首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到18条相似文献,搜索用时 56 毫秒
1.
文章主要介绍应用于集群接收机系统的350MHz~470MHz低噪声放大器,采用0.6μm CMOS工艺。探讨了优化低噪声放大器的噪声系数、增益与线性度的设计方法,同时对宽带输入输出匹配进行了分析。这种宽带低噪声放大器的工作带宽350MHz~470MHz,噪声系数小于3dB,增益为24dB,增益平坦度为±1dB,输入1dB压缩点大于-15dBm。  相似文献   

2.
介绍了一种宽带CMOS低噪声放大器设计方法,采用噪声抵消技术消除输入MOS管的噪声贡献.芯片采用TSMC 0.25μm 1P5M RF CMOS工艺实现.测试结果表明:在50~860MHz工作频率内,电压增益约为13.4dB;噪声系数在2.4~3.5dB之间;增益1dB压缩点为-6.7dBm;输入参考三阶交调点为3.3dBm.在2.5V直流电压下测得的功耗约为30mW.  相似文献   

3.
一种用于电视调谐器的宽带CMOS低噪声放大器设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
廖友春  唐长文  闵昊 《半导体学报》2006,27(11):2029-2034
介绍了一种宽带CMOS低噪声放大器设计方法,采用噪声抵消技术消除输入MOS管的噪声贡献.芯片采用TSMC 0.25μm 1P5M RF CMOS工艺实现.测试结果表明:在50~860MHz工作频率内,电压增益约为13.4dB;噪声系数在2.4~3.5dB之间;增益1dB压缩点为-6.7dBm;输入参考三阶交调点为3.3dBm.在2.5V直流电压下测得的功耗约为30mW.  相似文献   

4.
顾明  石寅  代伐 《半导体学报》2006,27(7):1159-1163
分析了一种宽带高线性度的用于有线接收机的下变频混频器.该设计采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺.射频输入信号频率范围设计为1~1.8GHz,测得的1dB压缩点达到+14.23dBm,最大转换增益为8.31dB,最小噪声系数为19.4dB,在5V供电情况下,直流功耗为54mW.  相似文献   

5.
一种应用于GPS接收机的高线性度SiGe HBT低噪声放大器   总被引:1,自引:1,他引:0  
A high linearity 1.575 GHz SiGe:HBT low noise amplifier (LNA) for global positioning system applications is described. The bipolar cascoded with an MOSFET LNA was fabricated in a commercial 0.18 μm SiGe BiCMOS process, A resistor bias feed circuit with a feedback resistor was designed for the LNA input transistor to improve its intermodulation and compression performance. The packaged chip tested on board has displayed a noise figure of 1. I 1 dB, a power gain of 18 dB, an output 1 dB compression point of +7.8 dBm and an input third-order intercept point of +1.8 dBm. The chip occupies a 500 × 560μm^2 area and consumes 3.6 mA from a 2.85 V power supply.  相似文献   

6.
张小波  谢生  毛陆虹 《微电子学》2016,46(5):620-623
基于IBM 0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,提出了一种用于Ku波段相控阵雷达的高线性度低噪声放大器。该放大器采用2级级联结构,第1级优化可获得最小的噪声性能,第2级优化可提高电路的增益和线性输出功率。为了提高线性度,第2级采用了具有线性补偿功能的线性化偏置电路。仿真结果表明,在中心频率为16.5 GHz,带宽为2 GHz的频带范围内,噪声系数小于3.9 dB,其最小值为3.22 dB,功率增益大于23.5 dB,输出1-dB压缩点在中心频率处大于6.5 dBm。在3.3 V电源电压下,静态功耗为66 mW,芯片面积为(1 245×580) μm2。  相似文献   

7.
尤志刚  邓立科  杨小军  林先其 《通信技术》2011,44(2):149-150,153
介绍了宽带放大器的设计方法和负反馈技术。选用增益高、噪声小的高电子迁移率晶体管(HEMT)ATF54143,利用负反馈和宽带匹配技术,设计制作了一个高增益低噪声放大器,并借助于安捷伦公司的微波电路仿真软件ADS进行仿真和优化。测试表明,在50-300 MHz的频率范围内,低噪声放大器的增益大于22 dB,平坦度小于±0.3 dB,噪声系数小于1.25,输入驻波小于1.4,输出驻波小于1.3。  相似文献   

8.
一种线性化低噪声放大器的设计   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
通过在共源共栅电路中加入线性辅助电路,利用线性化补偿技术设计了一个位于雷达接收机前端的高线性低噪声放大器,在保持其他指标基本不变的情况下,线性度提高约17.5dB;该电路采用CMOS 0.18μm工艺设计,电源电压1.8V,信号频率在2.9~3.6GHz,仿真结果是:增益大于10dB,噪声系数(NF)低于1.35dB,三阶输入截点功率(IIP3)为17.48dBm,消耗直流电流13.24mA.  相似文献   

9.
设计了一种应用于无线传感网的低功耗宽带低噪声放大器。通过使用电容交叉耦合的共栅放大器结构来提高增益,同时实现宽带输入阻抗匹配。运用PMOS和NMOS层叠结构实现电流复用,降低了功耗。该低噪声放大器采用0.18 μm SMIC CMOS工艺设计。后仿真结果表明,该放大器在1.8 V电源供电下的功耗仅为0.712 mW,在3 dB带宽0.043~1.493 GHz范围内的峰值增益为20.44 dB,最小噪声系数为4.024 dB,输入3阶交调点为-3.73 dBm。  相似文献   

10.
采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺设计了用于S波段雷达接收机前端电路的低噪声放大器。对于现代无线接收机来说,其动态范围和灵敏度很大程度上都取决于低噪声放大器的噪声性能和线性度。相对于CMOS工艺来说,SiGe BiCMOS工艺具有更高的截止频率、更好的噪声性能和更高的电流增益,非常适合微波集成电路的设计。该低噪声放大器采用三级放大器级联的结构以满足高达30dB的增益要求。在5V的电源电压下,满足绝对稳定条件,在3GHz-3.5GHz频段内,功率增益为34.5dB,噪声系数为1.5dB,输出1dB功率压缩点为11dBm。  相似文献   

11.
提出并设计了一种用于数字电视接收调谐芯片的宽带低噪声放大器.该设计采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺,器件的主要性能为:增益等于18.8dB,增益平坦度小于1.4dB,噪声系数小于5dB,1dB压缩点为-2dBm,输入三阶交调为8dBm.在5V供电的情况下,直流功耗为120mW.  相似文献   

12.
A Wide-Band High-Linearity Down-Conversion Mixer for Cable Receptions   总被引:1,自引:0,他引:1  
Gu Ming  Shi Yin  Dai F F 《半导体学报》2006,27(7):1159-1163
分析了一种宽带高线性度的用于有线接收机的下变频混频器.该设计采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺.射频输入信号频率范围设计为1~1.8GHz,测得的1dB压缩点达到 14.23dBm,最大转换增益为8.31dB,最小噪声系数为19.4dB,在5V供电情况下,直流功耗为54mW.  相似文献   

13.
S波段低噪声放大器设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
首先分析了低噪声放大电路的稳定性,功率增益及噪声系数的影响因素及改进方法;然后设计了一个中心频率为2.45 GHz,工作带宽为100MHz的S波段低噪声放大器.仿真结果表明,该放大器的噪声系数小于1 dB,功率增益大于28 dB,增益平坦度小于1 dB,输入/输出驻波比小于2:1.通过传统的电路板制作工艺实际制作了放大器电路,测试结果和仿真结果较一致.  相似文献   

14.
基于窄带低噪声放大器理论,设计了一种2.4 GHz,具有低功耗、低噪声和良好匹配性等优点的新型BiFET结构SiGe BiCMOS低噪声放大器。采用TSMC 0.35μm SiGe BiCMOS工艺库,利用SpectreRF软件的仿真结果显示,该电路具有2.27 dB低噪声系数,11.5 dB正向增益;2 V工作电压下,其功耗仅为6.1 mW。研究结果表明,该低噪声放大器在射频蓝牙系统中具有一定的应用前景。  相似文献   

15.
X波段宽带单片低噪声放大器   总被引:12,自引:1,他引:12  
从获取放大器的等噪声系数圆最大半径的角度来进行电路设计,设计了工作于X波段9~14GHz的宽带低噪声单片放大器,采用法国OMMIC公司的0.2μmGaAsPHEMT工艺(fT=60GHz)研制了芯片。在片测试结果为在9~14GHz,噪声系数<2.5dB,最小噪声系数在10.4GHz为2.0dB,功率增益在所需频段9~14GHz大于21dB,输入回波损耗<-10dB,输出回波损耗<-6dB。在11.5GHz,输出1dB压缩点功率为19dBm。  相似文献   

16.
2.4 GHz、增益可控的CMOS低噪声放大器   总被引:3,自引:0,他引:3  
介绍了一种基于 0 35 μmCMOS工艺、2 4GHz增益可控的低噪声放大器。从噪声优化、阻抗匹配及增益的角度详细分析了电路的设计方法 ,讨论了寄生效应对低噪声放大器性能的影响。仿真结果表明在考虑了高频寄生参数的情况下 ,低噪声放大器依然具有良好的性能指标 :在 2 4GHz工作频率下 ,3dB带宽为 6 6 0MHz,噪声系数NF为 1 5 8dB ,增益S2 1为 14dB ,匹配参数S11约为 - 13 2dB。  相似文献   

17.
This paper presents a BiCMOS wide band amplifier optimized for maximum sensitivity to noise introduced in the base spreading resistance. It was used to characterize the base spreading resistance of bipolar devices found in Orbit's low-noise, n-well BiCMOS process available through MOSIS. The base spreading resistance is extracted by measuring the output power spectral density of the aforementioned amplifier and isolating the amount caused by thermal noise in the base. The results give insight as to what noise sources are significant in this technology.  相似文献   

18.
介绍了一个针对无线通讯应用的2.1 GHz低噪声放大器(LNA)的设计.该电路采用Chartered 0.25 μm CMOS工艺,电源电压为2.5 V,设计中使用了多个电感,详述了设计过程并给出了优化仿真结果. 模拟结果显示,该电路能提供21.63 dB的正向增益(S21),功耗为12.5 mW,噪声系数为2.1 dB,1 dB压缩点为-19.054 1 dBm.芯片面积为0.8 mm×0.6 mm.测试结果达到了设计指标,一致性良好.  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号