电力器件用的6H—SiC,3C—SiC和Si的比较

为了实现５０～５００Ｖ的击穿电压范围，本文详细讨论了６Ｈ－ＳｉＣ和３Ｃ－ＳｉＣ肖特基整流器和功率ＭＯＳＦＥＴ的漂移区性质。利用这些数据计算了器件的输出特性，并与Ｓｉ器件做了比较，结果表明，由于其漂移区电阻非常低，故５０００ＶＳｉＣ肖特基整流器和功率ＭＯＳＦＥＴ在室温下能够处理１００Ａ／ｃｍ＾２的导通电流密度，正向压降仅分别为３．８５和２．９５Ｖ。这些数值甚至优于Ｓｉｐｉｎ整流器和门可关断晶闸管。这     

150V及200V新型MOSFET器件

国际整流器公司（ＩＲ）推出了一系列全新的１５０Ｖ及２００ＶＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ ,它们的导通电阻和栅电荷特性已经过优化 ,能将４８Ｖ输入隔离式直流 -直流转换器的效率提高１ % ,适用于网络和电信系统。该新型ＭＯＳＦＥＴ的载电效能比ＴＯ -２２０封装器件高出２０ % ,同时还提供有Ｄ２Ｐａｋ和ＴＯ -２６２两种封装。新器件ＩＲＦＳ３８Ｎ２０Ｄ和ＩＲＦＳ５２Ｎ１５Ｄ适用于单输出板上功率模块或多输出电源的原边插座 ,也可用于“热插拔”电路及有源ＯＲｉｎｇ电路 ,因而确保了系统操作的稳定可靠。在典型的１５０Ｗ半砖式…     

元器件快讯

IR推出全新30V功率MOSFET功率半导体国际整流器公司（ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＲｅｃｔｉｆｉｅｒ，简称ＩＲ）推出ＩＲＬＲ７８３３及ＩＲＬＲ７８２１两款ＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ ,这两款器件以最新的条形沟槽（Ｓｔｒｉｐｅ -ｔｒｅｎｃｈ）技术设计 ,成为Ｄ -Ｐａｋ封装市场上通态电阻（ＲＤＳ（ｏｎ））最低的３０ＶＭＯＳ ＦＥＴ。现同类直流 -直流变换器ＭＯＳＦＥＴ相比 ,它们能将效率提升高达２．５ %或节省多达２５ %的元件数目。两款新器件专为同步降压变换电路而设计 ,适用于服务器、台式和笔记本电脑 ,以及网络和…     

业界风云

ＩＲ宣布ＤＣ－ＤＣ转换新技术 国际整流器公司（ＩＲ）最新推出的功率半导体,可在三个主要领域强化直流－直流应用系统性能：首先,用于新一代电信及网络功率管理的ＩＲ１ １７６同步整流集成电路,配合新型ＩＲＦ７８２２ ＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ,使４８Ｖ输入／１．５Ｖ隔离输出变换器能在４０Ａ全负载环境下,达到８５％的效率水平。该芯片组可简化宽频网的低压、大电流输出ＤＣ－ＤＣ转换器设计,实现更高的效率和更佳的成本效益。其次,用于隔离及非隔离（降压）同步ＤＣ－ＤＣ变换器的３０ＶＨＥＸＦＥＴＭＯＳＦＥＴ,比业…     

低栅极电荷MOSFET可简化栅极驱动设计

在高频快速开关电源变换器设计中，设计者通常要求电源变换设备能够在极短的时间内转移栅电荷，并产生噪声较低的干净波形。采用国际整流器公司的“低电荷”ＬＣ系列ＨＥＸＦＥＴ能够降低栅极驱动要求和开关损耗并可简化驱动电路。这类器件的输入电容较小，所以较容易驱动...     

功率MOSFET发展近况

本文介绍功率ＭＯＳＦＥＴ近年来采用优化设计技术和微细加工技术获得低导通电阻、高耐压、高频率、高雪崩容量、低压驱动的发展情况及其应用前景。     

元器件快讯

元器件快讯日立公司推出超低导通电阻（４．５ｍΩ）的功率ＭＯＳＦＥＴ２ＳＫ２５５４２ＳＫ２５５４为Ｎ沟道功率ＭＯＳＦＥＴ，它的击穿电压为６０Ｖ，它的特点就是导通电阻很小，典型值为４．５ｍΩ（２ＳＫ２５８６的导通电阻为７ｍΩ），可在４Ｖ电压下工作。２ＳＫ...     

IR推出新型HEXFET功率MOSFET

ＩＲ公司的新型１００ＶＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴＩＲＦＢ４７１０及ＩＲＦＳ４７１０增强了４８Ｖ输入、半桥或全桥拓扑技术的功率密度 ,可用于通信设备所需的高性能直流 -直流转换器。ＩＲＦＢ４７１０采用ＴＯ -２２０封装 ,额定电流可达７５Ａ ,使用该器件可使设计人员只用较少的器件即可获得所需的额定电流 ,从而减少设备的体积、重量和电源成本。ＩＲＦＢ４７１０及ＩＲＦＳ４７１０型ＭＯＳＦＥＴ的导通电阻（ＲＤＳ（ｏｎ））比以往器件低４０ % ,因此其效率更高和操作温度更低。在３５０Ｗ功率时 ,使用４个ＩＲＦＢ４７１０可…     

IR扩展肖特基整流器系列

功率半导体专家国际整流器公司 (ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＲｅｃｔｉｆｉｅｒ ,简称ＩＲ)推出经济实惠的标准表面贴装(ＳＭＡ、ＳＭＢ及ＳＭＣ)及轴向引线 (ＤＯ 2 0 1及ＤＯ 2 0 4 )封装ＭＢＲ系列肖特基整流器 ,扩大了功率管器件系列。设计人员现在可以利用更多元化的肖特基整流器 ,配合ＩＲ其他功率半导体产品 ,包括ＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ、栅驱动集成电路及Ｐ Ｎ结型二极管 ,实现完整的功率系统方案。肖特基二极管用于 12Ｖ以下输出整流级、开关电源、其他功率系统、电池反向保护、续流电路及高频或过冲 /下冲箝位电路。肖特…     

电流检测HEXFET在电流控制型开关电源中的应用研究

经济、实用的电流检测方法是电流控制型开关电源的关键，本文探讨ＨＥＸＦＥＴ在电流控制型开关电源中的应用，比传统的串联电阻器法，变流器法有明显的优点，并给出了实验电路。     

SUPERTEX公司DMOS选型指南

ＳＵＰＥＲＴＥＸ公司ＤＭＯＳ选型指南１、低开启电压Ｎ沟道增强型ＭＯＳＦＥＴ２、低开启电压Ｐ沟增强型ＭＯＳＦＥＴ３、Ｎ沟道耗尽型ＭＯＳＦＥＴ４、Ｎ沟进增强型ＭＯＳＦＥＴ５、Ｐ沟道增强型ＭＯＳＦＥＴ６、低压Ｎ沟道ＭＯＳＦＥＴ阵列７、低压Ｐ沟道ＭＯＳＦＥＴ...     

电力器件用的6H－SiC、3C－SiC和Si的比较

为了实现５０～５００Ｖ的击穿电压范围，本文详细讨论了６Ｈ－ＳｉＣ和３Ｃ－ＳｉＣ肖特基整流器和功率ＭＯＳＦＥＴ的漂移区性质。利用这些数值计算了器件的输出特性，并与Ｓｉ器件做了比较，结果表明，由于其漂移区电阻非常低，故５０００ＶＳｉＣ肖特基整流器和功率ＭＯＳＦＥＴ在室温下能够处理１００Ａｌｃｍ￣２的导通电流密度，正向压降仅分别为３．８５和２．９５Ｖ。这些数值甚至优于Ｓｉｐｉｎ整流器和门可关断晶闸管。这种ＳｉＣ器件由于没有少于结，故可期望有优良的开关特性和坚固耐用性。此外，还基于峰值结温极限是由封装考虑来确定的观点，报道了热学分析结果。应用这种分析发现，５０００Ｖ的６Ｈ－ＳｉＣ和３Ｃ－ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ和肖特基整流器将比相应的Ｓｉ器件大约小２０和１８倍。对ＳｉＣ的热学分析表明，这些器件能在比常规Ｓｉ器件高的温度和击穿电压下工作。还有，在管芯尺寸上也期望有明显的减少，这将会补偿其材料成本较高的不足。本文报告的分析结果对ＳｉＣ功率器件的制造将会起到强大的推动作用。     

高性能、低价位的高压功率MOSFET

意法半导体发布了三个集高速、高效、高强度和低成本于一体的Ｎ沟道功率ＭＯＳＦＥＴ—ＳＴＬ５ＮＫ６５Ｚ、ＳＴＰ１３ＮＫ６０Ｚ、ＳＴＰ１４ＮＫ５０Ｚ。它们是率先采用ＳＴＳｕ ｐｅｒＭｅｓｈＴＭ技术的新产品。其中 ,ＳＴＬ５ＮＫ６５２是一个典型导通电阻为１５００ｍΩ的６５０Ｖ器件 ;ＳＴＰ１３ＮＫ６０Ｚ是典型导通电阻为４６０ｍΩ的６００Ｖ器件 ;而ＳＴＰ１４ＮＫ５０Ｚ是一个典型导通电阻为３２０ｍΩ的５００Ｖ器件。它们的源漏电流分别为４．５Ａ、１２Ａ和１２Ａ。可全部直接用于脱机和开关电源、适配器、功率因数校正器…     

IR新型20VHEXFET MOSFET

国际整流器公司（ＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＲｅｃｔｉｆｉｅｒ,ＩＲ）推出两种新型２０ＶＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ,可提高１２Ｖ输入直流／直流变换器效率４ %。新的ＩＲＦ３７１１和ＩＲＦ３７０４系列专用于多相降压变换器 ,为新一代ＧＨｚ级微处理器电源元件。新元件的门电荷（Ｑｇ）和输出电容（Ｃｏｓｓ）都得到优化。２０ＶＩＲＦ３７１１系列实现了同步场效应管最佳性能 ,而２０ＶＩＲＦ３７０４系列则实现了控制场效应管最佳性能。IR新型20VHEXFET MOSFET     

输出整流器占空比与反激式开关电源损耗关系的分析

该文通过分析输出整流器的导通占空比和变压器二次侧损耗、输出整流器导通损耗、输出滤波电容器损耗的关系,来调整输出整流器的导通占空比,优化输出端参数,降低反激式开关电源损耗.其有效性通过saber仿真实验得以验证.     

适合于PSPICE的一种精确的功率MOSFET等效电路

建立了一种新的功率ＭＯＳＦＥＴ等效电路，以便利用先进的电路模拟软件ＰＳＰＩＣＥ对功率ＭＯＳＦＥＴ所有特性进行模拟和分析．对ＩＲ公司的各类ＨＥＸＦＥＴ进行的模拟结果与其数据手册中的实验曲线十分吻合，表明该模型具有较高的精确性．     

元器件卡片

元器件卡片ＨＡＲＲＩＳ专·递ＨＶ４００为单只ＭＯＳＦＥＴ驱动器，可提供极大的峰值驱动电流。它用于驱动大功率或并联的ＭＯＪＳＦＥＴ。特性：应用：●输出Ｓｏｕｒｃｅ４值申流：６Ａ●开关电源●输出Ｓｉｎｋ峰值电流：３０Ａ●ＤＣ／ＤＣ变换器●工作频率：３００...     

产品之窗

半导体和ＩＣ节省２０％元件数的ＰｅｎｔｉｕｍＩＩ设计套件查询号１６９ＩＲＶＲＭ２ＰｅｎｔｉｕｍＩＩ设计套件包括集成补偿回路，内部上拉电阻器和２０ＶＨＥＸＦＥＴ功率ＭＯＳＦＥＴ，它可节省２０％的元件数。适用于２３３～２６６ＭＨｚ处理器套件的ＭＯＳＦＥＴ...     

电子束偏放电路的计算机辅助设计

本文介绍了应用现行的ＰＳＰＩＣＥＶ５．０软件和ＣＡＤ优化技术，对亚微米电子束曝光机高速偏放电路的ＶＭＯＳＦＥＴ参数进行处理。针对电路中的关键参数：导通电阻、开关速度、温度影响、灵敏度及噪声干扰进行分析、设计。     

飞兆半导体推出新型MOSFET

飞兆半导体公司 (ＦａｉｒｃｈｉｌｄＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ)推出七种新型高压平面型ＭＯＳＦＥＴ ,具有更低的导通电阻、更低的门电荷值及更高的雪崩和转换模式能量密度。这些器件专用于满足先进开关电源 (ＳＭＰＳ)和ＤＣ/ＤＣ转换器的性能要求。器件的先进条件结构技术和较小封装为功率系统带来了许多益处 ,如减少功率损耗 ,提高系统效率和稳定系统质量。以飞兆半导体ＴＯ 2 2 0封装 5 0 0ＶＦＱＰ18Ｎ 5 0Ｖ2为例 ,其ＦＯＭ较同类产品低 2 1%以上。此外 ,飞兆的 2 0 0ＶＦＱＤ18Ｎ2 0Ｖ2采用Ｄ ＰＡＫ封装 ,其ＦＯＭ (ＲＤＳ(ＯＮ)…