中锰钢透射电镜原位拉伸观察

文章利用透射电镜原位拉促的方法,研究了中锰奥氏体钢的加工硬化动态过程。结果表明：随着应变量增大,位错形成、增多并产生交互作用;铸态形成的铌的碳化物和形栾的出的碳化行对位镜运动产生强烈阻碍作用,应变诱发马氏体在高密度位错区形核并长大。     

TiAl合金形变孪晶恢复过程的原位拉伸观察

ＴｉＡｌ合金形变孪晶恢复过程的原位拉伸观察＊梁伟杨德庄＊赵兴国陆路郑维能（太原工业大学测试中心，太原０３００２４）（＊哈尔滨工业大学热处理教研室）（１／６）〈１１２］｛１１１｝形变孪生及（１／２）〈１１０］普通位错滑移是双相ＴｉＡｌ基合金的两个主要变...     

透射电镜原位研究Ni纳米晶粒成核生长

离子注入能够精确地控制能量和剂量 ,能够注入几乎所有的元素 ,甚至同位素 ,而且注入离子形成的纳米晶粒镶嵌在衬底里 ,使得形成的纳米颗粒得到了很好的保护。近年来 ,离子注入绝缘衬底材料形成量子点结构成为研究的热点。随着离子注入技术和工艺的不断改善 ,该方法在工业应用中成本越来越低 ,相信会在今后的材料制备中得到更广泛的应用。本研究在法国核谱质谱中心 (ＣＮＳＮＭ)的离子注入机和透射电镜联机装置上进行[1] ,衬底材料是用电子束蒸发沉积而形成的非晶ＳｉＯ2 薄膜 ,厚度在 90～ 10 0ｎｍ。选取适当的注入能量使注入离子的投影射…     

透射电镜原位研究Ni／C催化剂的表面形态

催化剂在使用过程中,表面形态的变化直接关系到催化剂的使用寿命,因此研究烧结、晶粒长大等问题一直是催化剂表面化学的主要课题。采用透射电镜(TEM)原位加热技术,在加热过程中,直接观察催化剂表面形态的变化,对研究烧结机理,可提供有价值的信息。本文在真空气氛下,采用这一技术,观察了在673～973K范围Ni/C催化剂表面形态的变化,发现在较低温度下(673～773K),烧结过程包含颗粒迁移和原子迁移;在高温(973K)主要发生原子迁移。     

离子注入过程中银纳晶的原位透射电镜研究

离子注入法已被广泛地用来改善玻璃的物理特性,如折射率、光吸收性能等[1]。金属离子注入玻璃后形成纳米晶体,它们的大小和密度在衬底的不同深度分布不同,这些分布对注入条件非常敏感,而且可以通过热处理加以改善。纳米晶体决定吸收带的光学特性,比如光学吸收带随纳米晶体大小的增加而产生红移现象。传统的理论将吸收波峰与纳晶的大小联系起来,通过吸收谱的特征来推断纳晶的大小,但这一理论只能给出一个平均直径。为了获得纳米晶体的大小、形状、密度和注入条件的关系,作者用透射电镜原位观察Ag注入非晶SiO2过程中银纳晶的形成和演化,通过…     

线缆及金属材料成都中心站土壤腐蚀原位测试研究

通过对成都中心站直埋电缆、光缆对地绝缘电阻、金属材料腐蚀率及土壤环境因素的原位连续测试,研究电缆、光缆及金属材料的土壤腐蚀规律。结合自然埋片研究土壤环境因素变化规律及对材料的腐蚀影响。     

高分辨率原位环境透射电镜的发展与应用

材料受周围环境的影响而产生的结构或成分变化一直都是材料科学和工业研发领域最关注的方向之一。随着材料研究的纳米化,外场导致的材料在亚纳米或原子尺度上的结构变化越来越成为认知材料宏观和纳米材料特性之根本。在诸如纳米催化剂的催化机制,材料的氧化-还原机制,纳米材料的生长或受力形变,电、磁场对材料纳米尺度结构的影响及微量气体探测等很多研究中有许多问题都需要一种特殊的电子显微镜即高分辨率原位环境电镜来帮助寻求答案。本文简要地回顾了环境透射电镜技术的发展思路,对于现代气体环境透射电镜的主流技术作了初步介绍,特别强调了高分辨率环境电镜的重要性以及在环境电镜中实现高分辨率所需要关注的一些技术环节,并力图通过具体实验实例使读者充分了解高分辨率原位环境电镜在材料科学研究中的重要性。     

双金属合金纳米颗粒的原位透射电镜研究

实时监测双金属合金纳米颗粒在合成过程及工作条件下,形貌、组成、结构等的动态演变,有助于理解其合成及催化机理,从而实现高性能双金属合金的合理设计、调控与合成。虽然相较于原位谱学技术,原位透射电镜的能量分辨率和精确度不高,但其可以在热、电等外场作用下实时观测和分析气相或液相环境中样品的微观结构、组成及形貌的动态变化,且空间分辨率可以达到纳米甚至原子量级,是重要的结构分析技术。本文简要归纳原位透射电镜在双金属合金纳米颗粒方面的应用研究,并探讨未来研究的挑战与机遇。     

透射电子显微镜原位磁场双倾样品杆的研制

本文简述了透射电镜磁场双倾样品杆的设计方案,展示了Philips/FEI透射电镜磁场双倾样品杆的研制成果.利用该样品杆可以产生100 Oe的连续磁场,也可以产生140 Oe以上的瞬间磁场.通过“U”型磁组件和样品杯的巧妙设计,尽可能的减小了电子束在横向磁场中的偏移量.     

化学原位还原法制备石墨烯－铜纳米颗粒复合物

石墨烯－铜纳米颗粒复合物具有良好的电导率、电催化活性和化学可修饰性,在电化学和生物传感器等方面有广泛的应用前景。本文采用水合肼和KBH4原位化学还原氧化石墨烯和Cu2＋混合溶液制备石墨烯－铜纳米颗粒复合物。结果表明：石墨烯－铜纳米颗粒复合物只有在碱性或中性溶液中才能制备成功,水合肼比KBH4的还原效果好。水合肼还原后的石墨烯呈半透明薄纱状,铜纳米颗粒成功地、均匀地沉积在石墨烯纳米片上,独立存在不团聚,大小均匀,边长≈1μm,呈三角形或者六边形纳米片,正六边形纳米片的｛111｝面、不规则六边形和三角形纳米片的｛110｝面平行于石墨烯的二维平面。     

In-situ nanoindentation of epitaxial TiN/MgO (001) in a transmission electron microscope

The deformation behavior of the epitaxial TiN/MgO (001) thin film/substrate system was studied through in-situ nanoindentation in a transmission electron microscope (TEM). The required sample geometry was prepared using Ga⁺ focused ion beam (FIB) etching. During room-temperature indentation, both the TiN film and the MgO substrate deformed through the motion of dislocations. The result was a localized hemispherical plastic zone in the TiN film directly under the indentation contact area, forming an 8° tilt boundary. These results show directly that small-scale plasticity in TiN can occur at room temperature through the motion of dislocations.     

应用电镜原位杂交技术与免疫标记技术研究膀胱上皮细胞的分化

本文应用电镜原位杂交技术与免疫标记技术相结合，在超微水平上对ＡＵＭ蛋白及其ｍＲＮＡ在细胞中的分布进行定性与定位的研究。结果显示ＡＵＭ蛋白的基因从小鼠膀胱上皮中间层细胞开始表达，从而为膀胱上皮细胞的分化提供了确凿的证据。     

Crystalline SiN<Subscript><Emphasis Type="Italic">x</Emphasis></Subscript> Ultrathin Films Grown on AlGaN/GaN Using <Emphasis Type="Italic">In Situ</Emphasis> Metalorganic Chemical Vapor Deposition

Surface passivation by SiN _x films is indispensable for high-power operation of AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors (HFETs) since it can effectively suppress collapse in the drain current. So far, the plasma-enhanced chemical vapor deposition technique has been used for the SiN _x deposition; however, possible damage induced by the plasma processing may affect direct-current performance or reliability. In this paper, we present subsequent deposition of SiN _x ultrathin films on AlGaN/GaN in the same metalorganic chemical vapor deposition reactor. It is experimentally found that this in situ SiN _x passivation doubles the sheet carrier density at the AlGaN/GaN interface from that of the unpassivated sample. High-resolution cross-sectional transmission electron microscopy reveals that in situ SiN _x is crystallized on the AlGaN layer as island-like structures via the Stranski-Krastanov growth mode. The lattice constants of in situ SiN _x are estimated to be a ≈ 3.2 Å and c ≈ 2.4 Å, which are quite different from those of well-known Si₃N₄ crystal structures. First-principles calculation predicts that the crystal structure of in situ SiN _x is the defect wurtzite structure, which well explains the experimental results. The passivation technique using crystalline SiN _x films would be promising for high-power and high-frequency applications of AlGaN/GaN HFETs.