聚酯改性硅漆与硅半导体界面带电规律的研究

研究电介质与半导体之间的接触带电、带电规律和带电控制 ,可有效地控制电力电子器件表面绝缘保护材料与半导体表面相互作用而形成的不同界面态和界面电荷 ,优化台面型电力电子器件表面空间电荷区宽度、表面电场分布 ,提高表面耐压。对加入不同填料的聚酯改性硅漆 (SP) ,测量其与表面氧化和表面钝化的n型和p型硅片接触后表面带电极性和带电量 ,得出一个接触带电序列。接触带电序列表明 ,绝缘保护材料与各种硅片的接触 ,实质上是保护材料与硅片表面物质的接触 ,与硅片的类型和内部结构无关。     

F级改性聚酯漆包线漆的开发和应用研究

本文总结Ｆ级性聚酯漆包线漆的配方设计和试验研究，涂线工艺参数与漆包线性能之间的关系，提出了制造漆包线的最佳工艺条件，可供漆包线制造厂在生产过程中参考。     

正交实验研究硼铝硅玻璃的介电性能

利用正交实验法,以降低玻璃的介电常数和介质损耗为目标,对硼铝硅玻璃(SiO2-Al2O3-B2O3-RO)组份进行了优化研究.极差分析表明:在选定的水平下,CaO对玻璃的介电常数影响最大,最终得到所选影响因素水平为SiO2 53.5%、Al2O314.5%、CaO 4%时玻璃的介电性能最好.通过对优化后的玻璃分析表明,该玻璃具有很好的热稳定性,不易分相和析晶,并指出要降低玻璃的介电常数可以在保持SiO2含量不变的情况下,适当减少碱土金属的含量.     

硅器件伏安特性与高温合格率相关性的研究

研究了硅器件五种典型伏安特性随温度的变化规律及机理，以及特性与高温合格率的相关性，提出了提高合格率的方法。     

红外光谱分析在高压硅器件表面保护材料固化工艺研究中的应用

一、前言半导体表面,特别是高压硅器件的p-n结表面,对污染极为敏感,表面沾污严重地影响着硅器件的性能。因此,经过磨角,腐蚀后的半导体表面,必须用表面保护材料保护起来,因而,保护材料的性能直接影响着器件的性能。     

纳米金属Ag/高纯聚酯改性硅漆复合介质的介电行为

聚酯改性硅漆(SP)是用于硅器件表面保护的高纯绝缘材料.采用溶胶法制备的纳米Ag(直径小于20nm)均匀地分散到SP中后,对纳米复合材料的介电特性进行了研究.合适的纳米Ag含量使得纳米复合材料击穿场强提高,达到纯SP的112%,同时介电损耗也明显增加.采用热刺激退极化电流(TSDC)测量的结果表明纳米复合材料中存在两个较浅的陷阱能级,分别为0.52eV和0.62eV,陷阱密度分别为1.2×1010/cm3和2.0×1011/cm3,与纯SP中浅陷阱深度0.58eV、陷阱密度3.1×1010/cm3明显不同.复合材料低温下(77K)的体积电阻率明显高于纯SP,可以看作是库仑阻塞作用的结果.从介质物理的角度探讨了纳米复合材料与纯SP的特性差别.     

电力电子硅器件有机保护材料及界面特性的研究

根据高压硅器件表面有机介质绝缘保护的特点，结合电镜分析手段，实验研究了高压硅pn结的有机SP硅漆-硅pn结界面，有机硅JUS－Si界面特性，并根据他们的分子结构式，反应类型，以及应用中交联度等几个方面区别，进行了分析讨论，同时也对材料的电气性能进行了试验比较。     

硅整流管表现保护材料负电晕带电特性的研究

研究了负针－板电晕电对台面型高压硅整流管管芯上保护材料的影响，负电晕的注入。使Ｓｉ－ＳｉＯ２－绝缘材料的界面等效电荷为负电荷，它引起管芯表面耗尽区的展宽。数值计算表明，电晕带电使界面等效电荷为－１０＾１１ｃｍ＾－２范围。     

电力电子硅器件有机保护材料及界面特性的研究

根据高压硅器件表面有机介质绝级保护的特点，结合电镜分析手段，实验研究了高压硅Ｐｎ结的有机ＳＰ硅－硅Ｐｎ结界面，有机硅ＪＵＳ－Ｓｉ界面特性，并根据他们的分子结构式，反应类型，以及应用中交联度等几个方面区别，进行了分析讨论，同时也对材料的电气性能进行了试验比较。     

高压直流电缆用交联聚乙烯介电性能的对比研究

为研究温度对直流电缆用交联聚乙烯绝缘性能的影响,选取了2种具有代表性的直流电缆用交联聚乙烯和1种交流电缆用交联聚乙烯进行对比研究。分别对其在不同温度下的直流电导率和空间电荷集聚特性进行分析。结果表明:在温度范围为20~70℃时,3种交联聚乙烯试样的直流电导率随着温度的升高呈指数增大,但电导活化能有差异,直流电缆用交联聚乙烯的电导率随温度升高的变化程度较小;交流电缆用交联聚乙烯以积聚负电荷占主导,而2种直流电缆用交联聚乙烯空间电荷的平均电荷密度较小。此外,3种材料在常温下的直流击穿场强差异明显;红外光谱结果表明直流电缆用交联聚乙烯具有更少的羰基基团。2种直流电缆用交联聚乙烯分别采用提高纯净度和引入无机填料2种方式,使直流介电性能得到了改善。     

高压晶闸管的双正斜角造型及表面保护

结合KP9500-55晶闸管的研究课题,对晶闸管的正负斜角、双正斜角等表面造型进行了分析,并结合工厂的生产实践,探讨了应用不同表面造型的可能性。采用由刻槽法获得的双正斜角表面造型,可形成管芯电压合格率稳定在60%～80%之间的生产能力。实验结果表明,采用刻槽方式的双正斜角造型,槽深在片厚的0.60～0.66范围,两次喷腐,表面采用硅橡胶保护,可以制成正反阻断特性接近,电压达到5.5kV的高压晶闸管,值得推广应用于高压器件在研制。     

静电除尘用高压硅整流装置的改进

叙述荆门电厂ＧＧＡＪ０２Ｓ－０．７／７２ｋＶ型静电用高压硅整流装置改进及改进前后的运行情况。     

电力电子器件用表面保护材料SP含杂与电性能关系的研究

通过测量不同吸附剂处理表面保护材料ＳＰ的电阻率随温度变化的规律，揭示了ＳＰ含杂对电性能的影响．实验结果表明，经过处理后试样的杂质离子含量明显减少，而高温电阻率相应有较大的提高．另外．实验结果还给出了不同吸附剂与溶剂相配合．对ＳＰ杂质吸附效果的影响．     

高压直流输电光触发晶闸管反向恢复期保护的研究

高压直流输电晶闸管换流阀,不管是光触发晶闸管换流阀还是电触发晶闸管换流阀．其反向恢复期的保护功能都是一项极为重要的保护。电触发晶闸管和光触发晶闸管在实现这一保护的做法上有较大不同。文中介绍了目前常用的电触发晶闸管的反向恢复期保护方式．并着重对光触发晶闸管的反向恢复期保护进行了研究。     

氮化硼纳米片改性环氧树脂导热与介电性能的研究

越来越高的电热密度以及电力设备小型化的趋势需要电力设备的绝缘材料具备更好的导热性能.针对传统环氧树脂(epoxy,EP)导热率过低的缺陷,通过剥离六方氮化硼的方法制备了氮化硼纳米片(boron nitride nanosheet,BNNS),将其作为填料掺入环氧树脂得到了复合材料(EP-BN).测试结果证明,BNNS能...