一种适用于射频电子标签的低电压低功耗振荡器

提出了一种适合射频电子标签应用的振荡器设计方法.针对低电压低功耗的要求,选择了比较简单的振荡器结构,通过调节电流的方法来调节振荡器的输出频率.输出电流与电源无关的偏置电路设计保证了振荡器输出频率的稳定,低功耗的二进制权电流电路提供了很小的寄生参数、较高的电流精度和很小的芯片面积.芯片在Chartered 0.35μm CMOS工艺流片,电源电压为1.2～2V,环形振荡器消耗的平均电流约为6.5μA.     

一种适用于射频电子标签的低电压低功耗振荡器

提出了一种适合射频电子标签应用的振荡器设计方法．针对低电压低功耗的要求，选择了比较简单的振荡器结构，通过调节电流的方法来调节振荡器的输出频率．输出电流与电源无关的偏置电路设计保证了振荡器输出频率的稳定，低功耗的二进制权电流电路提供了很小的寄生参数、较高的电流精度和很小的芯片面积．芯片在Chartered 0.35μm CMOS工艺流片，电源电压为1.2～2V，环形振荡器消耗的平均电流约为6.5μA．     

RFID中嵌入式EEPROM的超低功耗设计

基于SMIC 0．35μm嵌入式EEPROM工艺实现了一款256byte的超低功耗EEPROMIP核。典型情况下．读电流为40μA，页编程电流为250μA，特别适合RFID（Radio Frequency Identiffcation）标签芯片的应用。针对芯片中各种功耗的来源进行了详细的分析，并给出了相应的实现方法。     

一种40ns 16kb EEPROM的设计与实现

基于0.35μmCMOS工艺,设计并实现了一个3.3V16kbEEPROM存储器。该电路采用2k×8的并行结构体系。通过优化设计灵敏放大器、位线译码和字线充放电等电路,加快了读取速度,典型值仅40ns;通过编程模式和编程电路的设计,提高了编程速度,页编程时间为2ms,等效于每字节62ms。重点研究了片上高压产生电路,提出了一种在不增加工艺难度和设计复杂度的情况下提供良好性能的电荷泵电路。电路的单元面积为11.27μm2,芯片尺寸约1.5mm2。     

适用于无源射频标签的低功耗单栅非挥发性存储器

针对低成本、低功耗无源射频电子标签,采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器.存储器单元基于双向Fowler-Nordheim隧穿效应原理并采用普通的pMOS晶体管实现;编程/擦写时间为10ms/16bit.芯片实现块编程和擦写功能,通过提出一种新型的敏感放大器而实现了读功耗的优化.在电源电压为1.2V,数据率为640kHz时,读操作平均消耗电流约为0.8μA.     

适用于EEPROM的低功耗高效率的高压产生电路

本文提出了一种应用于嵌入式EEPROM的低功耗和高效率的高电产生电路。低功耗的实现是基于电容分压电路和控制时钟的稳压电路技术;高效率是由于采用了零阈值Vth MOSFET和电荷传输开关技术的电荷泵。该高电压电路采用0.35 μm CMOS工艺流片。测试结果表明,高电产生电路的功耗约150.48 μW和电荷泵效率高达83.3％,因此高电产生电路也可广泛用于低功耗Flash中。     

一种基于射频电子标签的超低电压低功耗基带处理器

设计了一款应用于超高频段射频识别系统中电子标签的超低电压低功耗基带处理器.该基带处理器兼容协议,并满足无源标签的超低功耗要求.在设计上有针对性地提出了一种适合于门控时钟电源管理机制的体系结构,以及简单有效的随机数发生机制和分布式译码电路;并灵活运用了流水线结构、降低逻辑深度等低功耗技术.实现了解码/编码、CRC校验、指令解析、防碰撞机制和权限认证,以及对EEPROM的读写操作等功能.芯片采用Chartered 0.35μm 1P3M CMOS标准工艺实现,正常工作的最低电压仅为1.5V,平均电流2.1μA,功耗3.15μW,面积1.1mm×0.8mm.     

一种基于射频电子标签的超低电压低功耗基带处理器

设计了一款应用于超高频段射频识别系统中电子标签的超低电压低功耗基带处理器.该基带处理器兼容协议,并满足无源标签的超低功耗要求.在设计上有针对性地提出了一种适合于门控时钟电源管理机制的体系结构,以及简单有效的随机数发生机制和分布式译码电路;并灵活运用了流水线结构、降低逻辑深度等低功耗技术.实现了解码/编码、CRC校验、指令解析、防碰撞机制和权限认证,以及对EEPROM的读写操作等功能.芯片采用Chartered 0.35μm 1P3M CMOS标准工艺实现,正常工作的最低电压仅为1.5V,平均电流2.1μA,功耗3.15μW,面积1.1mm×0.8mm.     

一种适用于超高频标签芯片的低功耗电压基准电路

提出了一种适用于超高频无源电子标签芯片的低功耗电压基准电路.电路采用N+注入栅的PMOS管和亚阈值区温度补偿技术.芯片采用TSMC 0.18 μm CMOS混合工艺流片.测试结果表明:该芯片可以在1.2～2.4 V的电源电压范围下工作,1.2 V电源电压下电压基准电路静态功耗为60 nW.电路面积为0.01 mm2,T...     

适用于射频识别标签的64-kbit嵌入式阻变存储器

设计并实现了一颗适用于射频识别(RFID)标签的低功耗嵌入式64-kbit阻变存储器芯片.提出了新型的带尖峰电流控制功能的高压稳压电路,在提供稳定编程电压的同时降低了芯片电源上的瞬态大电流,改善了存储器电路的可靠性;设计了适用于2T2R(2 Transistors and 2 Resistive cells)单元的敏感...     

An Ultra-Low-Power Embedded EEPROM for Passive RFID Tags

采用Chartered 0.35μm EEPROM工艺设计并实现了一个适用于无源射频电子标签的256位超低功耗EEPROM存储器.芯片实现了块编程和擦写功能,并通过优化敏感放大器和控制逻辑的结构,实现了读存储器时间和功耗的最优化.最后给出了芯片在编程/擦写/读操作情况下的功耗测试结果.在电源电压为1.8V,数据率为640kHz时,EEPROM编程/擦写的平均功耗约为68μA,读操作平均功耗约为0.6μA.     

适用于无源射频标签的低功耗单栅非挥发性存储器

针对低成本、低功耗无源射频电子标签,采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计实现了单栅、576bit的非挥发性存储器.存储器单元基于双向Fowler-Nordheim隧穿效应原理并采用普通的pMOS晶体管实现;编程/擦写时间为10ms/16bit.芯片实现块编程和擦写功能,通过提出一种新型的敏感放大器而实现了读功耗的优化.在电源电压为1.2V,数据率为640kHz时,读操作平均消耗电流约为0.8μA.     

声表面波射频识别无源电子标签

简述声表面波射频识别无源标签的原理与特点,介绍了434 MHz和915 MHz标签的试验结果:工作频率915 MHz、434 MHz,码容量>1 000,读写距离0.5~5 m。讨论了声表面波标签研究过程中的一些技术关键。     

应用于低频无源RFID的低成本2 kbit EEPROM

基于350 nm 2-poly 3-metal EEPROM工艺，设计了一种应用于低频无源RFID的低成本2 kbit EEPROM存储器。在保证存储容量能满足大多数使用场景的情况下，通过优化Dickson电荷泵和读出电路的结构，实现电路版图面积的最小化，从而对整体电路实现低成本设计。优化后的Dickson电荷泵能实现10μs内从3.3 V到16 V的稳定升压，且功耗为334μW;读出电路基于检测NCG器件阈值电压的方式实现存储逻辑值的判别，该方法不需要能提供高精度电流的基准电路和具有高增益的灵敏放大器，有效降低了整体电路的面积。低成本2 kbit EEPROM的工作电压为3.3 V,能实现32位并行输入和1位串行输出，芯片总面积仅为0.14 mm²,有效降低了低频无源RFID设计复杂度和制造成本。     

UHF RFID无源标签的芯片供电机理

介绍了UHF RFID无源标签的供电特点,即采用无线功率传输供电,或利用片上储能电容充放电实现对芯片电路供电。同时为保证通信需求,应该做到充电与放电供需平衡,可取的设计是将标签所接收的射频能量大部分用于浮充供电;为集中更多能量用于浮充供电,应当尽量减少射频能量的其它应用消耗,包括接收时段的解调解码、应答时段的调制和发送。     

车辆管理RFID电子标签内存规划研究

射频识别以其非接触、自动采集的技术优势在社会公共涉车管理系统中得以迅速发展,为统筹多类涉车行业的共性和特性管理业务的资源划分,基于ISO/IEC18000-6B协议对车辆电子标签的内存规划进行研究分析。充分考虑信息完整性、资源节省性和技术前瞻性,结合现行车辆社会公共管理章程,采用字典算法对存储信息进行编码,确定存储信息内容、存储信息所需内存资源和存储位置,并为隐私信息和安全加密信息规划出相应内存资源。     

A low power CMOS compatible embedded EEPROM for passive RFID tag

A 512-bit low-voltage CMOS-compatible EEPROM is developed and embedded into a passive RFID tag chip using 0.18 μm CMOS technology. The write voltage is halved by adopting a planar EEPROM cell structure. The wide Vth distribution of as-received memory cells is mitigated by an initial erase and further reduced by an in-situ regulated erase operation using negative feedback. Although over-programmed charges leak from the floating gates over several days, the remaining charges are retained without further loss. The 512-bit planar EEPROM occupies 0.018 mm² and consumes 14.5 and 370 μW for read and write at 85 °C, respectively.     

超高频无源电子标签芯片的模拟电路设计

电子标签芯片是无线射频识别(RFID)技术的核心,其模拟电路的设计十分关键。基于ISO/IEC18000-6C标准,以设计出符合标准的标签芯片为设计目标,超高频(UHF)无源电子标签芯片模拟电路被提出。它分为电源产生电路、调制解调电路以及上电复位模块等模块。设计结果表明,设计的电路具有很高的整流效率,满足了设计需求。     

低频低功耗无源RFID模拟前端设计与分析

介绍了一款低频低功耗无源射频识别(RFID)技术芯片模拟前端的设计.详细介绍了低频RFID模拟前端的整体结构和主要模块.通过对低功耗带隙基准的设计,产生合适的偏置电压,为其他模块提供偏置,以此来限制其他模块的功耗,达到降低整个模拟前端功耗的目的.通过对高性能解调电路的设计,提高解调精度,保证通信过程准确.芯片采用0.35 μm标准CMOS工艺设计和制作,实际测试结果显示,在要求的最远通信距离时,芯片依然可以正常工作,表明该设计满足实际要求.