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本文对离子注入技术进行了比较系统的阐述,试图通过它来帮助半导体器件设计和工艺人员对离子注入机的基本原理、离子注入的物理过程、注入工艺参数的设计和选择、以及为什么目前在半导体领域中纷纷采用这门技术等问题有一个基本的了解。同时,也试图与离子注入机的设计和制造人员探讨一个问题:即从半导体器件工艺角度出发,为什么对离子注入机要提出一些特殊的要求。 相似文献
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1 前言 最近,利用MeV级高能离子注入直接向半导体衬底的深部掺杂的技术已经在实际中应用。在提高注入的均匀性和缩短热处理周期方面都超过了以往离子注入的水平,为器件的制作带来了新的手段。高能离子注入在LSI工艺的以下几个方面开始获得应用:注入剂量为 相似文献
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本文利用与退火条件有关的离子注入杂质分布,得到了在硅中硼离子注入退火条件对载流子表面迁移率的影响。还得到了硼离子注入薄层电阻与注入条件及退火情况的关系。在这些关系中,注入剂量对迁移率及薄层电阻有最主要的影响。这些结果可在设计和制造VLSI中用以确定工艺条件。 相似文献
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作为pn结成型的重要参数,离子注入温度对晶格缺陷和材料扩散的影响较大。在碲镉汞的离子注入过程中,注入温度很大程度上影响着注入区的尺寸与光刻掩膜的形貌。从离子注入工艺的温度控制出发,研究了该工艺中的束流、注入能量、接触面粗糙度等因素;结合器件的I-V曲线,探究了注入温度对碲镉汞红外探测器性能的影响。结果表明,较低的注入束流、冷却温度以及良好的导热面,可以保证实际注入温度低于光刻胶的耐受温度,从而提高工艺过程的成品率。同时,较低的注入温度对于减小暗电流及注入区扩散面积起到了一定的作用,提高了碲镉汞红外探测器光敏元的性能。 相似文献
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Nishihashi T. Kashimoto K. Fujiyama J. Sakurada Y. Shibata T. Suguro K. Sugihara K. Okumura K. Gotou T. Saji N. Tsunoda M. 《Semiconductor Manufacturing, IEEE Transactions on》2002,15(4):464-469
A new type of ion implanter developed for an agile fab can eliminate the processes concerned. with photoresist lithography from the ion implantation process. This new ion implantation technology can reduce the raw process time, footprint, and the cost of ownership to less than one-half that of conventional ion implantation technology. The authors are making further developments on this ion implanter and evaluating technical issues related to ion implantation. This technique is suitable for manufacturing submicron node IC devices. Based on the results of evaluating the prototype machine, we will produce the next /spl beta/-machine. 相似文献
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本文讨论了高速双极器件制造中的离子注入技术。重点讨论在双极器件制造工艺中的离子注入掺杂技术,离子注入形成浅结技术,以及离子注入层的退火技术。根据这些要求,对离子注入设备应具有的技术性能作了一些预测。 相似文献
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Ye Wei Shengbo Sang Bing Zhou Xiao Deng Jing Chai Jianlong Ji Yang Ge Yuanliang Huo Wendong Zhang 《半导体学报》2017,38(9):092002-6
Carbon cluster ion implantation is an important technique in fabricating functional devices at micro/nanoscale. In this work, a numerical model is constructed for implantation and implemented with a cutting-edge molecular dynamics method. A series of simulations with varying incident energies and incident angles is performed for incidence on silicon substrate and correlated effects are compared in detail. Meanwhile, the behavior of the cluster during implantation is also examined under elevated temperatures. By mapping the nanoscopic morphology with variable parameters, numerical formalism is proposed to explain the different impacts on phrase transition and surface pattern formation. Particularly, implantation efficiency (IE) is computed and further used to evaluate the performance of the overall process. The calculated results could be properly adopted as the theoretical basis for designing nano-structures and adjusting devices'' properties. 相似文献
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本文评述了在金属材料领域中应用离子注入技术的现状;阐明了提高离子注入效益的一条新途径:不仅以离子注入技术改变工模具的性能,延长其使用寿命,而且以离子注入技术来显著提高金属产品的质量。文末还对进一步发展离子注入的前景做了展望。 相似文献
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《Electron Devices, IEEE Transactions on》1984,31(9):1186-1189
Submicrometer focused ion beams have been used both for the maskless ion implantation of p-channel depletion-mode Si MOSFET's and for the gate lithography of n-channel enhancement-mode Si MOSFET's. B-Pt and Au-Si liquid-metal-alloy ion sources were utilized in a single-lens focusing column for the implantation and lithography steps, respectively. An 800-Å-thick Al stopping layer was used at the target to separate the lighter ions from the heavier ion species in the beams. Reasonable dc electrical characteristics were measured for the chosen device process parameters. 相似文献
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本文从HEMT器件的基本结构、工作机理入手,对HEMT器件的设计进行了探讨。根据实际HEMT器件I-V特性曲线,建立了实际工艺条件下HEMT器件I-V特性计算模型。利用该模型对CML集成电压比较器进行模拟分析,确定了元件各种电参数及结构参数。采用离子注入技术进行器件的隔离,分别用HEMT和PHEMT材料,研制出了增强型、低功耗集成电压比较器,在1GSPS取样速率时,电压分辨率为30mV,功耗为27mW。 相似文献
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本文对多晶硅膜离子注入掺杂和扩散掺杂制备浅发射结进行了实验研究。针对新型薄发射极晶闸管特性改善对薄发射极参数的要求,重点研究了采用不同方法时退火条件对薄发射区掺杂剖面、结深以及杂质总量的影响。管芯研究结果表明,在适当的退火条件下,离子注入掺杂制备浅结是改善器件特性较为理想的方法。 相似文献