电声子耦合对量子点非平衡输运的影响

电子-声子耦合显著影响半导体量子点和单分子晶体管的非平衡输运. 在非平衡格林函数运动方程方法的框架内，通过改进电声子解耦，发现低温下量子点谱函数中声子伴带明显依赖于两边电极费米能级与重整后局域能级的相对位置，呈现电子-空穴对称性破缺. Kondo峰的声子伴带分为两类，分别与由电子或空穴组成的多体自旋单态相对应. 当局域能级存在Zeeman分裂时，两类不同起源的Kondo声子伴带在自旋分辨的谱函数中可以相互区分. 谱函数的这些特性也体现在非线性微分电导谱中.     

电声子耦合对量子点非平衡输运的影响

电子-声子耦合显著影响半导体量子点和单分子晶体管的非平衡输运.在非平衡格林函数运动方程方法的框架内,通过改进电声子解耦,发现低温下量子点谱函数中声子伴带明显依赖于两边电极费米能级与重整后局域能级的相对位置,呈现电子-空穴对称性破缺.Kondo峰的声子伴带分为两类,分别与由电子或空穴组成的多体自旋单态相对应.当局域能级存在Zeeman分裂时,两类不同起源的Kondo声子伴带在自旋分辨的谱函数中可以相互区分.谱函数的这些特性也体现在非线性微分电导谱中.     

二维强耦合磁双极化子的自旋极化基态性质

基于Lee-Low-Pines变分法研究了抛物量子点中二维强耦合磁双极化子的自旋极化基态性质,推导出磁双极化子的基态能量E0和声子平均数珡N随量子点受限强度ω0、介电常数比η、电子-声子耦合强度α和磁场的回旋频率ωc的变化规律。结果表明,磁双极化子的声子平均数珡N随α、ω0和ωc的增加而增大;磁双极化子的基态能量由两电子的单粒子能量Ee、两电子间库伦相互作用能Ec、电子自旋与磁场相互作用能ES、电子-声子相互作用能Ee-ph四部分组成;电子-声子相互作用能Ee-ph总是小于零,其绝对值随α、ω0和ωc的增加而增大,它是束缚态磁双极化子形成的有力因素;限定势和电子之间的库伦排斥能的存在不利于束缚态磁双极化子的形成;电子自旋-磁场相互作用的效应ES导致基态能级的"精细结构"。     

磁场对氮化物抛物量子阱中束缚极化子的影响

采用改进的Lee-Low-Pines中间耦合方法研究了在外磁场作用下纤锌矿氮化物抛物量子阱中极化子能级,给出不同磁场下极化子基态能量、结合能随阱宽L的变化关系以及能量随磁场强度B变化的函数关系。在计算抛物量子阱材料中考虑了纤锌矿GaN和Al0.3Ga0.7N构成的抛物量子阱中材料中准LO和准TO声子模的各向异性以及外磁场对极化子能量的影响。结果表明:纤锌矿氮化物抛物量子阱材料中电子-声子相互作用和外磁场对极化子能级有明显的影响。极化子基态能量、结合能随阱宽的增加而减小,随磁场的增加而增大,电子-声子相互作用使极化子能量降低,并且GaN/Al0.3Ga0.7N抛物量子阱对极化子的束缚程度比GaAs/Al0.3Ga0.7As抛物量子阱强,因此,在GaN/Al0.3Ga0.7N抛物量子阱中束缚于杂质中心处的电子比在GaAs/Al0.3Ga0.7As抛物量子阱中束缚于杂质中心处的电子稳定。     

表面势垒层厚度对量子阱束缚电子态的影响

采用包络函数方法在四带k·p模型基础上计算了晶格匹配的量子阱 InP/Ca_(0.47)In_(0.53)As/InP中束缚电子能级及波函数,讨论了表面势垒层厚度对量子阱中束缚电子能级、波函数以及相应于电子基态能级与重空穴基态能级间的荧光谱峰位置的影响.文中也讨论了在势阱与势垒边界处的不同衔接条件对量子阱中束缚电子能级计算结果的影响.     

InAs/GaAs量子点光致发光光谱多峰结构发光本质

研究了InAs/GaAs量子点光致发光光谱中出现的多峰结构. 观察到随着激发功率的增加光谱中发光峰的数目逐渐增多并且部分发光峰的峰位随激发功率的增加向高能量方向移动. 解释了各发光峰的来源并结合量子点能级结构的特点,计算了量子点中电子和空穴各子带间的能级间距.     

InAs/GaAs量子点光致发光光谱多峰结构发光本质

研究了InAs/GaAs量子点光致发光光谱中出现的多峰结构.观察到随着激发功率的增加光谱中发光峰的数目逐渐增多并且部分发光峰的峰位随激发功率的增加向高能量方向移动.解释了各发光峰的来源并结合量子点能级结构的特点,计算了量子点中电子和空穴各子带间的能级间距.     

Hg1—xCdxTe表面电子的子能带结构

讨论了Hg_(1-x)Cd_xTe MIS结构N型反型层电子子能带结构的理论和实验研究结果。描述了采用电容-电压谱,回旋共振谱和磁导振荡谱定量地研究电子子能带结构的模型和方法。推导得到的子能带色散关系,朗道能级和有效g~*因子,与测得的子能带电子的回旋共振和自旋共振结果符合得很好,从而可以定量地研究由于表面电子的自旋轨道相互作用引起的零场分裂效应,朗道能级的移动、交叉,波函数的混合效应以及电致自旋分裂的色散关系。     

库仑场对量子点中极化子性质的影响

采用基于逐次正则变换的变分方法,利用单模压缩态变换处理包含声子产生湮灭算符的双线性项,研究了抛物量子点中束缚极化子的性质. 得到了在电子-体纵光学声子强﹑弱耦合极限下抛物量子点束缚极化子的基态能量及电子周围平均声子数. 讨论了受限长度,电子-体纵光学声子耦合常数,库仑结合参数与基态能量和平均声子数之间的依赖关系.     

纤锌矿InxGal-xN/GaN量子阱中的界面声子-电子相互作用

在介电连续模型下,运用传递矩阵的方法研究了任意层纤锌矿量子阱中界面光学声子的电声相互作用,得出了任意层纤锌矿量子阱中界面光学声子与电子相互作用的哈密顿.结果表明,在对称单量子阱GaN/InxGal-xN/GaN中,界面声子-电子相互作用的耦合强度随组分x的变化差别很大;在对称单量子阱GaN/In0.8Ga0.2N/GaN中,不同的界面声子随着波数的变化对电声相互作用的贡献不同.