无需帧同步保密机中有关问题的研究及时频算法

详细介绍异步置乱体制中，帧同步分析，置乱矩阵，密钥量及时域算法。     

无需帧同步保密机中有关问题的研究及时域算法

详细介绍异步置乱体制中，帧同步分析，置乱矩阵，密钥量及时域算法。     

用于语音置乱的数论变换

本文以数论变换中应用较广的Fermat变换为对象,分析了用于语音模—数—模置乱的数论变换;讨论了Fermat变换的参数选取及计算问题;进行了将其用于语音置乱的仿真实验和信道适应性实验,并对实验作了较详细的讨论。     

异步模-数-模语音加密中的伪频插入置乱方法

本文在L.s.Lee(1984,1986)异少模-数-模语音加密方案的基础上提出了自适应伪频插入置乱方法。这种方法有利于降低密话节奏感,提高异步加密方案的保密性,且可保证良好的恢复话音质量。     

SiC(0001)面和(000-1)面CMP抛光对比研究

研究了SiC衬底(0001)面和(000-1)面不同的CMP抛光特性.分别采用pH值为10.38和1.11的改性硅溶胶抛光液对SiC衬底的(0001)Si面和(000-1)C面进行对比抛光实验.使用精密天平测量晶片抛光前后的质量,计算出CMP抛光工艺的材料去除速率.并使用强光灯、微分干涉显微镜和原子力显微镜检测晶片表面质量.发现采用酸性抛光液和碱性抛光液进行抛光,均有Vc＞Vsi;而对于(0001) Si面,有Vsi 酸＞Vsi碱;对于(000-1)C面,有Vc酸＞Vc碱.该结论对于探索最佳碳化硅的CMP抛光工艺具有较高价值.     

SiC(0001)面和(000-1)面CMP抛光对比研究

研究了SiC衬底(0001)面和(000-1)面不同的CMP抛光特性。分别采用pH值为10.38和1.11的改性硅溶胶抛光液对SiC衬底的(0001)Si面和(000-1)C面进行对比抛光实验。使用精密天平测量晶片抛光前后的质量,计算出CMP抛光工艺的材料去除速率。并使用强光灯、微分干涉显微镜和原子力显微镜检测晶片表面质量。发现采用酸性抛光液和碱性抛光液进行抛光,均有VC>VSi;而对于(0001)Si面,有VSi酸>VSi碱;对于(000-1)C面,有VC酸>VC碱。该结论对于探索最佳碳化硅的CMP抛光工艺具有较高价值。     

呼吸道合胞病毒M2-1基因转染人肺腺癌细胞(PAa)后的电镜观察

目的：探讨呼吸道合胞病毒(RSV)M2-1基因致癌的超微形态学依据。方法：应用超薄切片电镜技术时比观察RSV M2-1基因转染前后人肺腺癌细胞(PAa)的超微结构改变。结果：转染后肺腺癌细胞(PAa／M2-1)呈现低分化超微结构特征：细胞膜表面微绒毛减少或缺如;细胞核明显增大,核浆比例增大,多见畸形核和双核,并可见巨大或多个核仁。核膜不规则,呈锯齿状或佛手状,核质富含常染色质。癌细胞胞浆少,以游离核糖体为主,其他细胞器稀少。偶见癌细胞凋亡。未转染肺腺癌细胞(PAa)呈现高分化超微结构特征：细胞表面有许多微绒毛;胞浆内有较多发育完好的细胞器。结论：RSVM2-1基因的转染和表达可诱导和促进PAa细胞去分化,其变化的分子机理有待进一步探讨。     

MOCVD生长的Ⅱ-Ⅵ族化合物固溶体组分的热力学分析——I.ZnS_xSe_(1-x)体系

金属有机化学汽相淀积(MOCVD)通常被认为是一个非平衡过程。然而在生长速度的扩散控制区,可以假定在汽-固界面存在平衡。本文用平衡模型计算了用二甲基锌(DMZ)或二乙基锌(DEZ)与硫化氢和硒化氢为源,生长ZnS_xSe_(1-x)三元合金时,各反应参数对固溶体组分的影响。本模型考虑了汽相中H_2S和H_2Se的热分解,固溶体的非理想行为,计算了生长温度、压力、输入反应室的、[Ⅵ/Ⅱ]比和初始氢含量对固溶体成分的影响,并把计算值与实验结果进行了比较。     

氦氖激光照射对兔正畸牙周组织中胰岛素样生长因子-1(IGP-1)的表达影响

目的:研究氦氖激光对兔正畸牙周组织胰岛素样生长因子-I(1GF-1)表达的影响。方法:选择体重(1.5±0.2)Kg的健康的日本大耳白兔,随机分为1、3、5、7、14、21d组,每组3只,共18只。建立正畸牙移动模型,对实验动物右上颌第一磨牙相应的颊部进行氦氖激光照射,左侧为对照侧,自身对照研究。于标本处理后,进行IGF-1的免疫组化染色;对染色结果进行图象分析与统计学分析。结果:氦氖激光照射侧IGF-1免疫组化染色阳性细胞数量在张力区的表达均高于对照侧,3天、5天及7天组张力区IGF-1的表达与对照侧差异性显著;在照射侧和对照侧的压力区IGF-1的表达未见显著性差异。结论:氦氖激光照射明显促进了IGF-1在兔正畸牙周组织张力区的表达。     

Ba_(6-3x)(Nd_(1-y)Bi_y)_(8+2x)Ti_(18)O_(54)系微波介电陶瓷的研究

研究了Ba_(6-3x)(Nd_(1-y)Bi_y)_(8+2x)Ti_(18)O_(54)(x=0～1)陶瓷微波性能,并对其微观机理和晶体结构进行分析.随Bi_2O_3含量的增加,系统介电常数(ε)迅速增大,品质因数与频率的乘积(Q·f)逐渐减小.掺入Bi_2O_3后,系统中出现具有高ε的Bi_4Ti_3O_(12)晶相,并形成了类填满型钨青铜结构,阳离子极化增强,因此ε随Bi_2O_3含量的增加而增大.实验表明,当y=0.25～0.3时,Ba_(6-3x)(Nd_(1-y)Bi_y)_(8+2x)Ti_(18)O_(54)(x =0～1) 陶瓷具有优良的微波介电性能,其主要工艺条件和性能参数为烧结温度1 200 ℃保温4 h,ε≈102～107,Q·f≈20 000～22 000 GHz(1 GHz测量), 容量温度系数|αc|<10×10~(-6)/℃.     

一种新的Y_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)薄膜三端器件

设计研制了一种新的YBCO薄膜三端器件,该器件利用半导体硅薄膜与YBCO薄膜相接触,从而发现了微弱信号下的开关和放大效应.器件能在液氮或室温工作.器件制造工艺简单.     

~(19)F~+离子注入Pb_(1-x)Sn_xTe,CdTe和Si材料中氟的深度分布研究

采用共振能 E_R=872.1 keV,宽度 Γ=4.2 keV的~(19)F(P,αγ)~(16)O共振核反应测定了~(19)F~+离子注入Pb_(1-x)Sn_xTe、CdTe和Si衬底中氟的深度分布.用参考函数和参数优选法对实验测得的激发产额曲线进行去卷积计算,从而求得了氟的真实深度分布,同时确定了~(19)F~+离子注入Pb_(1-x)Sn_xTe、CdTe和Si材料中投影射程分布参数 R_p,△R_p和 SK.理论上计算了上述射程分布参数.实验与理论结果比较表明.R_p和△R_p的实验值与理论值符合得较好.文中讨论了利用共振核反应技术研究低速离子在固体材料中阻止本领的可能性.     

AgIn共掺杂(AgIn)xPb1-2xTe化合物的合成及热电传输性能

用高温熔融法合成了Ag和In共掺的单相n型(AgIn)xPb1-2xTe化合物,研究了(AgIn)掺杂量x对(Ag-In)xPb1-2xTe(x=0.01～0.05)物相组成及热电性能的影响.结果表明:掺杂量x≤0.04时得到单相四元化合物,x=0.05时样品中出现了组成为AgInTe2第二相;(AgIn)xPb1-2xTe化合物的Seebeck系数随着x增加而增大,电导率随着掺杂量x增加而降低;化合物的热导率随着掺杂量x增大而减小;当x=0.01时,(AgIn)xPb1-2xTe化合物的热电性能指数值最大,在800K时达到1.1.     

AgIn共掺杂(AgIn)xPb1-2xTe化合物的合成及热电传输性能

用高温熔融法合成了Ag和In共掺的单相n型（AgIn）x Pb1-2x Te化合物,研究了（AgIn）掺杂量x对（AgIn）x Pb1-2x Te（x=0.01～0.05）物相组成及热电性能的影响.结果表明：掺杂量x≤0.04时得到单相四元化合物,x=0.05时样品中出现了组成为AgInTe2第二相;（AgIn）x Pb 1-2x Te化合物的Seebeck系数随着x增加而增大,电导率随着掺杂量x增加而降低;化合物的热导率随着掺杂量x增大而减小;当x=0.01时,（AgIn） x Pb1-2x Te化合物的热电性能指数值最大,在800K时达到1.1.     

NCl(a~1Δ)自猝灭对其生成和传输的影响

利用一维预混合反应模型,对全气相碘激光(AGIL)的储能粒子NCl(a1Δ)的自猝灭反应对其生成和传输的影响进行了模拟计算。计算结果表明,NCl(a1Δ)的自猝灭反应是影响其生成和传输的主要因素;采用最新测得的自猝灭反应常数,NCl(a1Δ)自猝灭反应对其生成和传输的影响程度有大幅度降低,但仍然是主要的影响因素。为了提高NCl(a1Δ)的生成传输效率和准确分析评估AGIL,有必要进一步深入开展NCl(a1Δ)自猝灭常数及其与温度关系的测定工作。     

NCl(a1△)自猝灭对其生成和传输的影响

利用一维预混合反应模型,对全气相碘激光(AGIL)的储能粒子NCl(a1△)的自猝灭反应对其生成和传输的影响进行了模拟计算.计算结果表明,NCl(a1△)的自猝灭反应是影响其生成和传输的主要因素;采用最新测得的自猝灭反应常数,NCl(a1△)自猝灭反应对其生成和传输的影响程度有大幅度降低,但仍然是主要的影响因素.为了提高NCl(a1△)的生成传输效率和准确分析评估AGIL,有必要进一步深入开展NCl(a1△)自猝灭常数及其与温度关系的测定工作.     

H原子在Si(111)-7×7表面吸附的STM研究

利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM),在液氮(78K)及液氦(4.2K)低温条件下研究了H/Si(111)-7×7吸附体系.H原子易于吸附在表面增原子(adatom)以及剩余原子(rest atom)的位置,导致表面局域电子态密度(LDOS)和STM图像发生明显的变化.利用扫描隧道谱技术(STS)测量获得了H吸...     

衬底温度和生长速率对MBE自组织生长In_xGa_(1-x)As/GaAsQD的影响

研究GaAs基InxGa1-xAs/GaAs量子点(QD)的MBE生长条件,发现在一定的/比下,衬底温度和生长速率是影响InxGa1-xAs/GaAsQD形成及形状的一对重要因素,其中衬底温度直接影响着In的偏析程度,决定了InxGa1-xAs/GaAs的生长模式;生长速率影响着InxGa1-xAs外延层的质量,决定了InxGa1-xAs/GaAsQD的形状及尺寸.通过调节衬底温度和生长速率生长出了形状规则、尺寸较均匀的InxGa1-xAs/GaAsQD(x=0.3)     

Bi(GaxFe1-x)O3-PbTiO3高温压电陶瓷的结构和介电性能

采用传统固相反应法制备了0.4Bi(GaxFe1-x)O3-0.6PbTiOa (BGF-PT) (x=0.05,0.25,0.40,质量分数)陶瓷.BGF-PT呈四方相钙钛矿结构,四方畸变度c/a比约为1.09.当x(Ga) =25％时,BGF-PT陶瓷的晶粒分布均匀,Fe元素在局部区域无明显富集,该组分陶瓷在室温下具有最优的介电性能,居里温度为572℃.BGF-PT陶瓷在较低温度和高温下的载流子分别为电子和氧空位.Ga元素的引入抑制了电子电导和氧空位离子电导,降低了BGF-PT陶瓷的交流电导率.