1.8 GHz相位噪声优化的差分压控振荡器

针对DCS-1800标准，设计了应用于频率综合器中的差分压控振荡器。采用噪声滤波器，降低了VCO的相位噪声；采用片上电感，压控振荡器可以单片集成。其可调频率为1660～1815MHz，在偏置频率为600kHz的条件下，仿真测得的相位噪声为-125dBc／Hz。整个VCO的工作电压为2．5V，工作电流为6mA。     

一种0.13微米CMOS工艺1.0V差分压控振荡器设计

本文实现了一种集成高品质因素片上电感的差分互补压控振荡器。该压控振荡器的谐振腔由片上电感和反型MOS电容并联组成。谐振腔的品质因素主要被片上电感性能所限制。通过优化设计以及采用单圈的拓扑结构,片上电感在6GHz仿真的品质因素可以达到35。本文提出的压控振荡器采用SMIC0.13微米工艺流片,芯片面积为1.0×0.8mm2。振荡器的频率范围为5.73GHz到6.35GHz。当振荡器中心频率为6.35GHz时,其功耗在1.0V电源电压时为2.55mA,1MHz频偏处相位噪声为-120.14dBc/Hz。该压控振荡器的FOM值达到-192.13dBc/Hz.     

一种基于BiCMOS工艺的差分压控振荡器

设计了一种Colpitts型LC振荡器。该电路采用差分结构，具有集成度高，噪声性能良好的优点。该设计基于0．8μm BiCMOS工艺，实现了中心频率为433MHz的Colpitts型差分压控振荡器（VCO）。电路采用3V电压供电，频率范围399．8～465．1MHz，偏离中心频率1MHz处的相位噪声是-137dBc／Hz。     

精确的1.08GHz CMOS电感电容压控振荡器

在0.35μm 2P4M标准CMOS工艺上,设计了一个精确的1.08GHz CMOS电感电容压控振荡器.提出了一种有效计算压控振荡器周期的新方法,采用该方法计算的频率-电压调谐曲线与实验结果吻合得很好.在电源电压3.3V下,消耗电流3.1mA,压控振荡器的相位噪声在10kHz频偏处为-82.2dBc/Hz.芯片面积为0.86mm×0.82mm.     

低相位噪声压控振荡器设计

分析了LC压控振荡器(VCO)相位噪声,通过改进电路结构,采用PMOS和NMOS管做负阻管,在尾电流源处加入电感电容滤波,优化电感设计,设计了一种高性能压控振荡器.采用TSMC 0.18 μm IP6M CMOS RF工艺,利用Cadence中的Spectre RF工具对电路进行仿真.在电路的偏置电流为6 mA、电源电压VDD=1.8 V时,输入控制电压为0.8～1.8 V,输出频率变化为1.29～1.51 GHz,调谐范围为12.9%,相位噪声为-134.4 dBc/Hz@1MHz,功耗仅为10.8 mW.     

1V 2.5GHz压控振荡器设计

设计了 1V ,2 .5 GHz的全集成压控振荡器 .通过优化集成电感的设计 ,同时采用 NMOS管和开关电容阵列作为可变电容 ,使该设计具有较低的相位噪声和较宽的调谐范围 .采用 0 .18μm CMOS工艺进行仿真 ,结果显示 ,在1V电源电压下 ,在偏离中心频率 6 0 0 k Hz处的相位噪声为 - 119d Bc/ Hz,调谐范围为 2 8% ,功耗为 3.6 m W.     

1V 2.5GHz压控振荡器设计

设计了1V,2.5GHz的全集成压控振荡器.通过优化集成电感的设计,同时采用NMOS管和开关电容阵列作为可变电容,使该设计具有较低的相位噪声和较宽的调谐范围.采用0.18μm CMOS工艺进行仿真,结果显示,在1V电源电压下,在偏离中心频率600kHz处的相位噪声为-119dBc/Hz,调谐范围为28%,功耗为3.6mW.     

宽带VCO自动幅度控制电路中检幅电路的设计

设计了一种新型的幅度检测器用于宽带CMOSVCO的自动幅度控制电路中,通过AAC确保了VCO在整个带宽内能够可靠的起振,同时,新的幅度检测器解决了传统幅度检测电路导致的VCO相位噪声恶化的问题。基于Chartered0.25μm CMOS工艺的测试结果表明,在AAC电路运用新型的检幅电路后,VCO在全波段能够可靠起振同时获得较好的相位噪声特性,偏移中心频率10k处的相噪能改善6dBc。     

压控振荡器组件的改进设计

介绍了某导航设备频率合成器的原理。针对导航设备压控振荡器组件故障率高的缺点,对其进行了改进设计。设计中压控振荡器组件采用改进型电容三点式振荡电路,并对组件的实现方法进行了阐述。经过生产验证,新压控振荡器组件生产性好、调试量小、输出频率稳定、抗震性好、工作可靠、满足整机性能指标,完全可以替代原压控振荡器组件。     

基于ispPAC20的单片集成压控振荡器设计

介绍了一种基于在系统可编程模拟芯片ispPAC20的单片集成压控振荡器的设计方法,具有开发速度快、可靠性高、灵活性高等优点。给出了实验分析和单端输入接口电路的设计方法。     

A 1.1GHz LC VCO with Automatic Amplitude Control for Tuner Applications

为集成调谐器接收机芯片系统设计了一个带自动幅度控制回路的差分结构电容电感压控振荡器.通过采用pMOS管作为有源负阻使振荡器谐振回路可以直接接地电平,减小了寄生效应,扩大了频率调谐的线性及其范围.采用的自动幅度控制AAC回路具有元件少,噪声低,控制灵敏,调节容易,结构简单及设计方便的优点,并保证振荡器电路的性能最小地依赖于环境和制造工艺参数的变化.所设计的压控振荡器采用新加坡特许50GHz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺流片,经测试在1MHz频率偏移处达到了-127.27dBc/Hz的相位噪声性能,具有宽的(990～1140MHz)和线性(调谐增益32.4MHz/V)的频率调谐曲线.整个振荡器电路在5V的供电电压下仅消耗6.6mA的电流,可以满足调谐器的应用需要.     

宽带低噪声LC VCO及一种新式稳幅电路的设计

本文给出了基于0．35μm CMOS工艺的VHFH波段宽带低噪声LCVCO的设计。并提出了一种新的自动幅度控制电路：电荷泵式自动幅度控制电路（CP_AAC）。测试结果表明：该VCO在全波段相位噪声低于-79dBc／Hz@10kHz，而且CP_AAC对VCO相位噪声的影响低于1dB。     

5GHz0.18μm CMOS宽带LC VCO

采用0.18μm RF CMOS工艺,设计了一个5GHz的宽带电感电容压控振荡器。该压控振荡器的电路结构选用互补交叉耦合型,采用噪声滤波技术降低相位噪声,并采用开关电容阵列扩展其调谐范围。后仿真结果表明,实现了4.44～5.44GHz的宽调谐。振荡器的电源电压为1.8V,工作电流为2.78mA,版图面积为0.37mm2。     

带自适应体偏置的宽带LC VCO自动幅度控制策略

为了优化宽带LC型压控振荡器（LC VCOs）相位噪声性能,提出一种自动幅度控制策略。该策略结合了自适应体偏置和数字校准。当VCO开始工作时,自适应体偏置技术使VCO在不同的工艺角、电压和温度（PVT）情况下快速起振。当谐振频率变化时,在自适应体偏置和数字校准的作用下,VCO的谐振幅度被控制在最优值附近,达到优化相位噪声的目的。在TSMC 0.18μm CMOS工艺中,覆盖频率范围为1.6～3.2GHz的宽带LC VCO用来验证该幅度控制策略的可行性。基于SpectreRF的仿真结果表明LC VCO的幅度变化率降低90%,且在3.2GHz谐振频率,10kHz频率偏移处的相位噪声改善8.2dB。     

全集成低功耗低相位噪声差分LC压控振荡器设计

介绍了一个针对全球定位系统接收机的全集成差分LC压控振荡器设计.该设计采用互补交叉耦合晶体管对结构,去掉了尾电流源以消除其热噪声对相位噪声的影响.考虑到低功耗低相位噪声表现,文中给出设计步骤.该设计经台积电0.18 μm射频CMOS工艺进行流片验证.在1.5 V的供电电压下,VCO振荡于3.14 GHz,仅消耗1.2 mA.在频偏600 kHz和1 MHz的情况下,其相位噪声分别为-113 dBc/Hz和-118 dBc/Hz.     

自调谐VCO频段选择技术比较与设计

系统分析了自调谐的必要性和各种具有频段选择功能的LC VCO(电感电容压控振荡器)的特点,设计了一种可以应用于自调谐的LC VCO结构.该压控振荡器用5层金属0.25 μ m的标准CMOS工艺制造完成,测试结果表明,该压控振荡器在电源电压为2.7V时的功耗约为14mW,它具有约1 80MHz的调谐范围,在振荡中心频率为1.52GHz时的单边带相位噪声为-110dBc/Hz@1MHz.     

一种用于高精度跟踪型RDC的压控振荡器

基于恒压式电荷平衡压控振荡器技术,设计了一种用于高精度跟踪型RDC的VCO。结合RDC系统自身的特性,完成了时序控制电路及器件参数的详细设计,实现了一种具有高线性度(<0.25%)、压控增益外部可调等特点的VCO并完成版图设计。该VCO可推广应用于其他类似要求的专用ASIC电路中。     

6.25 Gbps SERDES 用 bang-bang 锁相环的分析与设计

本文首先分析了bang-bang 锁相环路的非线性,推导出三阶等效电路模型以估计环路设计参数。并且给出了推荐的晶体管级电路结构：其中鉴相器采用Alexander PD,由基于电流模逻辑的四个主从D触发器和两个异或门构成;异或门采用无负载结构;基于系统对抖动的指标要求,振荡器采用电感电容结构;简化的电压转电流结构代替传统的电荷泵驱动环路滤波器;环路滤波器是保证该非线性环路稳定性的关键,这里给出滤波器参数设计的详细描述。该电路采用0.18 CMOS 工艺实现,芯片面积为0.5 mm2. 其中电源电压为1.8 V,功耗 81 mW。VCO压控增益为270 MHz/V。输出频率范围为2.995 GHz 到3.35 GHz,相位噪声为-118.38 dBc/Hz @ 1 MHz。     

用于数字电视调谐器的宽带CMOS VCO设计

采用片外谐振网络和多VCO的结构设计了一个宽带CMOS VCO,并采用一种新型的电荷泵式自动幅度控制电路,确保了VCO在整个带宽内的可靠性。基于Chartered 0.25μm CMOS工艺的测试结果表明,该VCO的频率能够覆盖75~900 MHz,单边带相位噪声最佳值达到了-92 dBc/Hz@10 kHz。