的影响。说明了试刻线条的取样方法给出了测量结果,试用的结果表明刻图的相对和绝对误差值均为微米量级。     

飞秒激光加工微光学元件的研究

利用低功率飞秒激光振荡器进行材料表面加工的研究并将其应用于微光学元件的加工制作领域;对飞秒激光倍频光以及飞秒激光与光刻胶材料相互作用进行了实验;以光刻胶作为牺牲层进行表面加工获得了各种玻璃光栅及光掩模板;利用光学显微镜和原子力显微镜(AFM)对实验结果进行检测,得到微米量级的特征线宽;所得光栅的光学性能通过He-Ne激光器进行检测,实验结果与理论值一致。该研究为微光学元件的加工制作提供了新的方法。     

三维微光学元件的应用

德国汉堡爱尔兰根大学物理研究所的K. H. Brenner等人研究了用三维微光学元件使大型光学系统小型化的问题。由于微光学元件通常与平面光波导或集成光路有关,所以光传输被约束在一维或二维光路中。光在三维光路传输的特点并没受到人们重视。他们研究了用光刻、电铸和塑模技术制造的     

基于数字微镜的高质量精缩投影光刻系统的研制

文章详细介绍了数字微镜系统总体设计,并进行了实验验证。数字微镜如果结合高质 量的高倍精缩投影光学系统,完全可实现亚微米级衍射微光学元件的制作。最后对系统特点和系统误差进行了总结。     

国外光学微细加工设备集锦

<正> ALS Lasertep 200机是GCA公司1988年初投放市场的第二代准分子激光分步投影曝光设备。它采用KrF准分子激光源和自行设计的Fropol—2144KrF镜头,曝光波长248毫微米,数值孔径0.44,视场尺寸15×15平方毫米,分辨率为0.4微米。其同机套刻精度0.13微米,异机套刻精度0.16微米,最大加工片径为200毫米,每小时可曝光六英寸圆片33枚。售价216万美元。     

193 nm浸液式光刻技术现状

概述了193nm浸液式光刻技术发展现状及技术路线,结合国际半导体技术发展指南(ITRS)和各公司在SPIE微光刻研讨会上宣布的最新研究成果,探讨了193nm浸液式光刻技术的发展趋势。     

国外简讯

与用户要求相适应的LSI集成度,应该无限制地提高,但在此竞赛中缩小技术和光刻是关系到胜负的关键。 为了把集成电路的尺寸进一步缩小,人们将微米、亚微米作为研究对象,在国际电子器件会议上发表了很多这方面的技术成果。 受到美国政府援助的VHS1C(超高速集成电路)计划正进入第一期工作,把解决1.25微米的技术问题作为目标。以后再继续进行亚微米水平的研制。 缩小尺寸会带来很多新容题,如软误差、互连、噪声客限、电磁干扰效应及射线影响等。     

名词木语释义

———光刻法利用光学方法将计算机上设计的图形结构毫无磨损、毫无破坏地传送到基片上的方法称为光刻法。只有利用光刻法,利用光和微粒子射线而非机械刀具,才可能制造出临界尺寸在亚微米范围内的结构。无论是硅微机械、活性离子刻蚀还是LIGA工艺,光刻法都可能是微电子学和微系     

微光学元件

远在20世纪80年代,长距离通信工业是最先使用微光学元件的产业之一.半导体激光器、微光学元件和光纤集成为小的组件,成为高效光学网络的经济基础.今天,微光学元件已是畅销商品,并在许多工业领域中成为关键的组成部分,其增长率高于工业平均增长率.基于微电子工业的经验,几家研究所和公司研究了用光刻法加工小透镜的技术,也就是用光能刻蚀和熔融玻璃或光刻胶.这些单位一方面加工生产直径小到几μm的可复制的结构,但另一方面其有限的光学质量又限制了应用的数量.正在研究的高分辨率微机械设备将为透镜、棱镜和反射镜形成轮廓分明的光学结构开辟新的可能性.此外,生产的微光学元件不仅可以当作单独的透镜系     

CIF数据格式转换成PG3600数据格式的新切割算法

为了编制能够运行于Windows操作系统且又能够挂靠在L-EDIT数据格式上的转换软件,提出了一种新的将微光刻图形CIF数据格式转换为PG3600数据格式的图形切割算法———沿边切割法,重点讨论了圆形和多边形切割成矩形的具体算法,并与其它几种常见的切割算法进行了比较,表明该算法对于不规则图形的切割具有明显的优越性。     

光刻1微米线宽的相关技术

光刻技术是发展超大规模集成电路的关键技术。光刻线宽随着DRAM集成的提高而进一步变细,现已突破了0.35微米的屏障。本文论述了曝光系统中镜头的数值孔径,曝光射线的波长及抗蚀剂特性对光刻1微米线宽或亚微米线宽的重要影响。     

微光刻与微/纳米加工技术

介绍了微电子技术的关键工艺技术——微光刻与微/纳米加工技术,回顾了中国制版光刻与微/纳米加工技术的发展历程与现状,讨论了微光刻与微/纳米加工技术面临的挑战与需要解决的关键技术问题,并介绍了光学光刻分辨率增强技术、下一代光刻技术、可制造性设计技术、纳米结构图形加工技术与纳米CMOS器件研究等问题。近年来,中国科学院微电子研究所通过光学光刻系统的分辨率增强技术(RET),实现亚波长纳米结构图形的制造,并通过应用光学光刻系统和电子束光刻系统之间的匹配与混合光刻技术及纳米结构图形加工技术成功研制了20～50nm CMOS器件和100nm HEMT器件。     

微光夜视仪的作用距离估算与仿真

微光夜视仪是一种重要的夜视光电器材,而作用距离是其重要的性能参数之一。本文针对微光夜视仪的视距估算,分析比较了极限分辨率曲线法、光子受限法和修正的光子受限法等三种方法的视距估算原理,并利用VB语言编程开发了视距估算软件。实验结果验证了微光夜视仪作用距离估算模型的有效性。     

折射微光学结构出射复杂光学波前

通过单掩模紫外(UV)光刻、感应耦合等离子体(ICP)刻蚀及KOH:H<,2>O化学腐蚀,在硅片上制作5×5元面阵硅折射微光学结构.通过电化学方法将制成的硅精细图形结构转换成镍版,进而通过压制法将精细的镍版图形进一步转印到有机玻璃材料上,从而制成面阵光学波前出射结构.光刻版由结构尺寸在微米量级的大量微孔组成,其特征尺度和排布方式由算法生成.微形貌测试显示了制作的折射微光学波前出射结构具有预期的表面形貌特征.通过常规光学测试,比较和分析了出射复杂波前的情况.