准连续大功率二维层叠量子阱激光器列阵

研究了大功率列阵器件的量子阱结构、材料生长、列阵结构、隔离技术与封装技术,研制出6条层叠GaAs/AlCaAs量子阱激光器列阵,其峰值功率为404W(20Hz,200μs),电-光转换效率高达43.3%.     

准连续在功率二维层叠量子阱激光器列阵

研究了大功率列阵器件的量子阱结构，材料生长，列阵结构，了技术与封装技术，研制了６条层叠ＧａＡｓ／ＡｌＣａＡｓ量子阱激光器列阵，其峰值功率为４０４Ｗ，电－光转换效率高达４３．３％。     

无铝大功率激光器列阵研制成功

由中科院长春光机所承担的“808nm百瓦级连续波无铝量子阱迭阵激光器研制”项目通过了鉴定。该项目在国际上首次采用光源成像调节技术，实现了五个高功率激光器bar组成的激光器线阵(5bar)光束共线，研制出了连续输出217W、光谱半宽为2．5mm、5bar共线性好的激光列阵模块，达到国际先进水平。     

808nm高功率量子阱远结激光器及其电噪声特性

介绍了８０８ｎｍ高功率最子阱远结半导体激光器的结构和器件特性,测试了器件的低步电噪声,讨论了噪声与频率、注入电流及器件质量的关系。结果表明,８０８ｎｍ高功率量子阱远结半导体激光的阈值电流在老化初期随时间的延续而降低,其噪声在低频段主要为１／ｆ噪声,且以阈值附近有量大值,器件噪声与器件质量有一定的相关性。     

915-980nm应变量子阱激光器新进展

报道了915～980nm半导体激光器的最新进展,宽条激光器输出功率为0.2～2.0W,最大输出功率大于5W;基横模脊形波导半导体激光器输出功率达400mW,水平和垂直方向远场发射角分别为70和230,组合件输出功率大于150mW。     

940nm高功率列阵半导体激光器

利用分子束外延生长方法生长出ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱材料。利用该材料制作出的应变量子阱列阵半导体激光器准连续（５００μｓ,１００Ｈｚ）输出功率达到２７Ｗ（室温）,峰值波长为９３９￣９４１ｎｍ,并分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。     

LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器

设计并利用LP－MOCVD生长了InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱结构,采用无铝的InGaP做光学包层。腔面未镀膜情况下,测试10支条宽100μm,腔长1mm的激光器样品,连续输出功率超过1W,阈值电流密度为330～490A/cm2,外微分量子效率为55％～78％,中心发射波长为(808±3)nm。     

连续输出20WAlGaAs／GaAs量子阱激光二极管线列阵

采用ＭＯＣＶＤ实现了ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ量子阱结构，获得了连续输出２０Ｗ激光二极管线列阵，线列阵长度１．０ｃｍ，激射波长８０８±４ｎｍ。     

量子阱结构的红外半导体激光器

日本飞秒技术研究协会（Femto Second Technology Research Association)最近开发出一种用于光学开关的半导体器件。与普通的器件相比,该新型器件的特点在于通过开关的光信号衰减能减至最小限度,光信号达到最强水平。这种输出光信号强度高达普通器件的25倍。     

980nm InGaAs／GaAs／AlGaAs应变量子阱激光器

报导了脊形波导ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器的特性和实验结果，激光器阀值电流最低为９ｍＡ，典型值为１５ｍＡ，线性输出光功率大地１２０ｍＷ，微分量子效率典型值为６０％，５０℃，８０ｍＷ恒定功率条件下老化实验结果表明；该条件下激光器寿命超过１０００小时。     

60瓦半导体激光器光纤耦合器件

应用光纤列阵耦合方式，对大功率半导体激光器线列阵输出光束的快轴方向用一根柱透镜准直，准直后的光束耦合到光纤列阵中，实现出纤功率为60瓦的大功率半导体激光二极管线列阵光纤耦合器件，耦合效率大于80％，光纤的数值孔径NA为0．11。     

稳功率Nd：YAG连续激光器

选用高频开关电源作Ｋｒ灯电源，并使用热稳谐振腔、特殊聚光腔等，使Ｎｄ：ＹＡＧ连续激光器输出功率的稳定度达到±２％的水平。     

半导体激光器调制驱动电源的研制与实践

目的　为半导体激光器合成外差干涉研制一调制驱动电源 .方法　选用现有大规模集成芯片 ,设计力求简单、实用、成本低及高性能 .结果　利用数码调制驱动芯片线性区实现各种方式的调频是可行的 .结论　该调制驱动电源满足各种波形的合成外差干涉 ,具有广泛的应用价值 .     

高功率半导体激光器阵列微通道热沉的温度

微通道热沉是解决高功率半导体激光器阵列散热有效的途径,本文利用有限元方法研究半导体激光器的温度,给出了横向尺寸为200 μm×60 μm单个及间距100μm的3,5,9的微通道热沉中的温度,得到微通道数量影响激光器最高温度变化.结果表明,单个微通道构成的热沉可以把注入电流为36 A稳态工作的激光器阵列冷却到342 K,9个微通道可以冷却到306 K.仿真了增加微通道间距的温度分布,发现为间距260 μm的5个微通道热沉,可以将激光器冷却到308 K.     

半导体激光器输出功率影响因素的研究进展

大功率半导体激光器是现代激光加工设备、激光再制造设备、激光医疗、激光显示以及国防设备中重要的关键基础元器件和核心组件,在工业和国防等领域有着广泛的应用.提高半导体激光器的输出功率首先需要确定影响功率输出的因素,然后通过优化外延材料、芯片结构和制备工艺来解决这些问题.因此,对大功率半导体激光器输出功率影响因素的研究具有重...     

测量高功率激光束衍射光斑阵列位置的图象处理方法

介绍了测量高功率激光束射光斑阵列的各光斑中心位置的计算机图象处理方法。讨论了ＴＩＦＦ图象格式的全用技巧，利用灰度级确定各衍射光斑光强中心以及去除噪声光点的计算机处理方法，用计算机软件实现了常规Ｈａｒｔｍａｎｎ－Ｓｈａｃｋ传感器中子透镜阵列的子光束聚焦过程。