一种基于射频电子标签的超低电压低功耗基带处理器

设计了一款应用于超高频段射频识别系统中电子标签的超低电压低功耗基带处理器.该基带处理器兼容协议,并满足无源标签的超低功耗要求.在设计上有针对性地提出了一种适合于门控时钟电源管理机制的体系结构,以及简单有效的随机数发生机制和分布式译码电路;并灵活运用了流水线结构、降低逻辑深度等低功耗技术.实现了解码/编码、CRC校验、指令解析、防碰撞机制和权限认证,以及对EEPROM的读写操作等功能.芯片采用Chartered 0.35μm 1P3M CMOS标准工艺实现,正常工作的最低电压仅为1.5V,平均电流2.1μA,功耗3.15μW,面积1.1mm×0.8mm.     

无源UHFRFID标签芯片基带处理器的低功耗设计

在分析ISO18000-6C标准内容的基础上,提出了一种基带处理器的结构,设计了一款符合ISO18000-6C标准的UHF RFID标签芯片的基带处理器。该基带处理器可支持协议规定的所有强制命令。设计通过降低工作电压、降低工作频率、使用门控时钟、增加功耗管理模块等一系列低功耗设计以降低处理器的功率消耗。在Xillinx的Virtex-4FPGA上验证满足协议功能要求,并在工作电压为1V,时钟为1.92MHz时,功耗仿真结果为9.9μW,很好的完成了低功耗电子标签的基带处理器设计。     

面向海关应用的UHF RFID电子标签芯片基带处理器

设计了一款基于ISO 18000-6C协议且适用于海关集装箱运输监控的数字基带处理器。提出并分析了数字基带处理器的总体结构以及模块划分,详细介绍了锁离合采集、锁离合监测记录等关键电路的设计。芯片采用TSMC 0.18μm 1P5M嵌入式EEPROM混合CMOS工艺实现。测试结果表明,芯片支持协议规定的所有功能,能正确记录开锁次数,其正常工作的最低电压为1V,平均电流为6.7μA,功耗为6.7μW,芯片尺寸为710μm×320μm。     

无源UHF RFID芯片中低功耗基带处理器的设计

对UHF RFID标签芯片的数字基带处理器结构及工作原理进行了分析。该基带处理器兼容ISO18000-6C协议。采用一系列先进的低功耗技术,如门控时钟技术、减小工作电压、降低时钟频率等,以降低无源射频识别标签的功耗。整个标签芯片采用TSMC 0.18μm 1P5M嵌入式EEPROM混合CMOS工艺实现。测试结果表明,该芯片正常工作的最低电压仅为1 V,平均电流为6.8μA,功耗为6.8μW,面积仅为150μm×690μm。     

超低功耗RFID标签基带处理器

针对集成片上天线(OCA)的超高频射频识别(RFID)标签设计了一款RFID专用协议的基带处理器,以满足RFID标签嵌入纸张及微小物体的防伪功能.由于OCA与读写器天线近场耦合获取能量有限,集成OCA的无源标签对功耗要求更加苛刻.针对微小OCA标签的应用需求,采用异步电路、门控时钟、低压库、多时钟域等低功耗设计方法,设计了专用协议标签基带处理器,其CMOS低压库的设计可以使基带处理器在0.5V的电源电压下工作,综合布局布线后,其电路仿真结果表明,峰值功耗仅为0.32 μW.标签芯片在UMC 0.18 μm标准工艺下流片,测试结果显示,在读写器输出20 dBm能量的情况下,带OCA标签的读距离可达2 mm.     

一种新颖的单片集成红外传感信号处理器

介绍一种新颖的单片集成红外传感信号处理器。这种处理器能与多种红外传感器匹配 ,对接收到的传感信号进行处理 ,产生控制信号 ,快速启动各类装置 ,实现自动控制。芯片设计中采用多种抗噪声和低功耗设计技术。本处理器用 1 .2μm双层多晶双层金属 N阱 CMOS工艺实现 ,芯片总面积 2 .7mm2 ,电源电压 5 V时的静态电流为 1 .2 m A,封装后样品测试结果获得设计预期的功能和性能     

一种低功耗高频RFID标签芯片基带控制器

设计了一款应用于高频射频识别标签芯片的基带控制器。该基带控制器符合ISO15693标准协议,满足无源射频识别标签的低成本、低功耗的需求。详细论述了解码电路、命令响应模块及状态机、数据组织模块等关键电路的设计。芯片采用中芯国际0.35μm2P3M嵌入式EEPROM的混合信号CMOS工艺实现,基带控制器的Core面积仅为0.23mm2,功耗低至66.8μW。     

一种新型低功耗UHF RFID标签数字基带

设计了一款符合EPC C1 G2/ISO 18000-6C协议的超高频射频识别标签数字基带处理器。采用新型数字基带结构,并运用门控时钟、异步计数器和多种低频时钟协同工作等多种低功耗设计方法,降低了标签芯片的功耗和面积。在TSMC 0.18 μm标准CMOS工艺下流片,数字基带处理器版图面积为0.14 mm²,数字部分平均功耗为14 μW。     

低功耗UHF RFID标签基带处理器的ASIC实现

设计并实现了一种新颖的超高频RFID标签的基带处理器.该标签以ISO/IEC 18000-6C协议为基础,但在反向链路通信方面,在原协议FM0编码/Miller调制副载波的基础上增加了扩频编码的实现,目的是提高反向链路的通信信噪比.该设计支持协议要求的所有11条强制命令的读写操作,概率/分槽防冲突算法,以及对存储器的读写操作.设计中采用了低功耗技术,显著降低了芯片的平均功耗和峰值功耗.芯片采用0.18 μm6层金属CMOS工艺进行流片,面积为0.5mm2.测试结果表明,芯片消耗功耗约为16μW,最低工作电压为1.04 V.     

一种低功耗射频无线收发芯片基带控制器

设计了一种应用于射频无线收发芯片的数字基带控制器,采用中芯国际0.18μm CMOS工艺设计。该基带控制器系统主要包括接口电路、组帧电路、解帧电路以及核心控制处理器,可实现SPI通信和多种收发功能操作。基带控制器最终被集成到射频收发机芯片中并进行了流片验证,测试结果显示,基带控制器面积为0.54mm2,所有功能工作正常,实测功耗0.59mW。