溶胶-凝胶制备（Ca0．7Mg0．3）SiO3陶瓷及其微波介电性能

以硝酸钙、硝酸镁、正硅酸乙酯为先驱体,利用溶胶-凝胶法合成了(Ca0.7Mg0.3)SiO3陶瓷粉体,研究了不同物相和粒径粉体的烧结特性以及陶瓷的微波介电性能.结果表明:干凝胶的煅烧温度低于800°C时,所得粉体士要为尢定型态,煅烧温度超过900°C后,晶相大量形成;当以无定型粉体或900°C煅烧获得的细小粒径粉体为原料时,均难以获得致密结构的陶瓷;形成完整的粉体原料晶相以及粒径的增大,有利于陶瓷体的致密烧结和微波介电性能的提高.粒径分别为50～100nm以及90～300nm的陶瓷粉体,在1320°C烧结后均获得良好的微波介电性能,介电常数Er分别为6.62、6.71,品质因数Q Xf值分别为36962、41842GHz,谐振频率温度系数Tf分别为-48.32 × 106°C、49.63×106/°C.     

原料粉体的引入方式对Li_2O-Nb_2O_5-TiO_2复合微波介质陶瓷结构及性能的影响

通过XRD、SEM等分析手段,结合介电性能测试结果,探讨了两种不同的原料粉体引入方式H1及H2,对Li2O-Nb2O5-TiO2陶瓷体系中"M-相"与Li2TiO3固溶体(Li2TiO3ss)共存的复合陶瓷材料(H1及H2陶瓷)的烧结行为、微观结构以及微波介电性能的影响。采用H2方式制备的H2陶瓷,1100℃烧结2h,材料具有较优异的微波介电性能:介电常数εr=40.2,Q×f值高达9900GHz,频率温度系数τf=4.6×10-6/℃,是一种性能优异的微波介质陶瓷材料。     

ZnTa2O6陶瓷粉体合成工艺研究

在AB2O6型化合物中,ZnTa2O6陶瓷具有优异的微波介电性能,但其却具有较高的烧结温度,为1400℃.为了寻求有效途径来降低ZnTa2O6陶瓷的烧结温度,本文采用柠檬酸盐溶胶凝胶法合成了ZnTa2O6纳米陶瓷粉体.利用XRD和SEM等测试技术系统研究了干凝胶前躯体的热分解过程、ZnTa2O6纳米陶瓷粉体的晶体结构和显微形貌特征,并对合成工艺过程中柠檬酸的用量(柠檬酸与金属阳离子的比例CA/Ta)进行了探讨.研究结果表明,当合成温度为900℃时,可以获得单相ZnTa2O6纳米陶瓷粉体,CA/Ta对所获得ZnTa2O6纳米陶瓷粉体的粒度有较大的影响,当CA/Ta=3时,干凝胶经900℃煅烧,可以获得最小粒度的ZnTa2O6纳米陶瓷粉体,为30nm.     

烧结方式对共沉淀法制备ZnNb_2O_6陶瓷介电性能的影响

采用化学共沉淀法制备Zn Nb2O6超细粉体,所得的粉体经煅烧压制后通过微波和常规烧结工艺制备Zn Nb2O6陶瓷,并研究两种烧结方法对Zn Nb2O6陶瓷相对密度、物相、表面形貌、介电性能等的影响。结果表明,共沉淀法制得的Zn Nb2O6粉体晶粒细小、均匀,近似棒形,尺寸约为150nm;与常规烧结工艺相比,采用微波烧结工艺可将Zn Nb2O6陶瓷烧结温度降低约150℃,烧结时间缩短1.5 h,进而有效抑制了烧结过程中锌元素的挥发;微波烧结后的Zn Nb2O6陶瓷晶粒粒径约为6μm,排列均匀,且气孔率低;微波烧结可有效改善Zn Nb2O6陶瓷的微波介电性能,与传统烧结方式对比,微波烧结可提高εr和Q×f为4.6%和15.6%左右,τf更趋于正值方向。同时对微波烧结陶瓷介电性能进行了较为系统的理论分析。     

微波-水热法制备无铅压电陶瓷粉体

综述了微波-水热法合成无铅压电陶瓷粉体的优越性,指出了无铅压电陶瓷制备工艺的重要性.介绍了无铅压电陶瓷粉体的制备方法及其优缺点和微波-水热法合成粉体的由来,阐述了微波-水热法合成无铅压电陶瓷粉体的作用原理、微波液相合成技术的特点和微波-水热法制备无铅压电陶瓷粉体的工艺参数.探讨了微波-水热法制备无铅压电陶瓷粉体对陶瓷性能的影响,同时,提出了该新路线有待解决的问题并展望了该领域未来的发展方向.     

溶胶-凝胶法引入ZnO-2B2O3-7SiO2玻璃对BaO-Sm2O3-4TiO2陶瓷性能的影响

采用固相反应法合成BaO-Sm2O3-4TiO2 (BST)陶瓷粉体.系统研究了溶胶-凝胶法引入ZnO-2B2O3-7SiO2 (ZBS)玻璃对BST陶瓷烧结特性、物相组成、微观形貌及介电性能的影响.结果表明,添加ZBS玻璃的陶瓷试样主晶相仍为类钙铁矿钨青铜结构的BaSm2Ti4O12,次晶相为Sm2Ti2O7.通过溶胶-凝胶法添加6％(质量分数)的ZBS玻璃,可使BST陶瓷的烧结温度从1350℃降低到1050℃,在1050℃烧结3h所得BST陶瓷介电性能优良:εr=60.17,tanδ=0.004,τf=-7.9×10 6/℃.     

溶胶-凝胶制备(Ca0.7Mg0.3)SiO3陶瓷及其微波介电性能

以硝酸钙、硝酸镁、正硅酸乙酯为先驱体, 利用溶胶-凝胶法合成了(Ca_0.7Mg_0.3)SiO₃陶瓷粉体, 研究了不同物相和粒径粉体的烧结特性以及陶瓷的微波介电性能. 结果表明: 干凝胶的煅烧温度低于800℃时, 所得粉体主要为无定型态, 煅烧温度超过900℃后, 晶相大量形成; 当以无定型粉体或900℃煅烧获得的细小粒径粉体为原料时, 均难以获得致密结构的陶瓷; 形成完整的粉体原料晶相以及粒径的增大, 有利于陶瓷体的致密烧结和微波介电性能的提高. 粒径分别为50～100nm以及90～300nm的陶瓷粉体, 在1320℃烧结后均获得良好的微波介电性能, 介电常数ε_r分别为6.62、6.71, 品质因数Q×f值分别为36962、41842GHz, 谐振频率温度系数τf分别为--48.32×10^-6/℃、--49.63×10^-6/℃.     

CaTiO3基微波介质陶瓷材料的研究进展

综述了CaTiO3基微波介质陶瓷的发展与研究现状,比较分析了CaTiO3、Ca1-xLn2/3x TiO3、CaO-Li2O-Ln2O3-TiO2与Ca(B1/23 B'1/25 )O3微波介质陶瓷的重要微波介电性能,讨论了Bi2O3、B2O3、ZnO等低熔点烧结助剂对CaTiO3基微波介质陶瓷结构、介电性能的影响以及该系陶瓷制备的新工艺,指出了目前急需解决的问题与今后的发展方向.     

B2O3对BaO-Sm2O3-TiO2微波介质陶瓷性能的影响

为了满足微波器件小型化的需要,开发高介电常数的低温烧结微波介质材料成为一种趋势.采用复合掺杂低熔点氧化物来降低BaO-Sm2O3-TiO2系(BST)微波介质陶瓷的烧结温度,通过X射线衍射和扫描电子显微镜分析其物相组成和显微结构,用阻抗分析仪测量了陶瓷材料的介电性能.结果表明:在Ba4(Sm1-0.15Bi0.15)28/3Ti18O54的基质陶瓷材料中,复合掺杂3%的ZnO和2%的B2O3时,其烧结温度为1060℃,得到的BST微波介质陶瓷的介电性能为:εr≈64,tanδ≈1.2×10-3,τf=-8.3×10-5/℃.     

水热合成无铅压电陶瓷粉体

简述了水热法在国内外的发展现状,重点介绍了目前水热法制备BaTiO3、(K1-xNax)NbO3、Na0.5Bi0.5-TiO3以及Bi4Ti3O12等4种无铅压电陶瓷粉体的工艺过程,及其在制备4种粉体过程中对粉体尺寸、形貌的控制和独特的优势,同时简要评述了近年来微波水热法制备无铅压电陶瓷粉体的新工艺进展,指出水热法在制备无铅压电陶瓷方面具有一定的优势,可以制备出纯度和结晶性高、颗粒分布均匀、尺寸和形貌可控的高性能简单化合物无铅压电陶瓷粉体。下一步研究的重点和难点为合成组分可控的复杂化合物,为真正实现压电陶瓷和器件的无铅化革命作贡献。     

高介电陶瓷材料在油品介电精制方法中的应用

目前对于介电材料的研究与应用一般集中于电子产品及其相关领域，高介电陶瓷材料应用于油品精制领域还是一个新的尝试。首先简要介绍了介电力学精制工艺装置，并重点讨论了介电陶瓷在其中的应用及基本原理，最后选用几种不同介电常数的介电陶瓷材料在装置中进行了实验，实验证明，高介电陶瓷材料对油品有较好的精制效果，并且对于所选用的几种介电材料而言随着介电常数的增加精制效果也提高。     

UHF dielectric parameters

Measurements are reported on the dielectric constant and loss angle tangent for polyethylene, PTFE, BA-35 and 22KhS ceramics, and also grade KV fused silica of optical quality.Translated from Izmeritelnaya Tekhnika, No. 9, pp. 16–18, September, 2004.     

BaO-TiO2-B2O3-SiO2体系LTCC介电性能的研究

利用预煅烧法制备了BaO-TiO2-B2O3-SiO2体系低温共烧陶瓷(简称LTCC)材料,其烧结温度在900℃以下,介电常数在4～20之间随组成变化而调节,介电损耗能保持在0.002左右的水平;研究发现,玻璃陶瓷材料的原始组成、烧结体致密度和电场频率等是影响介电常数的主要因素;而影响介电损耗大小的相关因素比较复杂,本文研究认为材料的原始相组成、烧结体相组成、体电阻率、温度及电场频率等因素起主要作用;研究结果进一步表明,LTCC烧结体的介电损耗与烧结致密度没有明显的联系.     

微波介质陶瓷的介电损耗研究进展

综述了微波介质陶瓷介电损耗理论与实验研究的最新进展,讨论了陶瓷体系中气孔、第二相、杂质等微结构对介电损耗的影响,介绍了远红外光谱-阻尼谐振子模型在介电损耗研究中的应用以及双声子过程或多声子过程对介电损耗的贡献,并对微波介质陶瓷研究的发展做了展望.     

ZnO-MgO-TiO_2-SnO_2系高频介电陶瓷的制备与介电性能

在ZnO-TiO2-SnO2陶瓷基础上,掺杂MgO得到(1-x)ZnO-xMgO-0.88TiO2-0.12SnO2系新型介电陶瓷。对其相转变、微观组织结构和高频介电性能进行了研究,结果表明,在不加入任何烧结助剂情况下,试样可于1 080℃达到烧结,其相对密度为94.4%;当x=0.05时,陶瓷为纯相尖晶石结构(Zn0.95,Mg0.05)2(Ti0.88,Sn0.12)O4,其介电性能优良,1 MHz时ε=18.88,tanδ=5×10-4,τε=2.89×10-6/℃,可用作高频电容器材料的优秀候选材料。     

冷绝缘高温超导电缆用绝缘材料PPLP在液氮中拉伸状态下的冲击绝缘击穿强度

对聚丙烯复合纤维纸(PPLP)在液氮中拉伸状态下的冲击绝缘击穿强度进行了实验研究,用韦伯概率分布的方法进行数据处理,得出不同拉伸应力下0.1%击穿概率的冲击绝缘击穿强度。根据实验结果,结合相关的设计方法,对110 kV冷绝缘高温超导电缆本体用PPLP绕包时的绕包厚度和绕包层数进行了设计。     

掺杂Co_2O_3对ZnTiO_3陶瓷介电性能的影响

研究了掺杂Co2O3对ZnTiO3陶瓷的微观结构与介电性能的影响。结果表明,掺杂的Co2O3在高温下分解生成Co2+进入ZnTiO3晶格形成(CoxZn1-x)TiO3固溶体,有效阻止了其分解为立方尖晶石相和金红石相。当Co2O3掺杂量为x=0.1,烧结温度1050℃时,陶瓷具有优良的微波介电性能和体积密度:ε=29.8,Q=4660(f=10GHz),τf=-60×10-6/℃,ρ=5.11g/mm3,并形成稳定、完全致密化的介电陶瓷组织结构。     

Al片/PVDF介电复合材料的制备及性能

以聚偏氟乙烯(PVDF)为基体, 选用普通工业铝粉为填充组分, 选用乙醇为溶剂, 采用一种简单球磨工艺制备Al片/PVDF介电复合材料, 研究了不同含量的铝粉对复合材料的介电性能的影响。利用SEM分析了复合材料的微观形貌, 并用EDS对微观区域进行元素分析。研究结果表明, 铝片的加入不仅大大提高了复合材料的介电常数, 降低了介电损耗, 而且还具有较高的击穿性能, 满足电子工业领域的要求。      

Study of dielectric properties of nanophase silver iodide

Dielectric properties of nanophase AgI are studied over the frequency range from 100 kHz to 3 MHz at different temperatures. The values ofε, tanδ andσ _ac are considerably larger than those reported for crystalline pellets of AgI, but they show a similar trend in variation with frequency and temperature. The increase in these values are attributed to the defect structure of the nano-particles.