纳米二氧化钛光催化机理及应用分析

本文介绍了纳米二氧化钛光催化技术的发展状况、光催化降解机理和应用领域,并重点对TiO2在空气净化、废水处理和杀菌方面的应用进行了说明。阐述了纳米TiO2在实际应用中存在的各种问题,指出目前提高纳米TiO2光催化活性的着眼点,并对纳米TiO2的应用进行了总结和展望。     

DDR2 SDRAM控制器的设计及FPGA验证

根据DDR2SDRAM的技术规范,介绍了DDR2的基本特征和工作原理,提出了一种DDR2控制器的设计方法,详述了DDR2控制器的工作原理和功能结构,并在FPGA上验证了设计的正确性。     

CDN与P2P结合的技术在流媒体分发和交付系统中的应用

从电信运营商的角度分析了CDN技术和P2P技术在流媒体分发和交付系统中各自的特点。在此基础上,将CDN与P2P技术相结合,提出了CDN P2P架构,并阐述了此架构作为流媒体分发和交付系统的应用实现和优点。     

(La,Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷中第二相的研究

研究了(La,Nb)掺杂TiO2压敏陶瓷中第二相的转变及其对压敏性能的影响。采用实验方法研究了La2O3和Nb2O5的掺杂量及烧结温度对TiO2压敏陶瓷的压敏电压和非线性系数的影响。采用SEM、EPMA和XRD测试了TiO2陶瓷的显微结构、化学组成和物相。研究结果表明,(La,Nb)掺杂TiO2压敏陶瓷中存在第二相,随着烧结温度的增加,第二相会从LaNbO4向LaNbTiO6转变。根据La2O3-TiO2、La2O3-Nb2O5和Nb2O5-TiO2的二元相图,绘出了La2O3-Nb2O5-TiO2三元相图,在三元相图基础上初步估算了在不同烧结温度TiO2压敏陶瓷中第二相的相对含量。第二相LaNbTiO6的析出,导致钛空位(V″Ti″)浓度增大,而使压敏电压和非线性系数增加。     

光CVD SiO2钝化膜在红外探测器中的应用

本文评述了光 CVD SiO_2钝化膜的原理和方法,介绍了在50～300℃温度下,在 Si、InSb 和 HgCdTe 晶片上光 CVD SiO_2钝化膜。讨论了膜的淀积条件和性质以及光 CVDSiO_2钝化膜在 InSb、HgCdTc 红外探测器中的应用。     

对等网络P2P在未来网络中的发展

物联网、移动互联网、云计算、三网融合的兴起正在改变和塑造着未来网络的格局,对等网络P2P在这种新形势下面临着新的考验,同时也存在着新的发展和创新机会。本文结合P2P最新研究进展和市场动态,从计算模式、网络架构、业务应用、市场与产业4个维度分析了P2P的优越和价值所在,突出了P2P的问题和挑战,在此基础上评述了P2P在未来网络中的发展趋势。     

拟南芥转录因子LFY2的表达和功能分析

为研究转录因子LFY2的表达和功能,本文以拟南芥为材料研究了LFY2定位和表达特性。使用GFP融合蛋白技术分析LFY2的亚细胞定位,结果显示LFY2定位在细胞核中;定量PCR检测拟南芥不同组织及不同发育时期花中LFY2的相对表达量,结果显示LFY2在花苞中表达量最高;原位杂交检测显示LFY2在拟南芥花药发育的第7时期在绒毡层中开始表达,并在7～12时期持续表达,说明LFY2在花药绒毡层的发育过程中起一定作用。该研究为进一步探究LFY2在花药发育中的功能提供了一定的实验数据。     

ADSL家族新成员介绍

ADSL在全球的普遍应用促进了它在技术上的不断更新和发展。最近ITU推出的ADSL新成员ADSL2和ADSL2+在多项性能上都有了极大的改进和提高,如数据传输速率、环路服务距离、功率损耗减少、TDM-based的语音通道等。本文介绍了ADSL2和ADSL2+的特点和基本实现原理,同时针对不同的应用场合,介绍了ADSL Annex(ADSL附录)。     

Mg2Si薄膜在Si(100)衬底上的外延生长研究

采用直流磁控溅射系统,在Si(100)衬底上制备了外延Mg2Si半导体薄膜。通过XRD和场发射扫描电子显微镜(FESEM)对Mg2Si薄膜的晶体结构和表面形貌进行表征,理论分析了Mg2Si薄膜的消光特性对Mg2Si薄膜外延取向的影响,得到了Mg2Si薄膜的外延取向特性。结果表明,在Si(100)衬底上,外延Mg2Si薄膜具有Mg2Si(220)的择优生长特性。     

在微波激发的O_2+N_2混合等离子体中实现Al/Si的氧化

蒸发在 Si 上的 Al 薄膜,在微波激发的 O_2+H_2混合等离子体和 O_2+N_2混合等离子体中实现了氧化。添加的 H_2或 N_2在其中起催化作用。在 Ar 离子溅射的情况下,用离子微分析(IMA)和 X 射线光电子分光(XPS)方法,分析了各元素随深度的组成变化和膜的化学结构。在 O_2+N_2混合等离子体中,观测到界面上有明显界面氧化层,但在 O_2+H_2混合等离子体中,没有发现内部 SiO_2层。为了解释这些实验现象,提出了一种氧化过程的假定方式,这种方式考虑了电负性。     

KK Sound全新家庭影院系列全球首发

著名扬声器设计师Ken Kreisel去年创立了全新扬声器品牌KKS0und,在今年初隆重推出DXD-1 201 2和DXD-808两款最新超低音扬声器产品后,再接再厉于11月2-4日,在上海发布并展示了最新的家庭影院环绕声产品系列,全新产品包括主声道使用的LCR型号KK-Q125RC和KK-0125C,以及环绕和后环绕使用的KK-QTFX2和KK-QTFX,KK-QTFX2和KK-QTFX拥有相同的造型,但是KK-QTFX2采用了偶极设计,在箱体的左右两面部增加了发声单元,更适用于安装在环绕声道之中。     

校园网P2P流量监控技术分析

随着P2P业务在校园中的广泛应用,校园网络的质量受到了前所未有的挑战,如何有效地监控P2P应用已经成为校园网络管理的重点之一。文章分析了P2P应用对校园网网络流量的影响,提出了如何在校园网中有效地识别和控制P2P流量,并对这些识别和控制的方法分别进行了比较。     

相变材料Ge2Sb2Te5的性质及其面向新型数据存储的应用

信息时代产生的海量数据驱动着计算机存储架构的革新,高性能的非易失性存储器和存算一体的神经形态计算成为存储体系的发展方向。首先,介绍了相变材料Ge2Sb2Te5的阻变性质的机理与应用,详细阐述了相变存储器的发展以及神经形态计算的实现。然后,讨论了基于Ge2Sb2Te5铁电性质的存储器、基于Ge2Sb2Te5介电性质的光子存储单元和基于Ge2Sb2Te5应变作用的高迁移率晶体管。最后,讨论了Ge2Sb2Te5和n型硅等材料的异质结结构在器件中的应用。基于Ge2Sb2Te5材料多种特性的新型存储器件必将在未来存算一体的数据处理中扮演重要的角色。     

磁控反应溅射SnO2薄膜的气敏特性研究

为研究SnO2薄膜的气敏特性,采用直流磁控反应溅射法制备了SnO2薄膜。探讨和分析了SnO2薄膜气敏元件的敏感机理。对SnO2薄膜的电阻和灵敏度的测试以及对实验结果的分析表明:SnO2薄膜厚度在150~400nm为宜,一般膜厚在250nm时较为敏感。在SnO2薄膜中掺入Pd、Pt、Ag等微量杂质可大大提高SnO2薄膜气敏元件的灵敏度,且使灵敏度的峰值向低温方向移动,增强了对H2、CO和C2H5OH等可燃气体的选择性、响应时间由3min缩短到0.5s以下。     

CDN与P2P结合的技术在流媒体分发和交付系统中的应用

从电信运营商的角度分析了CDN技术和P2P技术在流媒体分发和交付系统中各自的特点。在此基础上,将CDN与P2P技术相结合,提出CDN+P2P架构,并阐述了该架构实现流媒体分发和交付系统的优点。     

纳米NiCo_2O_4电极材料的结构表征及超级电容性能研究

本文通过电沉积法在泡沫镍上沉积了绿色(Co,Ni)氢氧化物前驱体,并通过退火处理制备了纳米NiCo2O4电极材料。利用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)表征了生长在泡沫镍上的纳米NiCo2O4电极材料的形貌特征,成分和显微结构。通过对这些样品进行恒流密度充放电以及循环伏安测试对纳米NiCo2O4电极材料进行了电化学性能评价。结果表明,电化学性能最佳的纳米Ni Co2O4生长厚度为2.80μm,纳米片长度在390~785 nm之间,该电极材料在1 m A/cm2的充放电电流密度下比容量达到了1.4 F/cm2,在30 m A/cm2电流密度下比容量依然保持了0.68 F/cm2。该样品在5 m A/cm2的充放电电流密度下循环充放电2 000次之后依然保持了94%的初始比容量,显示出了较高的循环稳定性。     

锰(Ⅱ)化合物对二氧化锰结构及电化学性能的影响

采用氧化还原水热法合成二氧化锰。研究了在氧化剂及反应温度等条件相同的情况下,不同反应时间和还原剂对二氧化锰晶型及电化学性能的影响。通过对产物进行XRD分析发现,还原剂为MnSO4时,仅生成单相α-MnO2;而在Mn(NO3)2和MnCl2溶液中,随着反应时间由2～24 h增加到48 h,产物由含有γ-MnO2的α-MnO2转变为单相β-MnO2。对反应时间为12 h生成的二氧化锰进行了循环充放电测试。结果显示,在Mn(NO3)2和MnCl2溶液中生成的含有γ-MnO2的α-MnO2,其初次放电容量分别为203和186.3 mA.h/g,均比在MnSO4溶液中生成的单相α-MnO2的容量140 mA.h/g高;7次循环充放电后,在Mn(NO3)2,MnCl2和MnSO4溶液中生成的MnO2的容量分别保持在初次放电容量的51%,54%和49%。     

单轴应力下热氧化SiO_2的介电电致伸缩系数研究

微机电系统和集成电路中常用的热氧化SiO2是各向同性材料,研究了其在单轴应力场中介电常数的变化规律。依据介质在自由和束缚两种边界条件下受到单轴应力作用产生的应变不同,从电动力学基本关系出发推导了各向同性电介质两种边界下的介电电致伸缩系数计算公式,表明介电电致伸缩系数是与电介质的初始介电常数、杨氏模量和泊松比有关的常数。计算得到热氧化SiO2薄膜在自由和束缚条件下的介电电致伸缩系数M12分别为-0.143×10-21和-0.269×10-21 m2/V2。搭建了基于三维微动台的微位移加载系统,测量了在单轴应力下微悬臂梁SiO2薄膜电容的变化,测量得到热氧化SiO2薄膜的M12为(-0.19±0.01)×10-21 m2/V2,表明实际SiO2薄膜介质层的边界条件处于自由和束缚之间。     

JBL发布M2主监听音箱

正为响应音乐和后期制作中更高精度和动态范围的需求,哈曼JBL推出M2主监听音箱,首次让大型监听音箱在各种场合可以使用。JBL录音室监听系列最大的扬声器M2在一套独立的2路系统中集成了JBL新型传感器技术和专利创新,可以放置在任何生产环境中,提供高水准的精度和性能。M2主监听音箱的设计采用了JBL新型D2压缩驱动器,使用两个环形隔膜和两个音圈,提供扩展的高频     

基于P2P的Skype与常规业务的流量分析和识别

首先介绍了P2P流量识别的一般方法和与识别P2P相关的新技术,然后研究论述了基于P2P的Skype的流量特征,并在此基础上提出了P2P和基于P2P的Skype与其他常规业务的流量识别方法。