铜钨触头材料真空灭弧室的容性开断能力

我们对铜钨触头材料和铜铬触头材料的２４ｋＶ真空灭弧室模型进行了并联电容器开断试验。铜钨触头材料的重击穿概率低于鲷铬触头材料的重击穿概率。除了大电流开断能力，铜钨触头材料在并联电容器开断上也是性能非常优良的首选材料。     

硅通孔尺寸与材料对热应力的影响

通过有限元分析研究了单个硅通孔及两片芯片堆叠模型的热应力。采用单个硅通孔模型证实了应力分布受填充材料(铜,钨)的影响,提出钨在热应力方面的优越性,确定了硅通孔尺寸(通孔直径、深宽比等因素)与热应力大小间的对应关系。为寻找拥有最佳热应力的材料组合,采用两片芯片堆叠的二维模型,对常用材料的组合进行了仿真分析,发现以二氧化硅为隔离层,钨为填充金属,锡为键合层的模型具有最理想的热应力特性,此外,铜、ABF以及锡的组合也表现出良好的热应力特性。     

一种环状钡钨阴极发射体制造新方法

通过分析传统环状钡钨阴极发射体制造工艺的优缺点,结合实际生产工艺需要,总结出一种新的钡钨阴极海绵钨环制造工艺,避免了传统浸铜工艺造成的铜残留,提高了阴极性能,延长了磁控管的寿命。     

铜钨合金在快速加热后水冷热冲击下的实验研究

为了更加清晰地了解铜钨合金在热冲击测试的性能以及实际应用效果,针对该材料快速加热后水冷热冲击进行仿真实验。首先介绍了铜钨合金快速冷热冲击测试装置,阐述了其结构构成;其次设计铜钨合金在快速加热之后水冷热冲击的实验过程,确定实验条件、实验流程与机械设备参数;最后总结实验结果与结论,掌握铜钨合金机械性能、热应力在实验中的变化,发现铜钨合金在反复受到热冲击之后的性能与参数的改变规律,旨在优化和充分发挥铜钨合金材料的应用性能。     

铜/钨合金底座有助于激光二极管散热

除传统的微电子模片包装散热法外,越来越多的应用要求用铜/钨合金制作半导体激光二极管的底座和辅助底座。现在,大多数半导体激光二极管都装在铜/钨合金制成的底座和辅助底座上。伴随着模片尺寸增大的趋势,散热片和模片间热膨胀匹配的提高和功耗的要求,铜/钨合金已成为包装激光二极管的选择,对于任一方向尺寸大于1000μm的模片尤为理想。铜/钨合金提供了所需的散热和良     

钨电极材料的发展状况和使用

本文简单介绍了钨电极材料的种类，性能特点，生产方法，讨论了影响钨电极使用性能的因素，提出了对电极研究和开发的建议。     

经次秒加热法处理后的钨及钍—钨电极中的物理变化

钨及钍钨杜一般用作氩弧焊的阴极部分。虽然研究人员还不太了解其工作原理，但钍钨电极具有比纯钨电极更为长久的使用寿命。运用次秒脉冲加热技术研究人员将两种类型的电极试样加热至钨熔点。运用电镜法以及Ｘ－射线分析法检验试样，并将结果与未加热的电极试样作比较。结论是：二氧化钍颗粒形状有明显的物理变化，但并未发现二氧化钍的还原反应。     

铝酸盐钡钨阴极的排铜与浸渍工艺的实验

为了满足氩、氪离子激光器的功率及各方面性能要求的提高，我们研制了浸渍型铝酸盐钡钨阴极。排铜与浸渍工艺是浸渍钡钨阴极在烧氢炉中进行的关键性工序，若规范制定不当则严重影响阴极的使用性能。我们进行了多次实验．摸索出了可行的规范，得到了满意的浸渍表面。     

钨盘结构的氩离子激光管在长春研制成功

1985年12月27日,我国第一支钨盘结构的氩离子激光管由吉林省激光研究所和东北师范大学物理系联合研制成功。该激光管是一支实验管。它由阴极、阳极、二百毫米长的放电管和二个布氏窗组成。用直径35毫米的95氧化铝陶瓷管做管体,由一组互相绝缘的焊在无氧铜散热环上的钨片做放电等离子体的约束体,无氧铜散热环焊在陶瓷管上。该管在放电电流为35安培时输出功率为420毫瓦(放     

电子封装中钨铜材料的钎焊问题研究

本文主要叙述电子封装中钨铜材料钎焊工艺中焊缝及材料腐蚀等质量缺陷，分析研究了各种焊接缺陷出现的原因及现象，解决电子封装中钨铜材料钎焊工艺中出现的各种焊接外观的问题。     

Al_2O_3/WCu封装的残余应力有限元分析

采用ABAQUS有限元模拟软件,建立氧化铝陶瓷-钨铜金属功率集成电路外壳的三维计算模型,对其钎焊封装的残余应力进行模拟计算,并系统地分析了外壳设计因素和钎焊因素对封装的残余应力分布及大小的影响。结果表明,氧化铝陶瓷-钨铜金属外壳封装的残余应力存在应力集中现象,主要集中在封接区域;瓷框和底座的厚度比、封接宽度、瓷框倒角半径及钎焊降温速率等因素对其应力分布和大小都有一定的影响。研究结果对外壳封装的可靠性评估和优化设计有一定的指导意义。     

陶瓷PTCR化学镀铜电极溶液中络合剂的作用

通过热力学平衡的方法,研究了在ＢａＴｉＯ３系陶瓷ＰＴＣＲ上进行化学沉积金属电极时常用的酒石酸盐－铜离子和乙二胺四乙酸钠盐（ＥＤＴＡ）－铜离子体系化学镀铜溶液中各种型体铜离子的分布。实验表明,加入络合剂会影响化学镀铜的速度。文章研究的络合剂酒石酸盐和ＥＤＴＡ会使化学镀铜速度明显下降,这可能是由于空间位阻的原因。通过研究表明,选择合适的络合剂对于化学镀铜的稳定操作,意义十分重大。     

电子封装和热沉用钨铜材料

随着大规模集成电路和大功率电子器件的发展,20世纪90年代钨铜材料作为新型电子封装和热沉材料得到了发展,并以其明显的优势得到日益广泛的应用。目前钨铜材料主要用于大规模集成电路和大功率微波器中作为基片、热控板、热沉材料和引线框架等,被誉为第二代封装和热沉材料。     

用于浸渍阴极的钨海绵基体制备

微波真空电子器件广泛应用于卫星通信及未来军事前沿的高功率微波武器等方面,这些器件需要电流发射稳定、蒸发小、寿命长的浸渍阴极,进而对浸渍阴极钨海绵基体制备工艺提出了很高要求。本文首先利用分级技术对钨粉进行了分级,制备出流动性好颗粒均匀的钨粉。采用气体纯化与检测系统,可以除掉氢气中残余的氧和水,使氢气的露点降至-90℃以下,为制备无氧化的钨海绵基体提供良好的烧结气氛。采用真空去铜技术,制备出表面非常光洁,没有任何污渍和杂质沉淀的阴极基体,利用X射线能量色散谱(EDX)分析了制备的阴极基体断面,结果表明新方法达到了传统化学去铜及再高温去铜后的效果,新方法更节省时间,更环保。通过调节烧结时间和烧结气氛可以制备出微波器件所需的孔度适宜、闭孔率低的阴极基体,为制备低蒸发、长寿命微波器件的阴极打下基础。     

碲化钨薄膜的红外近场光学成像

研究了过渡金属硫族化合物碲化钨的近场光学响应,通过Drude-Lorentz模型拟合得到其块材在室温下的介电常数,并利用有限偶极模型计算出碲化钨样品与金刚石基底的近场散射信号比。当样品边缘未出现散射信号增强时,实验结果与理论模型符合较好;当样品边缘出现信号增强现象时,理论模型与实验观测结果不符,说明这部分样品的光学性质并不能完全由块材所描述,从而推测样品表面具有与块材无耦合作用的碲化钨纳米薄层,同时对在样品边缘很强的近场散射信号给出了可能的解释。这个工作为今后对拓扑材料的光学研究提供了参考。     

钛酸锶双功能元件电极的研究

研究了电极的烧结温度、保温时间对其性能的影响。对电极的焊接性能做了大量实验研究,指出了铜、银电极在焊接方面表现出性能差异的主要原因在于银电极与基片之间形成的是非欧姆接触,而铜电极则形成了欧姆接触。同时分析了银电极形成非欧姆接触的原因,并提出了解决办法。     

运用铬钨合金提升四层膜系结构的宽光谱光热转换效率（英文）

基于铬钨合金能带结构的研究,得到了可表述任意铬钨合金组分光学性质的数学模型,并将其应用于实际光热器件特性分析.根据由模型获得特定组分铬钨合金的光学性质,设计了一个含有单层铬钨合金吸收层的四层膜结构,显示出优异的宽光谱(300～1 000 nm)光热转换性能.     

运用铬钨合金提升四层膜系结构的宽光谱光热转换效率

基于铬钨合金能带结构的研究,得到了可表述任意铬钨合金组分光学性质的数学模型,并将其应用于实际光热器件特性分析.根据由模型获得特定组分铬钨合金的光学性质,设计了一个含有单层铬钨合金吸收层的四层膜结构,显示出优异的宽光谱(300～1 000 nm)光热转换性能.     

3D堆叠芯片硅通孔的电-热-力耦合构形设计

建立了3D堆叠芯片硅通孔(TSV)单元体模型,在单元体总体积和TSV体积占比给定时,考虑电-热-力耦合效应,以最高温度、(火积)耗散率、最大应力和最大形变为性能指标,对TSV横截面长宽比和单元体横截面长宽比进行双自由度构形设计优化.结果表明,存在最佳的TSV横截面长宽比使得单元体的最高温度、(火积)耗散率和最大应力取得极小值,但对应不同优化目标的最优构形各有不同,且TSV两端电压和芯片发热功率越大,其横截面长宽比对各性能指标的影响越大.铜、铝、钨3种材料中,钨填充TSV的热学和力学性能最优,但其电阻率较大.铜填充时,4个指标中最大应力最敏感,优先考虑最大应力最小化设计需求以确定TSV几何参数,可以较好兼顾其他性能指标.     

钨带冷弯时断裂原因分析

钨带在90°弯曲时发生断裂,通过分析发现,断裂钨带碳含量偏高,断口处分层并呈蜂窝式片状形貌,断口附近金相组织也显示出明显的带状组织,断口处组织呈纤维状,断口为脆性断口。建议将材料含量控制在0.0050%以下,在90°弯曲时加热,加热温度在650～800℃,以降低钨带的脆性,增加弯曲时的韧性,提高成品率。