半导体用有机绝缘膜

近年来,半导体元件用高分子材料的开发及应用技术有显著进步。过去,由于高分子材料的耐热性达不到半导体工艺的要求,而且杂质含量多,因此,应用于半导体工艺的高分子材料仅限于耐高压元件的接线护膜、二级管的防潮膜及包封元件的外壳,而没有用作元件组成材料绝缘膜的。十多年前,为了实现IC、LSI高集成化,开发了将聚酰亚胺类高分子材料用作多层配线的层间绝缘膜技术。其后又根据高分     

有机及有机金属化合物薄膜电开关特性

综述了在电场下由绝缘态到导电态的电开关记忆特性的几类化合物薄膜，包括聚苯乙烯及其衍生物的辉光放电聚合膜，酞菁铅和ＴＣＮＱ及其衍生物的电荷转移复合物的真空蒸发膜，乙酰丙酮铜的弧光放电等离子体聚合膜，１，３－二硫杂环戊烯－乙硫醇类过渡金属配合物的电沉积膜，含大共轭ＩＩ链有机化合物及偶氮化合物怀ＴＣＮＱ的电荷转移复合物的Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｌｏｄｇｅｔｔ（ＬＢ）膜，以及用离子团束－飞行时间质谱仪制备的Ｃ     

有机及有机金属化合物薄膜电开关特性

综述了在电场下由绝缘态（“0”态）到导电态（“1”态）的电开关记忆特性的几类化合物薄膜，包括聚苯乙烯及其衍生物的辉光放电聚合膜，酞青铅和TCNQ（7，7，8，8-四氰基对苯酸二甲烷）及其衍生物的电荷转移复合物的真空蒸发膜．乙酰丙团铜的弧光放电等离子体聚合膜，1，3－二硫杂环戊烯-乙硫醇（dmit）类过渡金属配合物的电沉积膜，含大共轭п键有机化合物及偶氨化合物与TCNQ的电荷转移复合物的Lansmuir－Blodgett（LB）膜，以及用离子团束-飞行时间质谱仪制备的C60－TCNQ和Ag－TDCN（TDCN为多共轭苯腈）薄膜。     

有机金属化合物化学气相沉积法

一、前言有机金属化合物化学气相沉积法简称MOCVD法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)或有机金属化合物气相外延法(Metal Organic Vapor Phase Epitaxy)简称MOVPE或OMVPE法。它是把反应物质全部以有机金属化合物的气体分子形式,用H_2气作载带气体送到反应室,进行热分解反应而形成化合物半导体的一种新技术。由于它用控制气体流量的方法,容易改变化合物的组成及掺杂浓度,同时所用的设备比较简单,生长速度快,周期短,而且有可能进行批量生产。目前,在半导体器件工艺中开始应用和受到重视。     

铑有机金属化合物贮氢装置

英国巴斯大学研究人员宣告，他们发现了一种由6个铑原子和12个氢原子组成的有机金属化合物，该化合物在室温和一个大气压下可吸收2个氢原子，而在施加小电流时可释放出氢气。[第一段]     

化合物半导体

2003年2月底在圣地亚哥(美国)召开了“化合物半导体2003年展望”会议。除高亮度LED和大带隙固态激光器外，一些电子器件市场和成熟的固态激光器市场还未恢复到其历史最好水平。某些GaAs IC市场和SiC器件市场今年将会增长。蓝光激光二极管受一些日本公司左右(日亚、索尼、NEC、先锋、夏普、丰田合成等)。日本公司大力开发用于大容量光盘的这类激光器。     

化合物半导体

随着化合物半导体逐步发展,在工业上正由研究阶段向生产阶段迈进。但是,为了能得到象目前硅那样的进展,目前还有许多技术问题有待解决,(1) 大型低价化;(2) 低位错密度;(3) 特别是技术上要求半绝缘性结晶的杂质控制。     

用有机金属聚合物制造陶瓷材料

介绍了近年来以有机金属聚合物为先驱体制造陶瓷材料方面的特性、发展概况与发展前景。详细论述了SiC、Si-Ti-C、Si_3N_4、SiC-C、BN、AlN、Al_2O_3等纤维制造陶瓷的过程以及结构组成与特性     

化合物半导体新进展

每年一次的国际电子器件与材料（IEDM）会议一直是反映该领域进展的“晴雨表”，2004年的会议也反映了一些主要的进展，本不限于介绍这次会议而试图介绍化合物半导体方面的进展。IEDM的内容以Si基器件为主，但一些性能最好的器件往往只能用Ⅲ-Ⅴ族化合物，如GaAs等材料才能制出。     

化合物半导体市场

1、2000年化合物半导体材料市场规模:600亿日元。其中,移动电话用的GaAs材料约320亿日元。 2、世界市场中日本的占有率是压倒多数。其中,GaP占世界市场的95％以上,GaAs占世界市场的70～80％。在单晶中,光和电子器件用的共占80％;外延片中,光器件用占85％,电子器件用占60％;芯片中,光器件用占70％,电子器件用占60％;在器件中,光器件和电子器件占60％。     

有机电致发光发射用金属络合物研究

金属有机络合物在分析化学中有状广泛的应用。而用做发光材料还是近些年才开始的。有机电致妈光材料从结构上区分可分为（１）有机色素（２）螯合型金属络合物（３）有机高分子其中ＥＬ发光性能最好的则是Ａｌ＾３＋－８－羟基林的络合物，基于这种观占本文系统地评述了螯合型金属络合物如何满足有机ＥＬ器件要求及近年来用各种金属络合物研制出的有机ＥＬ器件的进展。     

集成电路用的光化学金属有机沉积

苏格兰的Ceimig公司报道，光化学金属有机沉积（PMOD）工艺是一种利用有机金属化合物前驱体进行薄膜生长的工艺，它在印刷、制作集成电路方面有很多优点。厚度不足200nm的金、铂等金属，Al2O、ZnO和TiO2等氧化物，BaTiO3、PZT和ITO等均可用此工艺生长。这些材料均可印刷成线宽不足5nm的图形。     

一些金属,半导体和化合物的Ar^＋溅射产额

离子溅射技术已广泛地应用于现代工艺和研究领域的许多方面,成为一种重要的技术手段。表面分析技术结合溅射剥离技术可以获得固体成份的深度分布,这在许多研究工作中和应用技术领域中有着重要意义。此外,在基片上用溅射法进行薄膜的沉积;利用溅射可以获得原子级的清洁表面;对薄膜进行深度剖面分析和实现深度细微加工等。     

金属有机骨架化合物的二氧化碳吸附性能的研究进展

能源与环境是人类生存和发展的必要条件,两者协调发展是社会实现可持续发展的重要保证。近几年来,人类赖以生存的化石燃料所带来的负面影响逐渐受到社会的关注,而化石燃料燃烧所释放出的CO2是造成温室效应的主要原因。因此在低碳经济环境下开发出高效环保的碳捕获和封存技术,对能源循环利用及环境保护起到至关重要的作用。使用胺溶液进行洗涤及吸收CO2是工业上捕获和存储(CCS)最常用的技术之一(例如从电厂烟气中分离CO2),该法可以大幅减少CO2的排放量,但同时也会增大工厂的能源消耗(25%～40%),从而大幅增加额外成本。胺洗涤的其他缺点包括碱溶液对设备的腐蚀、溶剂的损失、大量产热引起的胺降解以及捕获之后不易被分离出来。另一种捕获CO2的方法是采用高温下吸收(化学吸附)的固体材料如碱金属陶瓷、固体胺、层状双氢氧化物或钙基吸附剂,但此类方法的能量消耗和对水分子及其他组分的敏感性限制了其应用范围。此外,采用聚合物或无机膜,在不同的机制下选择性分离混合气体也是一种可行的方法,但很难获得具有高稳定性、高选择性和高通量的薄膜,并且提高膜的吸附分离作用和选择性非常必要。对于固体吸附剂而言,高压下多孔材料对CO2的捕获是以吸附剂与被吸附物相互作用为主,而在低压或低CO2浓度下的选择性捕获主要受吸附剂与被吸附物相互作用以及吸附剂对CO2的化学亲和力两者共同影响。金属有机骨架化合物(MOFs)具有高结晶度、高比表面积和可调的孔隙结构,在气体吸附尤其是CO2捕获方面展示出巨大的潜力。相对于活性炭、沸石等固体吸附剂来说,MOFs具有更高的吸附选择性。将其应用于碳捕获和封存技术中,可以大幅拓宽CO2吸附剂的可选择范围,在提高吸附选择性的同时,也可以有效地降低成本。目前,有望采用MOFs材料捕获CO2的场合包括发电厂的碳捕集、天然气中CH4/CO2的分离、交通工具排放的CO2的收集甚至直接从空气中捕获。因此,研发能够高效吸附分离CO2的MOFs材料对于缓解环境压力意义重大。本文概括了CO2吸附模型的建立方法,提出了几种提高MOFs对CO2捕获量的策略。如提高开放金属位点的密度、掺杂金属或氮原子、调节孔径或进行氨基功能化以及合成MOFs复合材料等,并比较了不同方法对于改善低压条件下CO2吸附量的影响,有望将其应用于捕获燃烧后烟道气、汽车尾气以及其他小型排放源中的CO2。     

化合物半导体功能材料

一、前言随着工业和技术的发展,世界各国都重视材料科学的研究工作。目前对高功能性高分子材料、精细陶瓷材料、新金属材料、半导体功能材料以及各种复合材料进行积极的研究工作。下表示出日本对这几种材料的研究经费投资情况。     

化合物半导体及其应用

本文主要以Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体为重点介绍它的特性和应用、制备方法、需要解决的问题及今后的发展动向。     

化合物半导体及结晶材料

一．2005年度市场动向 据日本新功能化合物半导体恳谈会（JAMS-CS）统计，日本2005年度（2005年4）-2006年3月）化合物半导体材料的出货额比2004年度减少7％，为473亿日元。其中，内需为239亿日元，同比减少15％，出口为233亿日元，同比增长3％。出121比例增加到49％。     

化合物半导体及结晶材料

一．2007年度市场动向 据日本新功能化合物半导体恳谈会（JAMS-CS）统计，日本2007年度（2007年4月-2008年3月）化合物半导体材料的出货额与2006年度基本持平，为511亿日元。其中内需为246亿日元，同比增加7％，出口为265亿日元，同比减少5％，出口比例为52％。