进一步提高氢离子敏场效应晶体管稳定性的研究

本文提出了关系到ＩＳＦＥＴ不稳定性的三个原因：（一）Ｓｉ＿３Ｎ＿４膜表面或其缓冲溶液中。停留的羟基团是非常活泼，容易增加或失掉电子．这是氢离子敏ＦＥＴ传感器长期不稳定性的原因．（二）氢离子敏ＦＥＴ传感器的稳定性，随着ＩＳＦＥＴ的制作过程中沉淀条件而变化，这也是ＩＳＦＥＴ不稳定性的另一原因．（三）缓冲溶液的ｐＨ随着测量过程和时间而变化，这也助长了氢离子敏ＦＥＴ传感器的不稳定性，但不是ｐＨ－ＩＳＦＥＴ本身的不稳定性原因．我。们利用了再调整和控制羟氨基团比率的技术来提高ＩＳＦＥＴ的稳定性．这种改进稳定特性的技术     

氟离子敏感场效应晶体管的研究

本文叙述了氟离子敏感场效应晶体管的原理,测试及其结果。这种对氟离子敏感的器件是用溅射的方法,在场效应晶体管的栅极上淀积一层很薄的氟化镧膜制成的。测试结果表明,这种器件灵敏度高,响应快,线性好。本文还从实验出发,对影响器件的稳定性和重复性的原因做了推测。     

一种CMOS工艺离子敏场效应型晶体管的模型

采用CMOS工艺可以实现离子敏场效应型晶体管(ISFET),若在栅极氧化层之上保留多晶硅层,并通过引线使其与 外界的金属层相连作为悬浮的栅极,可实现悬浮栅结构ISFET.从ISFET的传感机理出发,根据表面基模型,利用HSPICE建 立了悬浮栅结构ISFET的物理模型.以该模型为研究对象,探讨了薄膜等效电阻、薄膜等效电...     

CMOS场效应晶体管的发展趋势

自从1947年第一支晶体管的发明，半导体集成电路在二十世纪的后三十年有了一个极大的发展。这个发展极大的推动了世界性的产业革命和人类社会的进步。今天在我们每个人的日常生活中，英特网，手机的普及和计算机在各个领域的大量应用，已经使我们进入了信息时代。在这中间起决定性作用的是在硅晶片上工作的CMOS场效应晶体管的发明.     

非晶硅场效应晶体管静态特性的非模型分析

本文介绍一种分析非晶硅场效应晶体管静态特性的非模型方法.它与传统的模型分析方法不同.不要求知道非晶硅隙态密度分布g(E)的具体形式,而只需假定g(E)是连续函数.据此可得到该器件的I-V特性方程.它是一个无穷级数,但就实际应用精度而言,它可用一个多项式近似表示,而且它的第一项是与单晶硅MOSFET的I—V特性方程(非饱和区)相似.这个方程特别适合于描写双极性非晶硅场效应晶体管的静态特性.     

一种新型隧穿场效应晶体管

提出了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET)结构,该结构通过在常规TFET靠近器件栅氧化层一侧的漏-体结界面引入一薄层二氧化硅(隔离区),从而减小甚至阻断反向栅压情况下漏端到体端的带带隧穿(BTBT),减弱TFET的双极效应,实现大幅度降低器件泄漏电流的目的。利用TCAD仿真工具对基于部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)和全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)的TFET和新型TFET结构进行了仿真与对比。仿真结果表明,当隔离区宽度为2 nm,高度大于10 nm时,可阻断PDSOI TFET的BTBT,其泄漏电流下降了4个数量级;而基于FDSOI的TFET无法彻底消除BTBT和双极效应,其泄漏电流下降了2个数量级。因此新型结构更适合于PDSOI TFET。     

两种功率场效应晶体管的比较

介绍FAIRCHILD公司的A-FET类和B-FET类功率器件，分析它们的结构、特点及参数的异同，为整机设计用户提供参考。     

LB 膜击穿特性的研究

LB膜是新一代的超薄有机膜,利用LB技术可以制成半导体、绝缘体等各种超薄有机膜。通过对硬酯酸LB绝缘膜的击穿特性粗浅的讨论,可以看出LB绝缘膜确是一种绝缘强度高、缺陷密度低的优质薄膜。     

微波功率场效应晶体管放大器的实验研究

本文阐述了微波功率场效应晶体管(FET)放大器的设计基础──动态阻抗测量法和S参数测量法。输入榆出匹配电路是采用电感输入型低通滤波阻抗变换器;介绍了FET功率放大器(以下简称功效)的调试要点、保护电路和消除寄生振荡的方法;最后给出国产BD4001型FET的设计实例。用微带工艺在30×50×1mm陶瓷基片上制作的E波段功放,获得了与计算结果吻合的实验数据,并已作为FET功放的第一级运用于某型雷达,获得了良好的结果。     

基于电荷流动晶体管的新型气敏传感器

在通常的MOSFET基础上,根据电荷流动电容器原理,设计了一种新型的栅区开槽的电荷流动场效应管(CFT),并以一种新型有机半导体材料--三明治型稀土金属元素镨双酞菁配合物(Pr[Pc(OC8H17)8]2为气敏材料,取代栅极中的间隙位置.利用LB超分子薄膜技术,将Pr[Pc(OC8H17)8]2以1∶3的配比与十八烷醇(OA)混合的LB多层膜(Pr[Pc(OC8H17)8]2-OA)拉制在CFT上,形成了一种新型的具有CFT结构的LB膜NO2气敏传感器.当对该器件加一栅压VGS时(大于阈值电压),由于高阻敏感膜充电达VGS需要一段时间,因而漏电流出现延迟现象.这种弛豫与NO2气体浓度有关,室温下探测灵敏度可达5ppm NO2.     

基于电荷流动晶体管的新型气敏传感器

在通常的 MOSFET基础上 ,根据电荷流动电容器原理 ,设计了一种新型的栅区开槽的电荷流动场效应管(CFT) ,并以一种新型有机半导体材料——三明治型稀土金属元素镨双酞菁配合物 (Pr[Pc(OC8H1 7) 8]2 为气敏材料 ,取代栅极中的间隙位置 .利用 L B超分子薄膜技术 ,将 Pr[Pc(OC8H1 7) 8]2 以 1∶ 3的配比与十八烷醇 (OA)混合的 L B多层膜 (Pr[Pc(OC8H1 7) 8]2 - OA)拉制在 CFT上 ,形成了一种新型的具有 CFT结构的 L B膜 NO2 气敏传感器 .当对该器件加一栅压 VGS时 (大于阈值电压 ) ,由于高阻敏感膜充电达 VGS需要一段时间 ,因而漏电流出现延迟现象 .     

MLS结构的物理与电性能分析

本文从器件物理角度出发，深入研究了ＭＬＳ结构的Ｃ－Ｖ、Ｉ－Ｖ、界面、体内电荷、击穿等电学性能，并研制成功了一种新型的具有优良电性能的ＭＬＳ结构场效应晶体管，所得实验结果与理论相吻合。     

SOI—NMOS场效应晶体管的Kink特性分析

本文研究了在室温(RT)、液氮温度(LN)和液氮温度(LHe)下的SOI-NMOS场效应晶体管的电流—电压特性。研究的器件制作在二氧化硅上的经激光退火后的多晶硅薄膜体上。结果表明室温下带有薄膜引出端的晶体管的I_D—V_D特性曲线的Kink形状和液氦下观测到的N-MOS场效应晶体管的Kink形状很类似。实验还表明Kink大小是液氮下比室温下大、液氦下比液氮下的大。应用电容效应,低温下载流子“冻结”机制和不同偏压下载流子产生和复合的物理过程分析可以相应地解释不同温度下Kink效应。