实现64级灰度显示的无源OLED驱动芯片的设计

设计出了一种实现64级灰度显示的单片混合信号驱动芯片,它采用脉冲宽度调制方法和两级电压预充方式,适用于驱动132×64像素的无源OLED显示屏.芯片内部主要包括数字控制器,显示数据存取器,DC-DC电压转换器,参考电流产生器,电压预充电路产生器,64个行驱动电路和132个列驱动电路.它已经用Chartered0.35μm 18V高压CMOS工艺制作完成,芯片面积约为10mm×2mm.测试结果表明芯片性能良好,在电源低压为3V,高压为12V,显示电流为100mA并处于最高级灰度显示的条件下,芯片与面板的总功耗为294mW.     

A 64-Step Gray Scale Driver Chip for a 132×64-Pixel Passive Matrix OLED

设计出了一种实现64级灰度显示的单片混合信号驱动芯片，它采用脉冲宽度调制方法和两级电压预充方式，适用于驱动132×64像素的无源OLED显示屏. 芯片内部主要包括数字控制器，显示数据存取器，DC-DC电压转换器，参考电流产生器，电压预充电路产生器，64个行驱动电路和132个列驱动电路. 它已经用Chartered 0.35μm 18V高压CMOS工艺制作完成，芯片面积约为10mm×2mm. 测试结果表明芯片性能良好，在电源低压为3V，高压为12V，显示电流为100mA并处于最高级灰度显示的条件下，芯片与面板的总功耗为294mW.     

TFT-LCD驱动芯片的二级驱动电路

针对单芯片集成的TFT-LCD驱动芯片的特性,提出了在γ校正电路中加入两级驱动Buffef的驱动电路结构,以及提高其驱动能力的有效措施.对于具有13个驱动buffer的二级驱动电路,当由一个灰度电压驱动全部396个像素单元时,驱动电压的最大安定时间约为19.2μs;静态消耗电流为518μA,与传统的64个驱动buffer电路相比,其功耗减小了77%.本文的设计结果已成功应用于132RGB×176分辨率、26万色彩色显示手机用TFT-LCD驱动芯片中,其也可用于PDA、数码相机等其他便携电子设备的显示驱动.     

TFT-LCD驱动芯片的二级驱动电路

针对单芯片集成的TFT-LCD驱动芯片的特性,提出了在γ校正电路中加入两级驱动Buffef的驱动电路结构,以及提高其驱动能力的有效措施.对于具有13个驱动buffer的二级驱动电路,当由一个灰度电压驱动全部396个像素单元时,驱动电压的最大安定时间约为19.2μs;静态消耗电流为518μA,与传统的64个驱动buffer电路相比,其功耗减小了77%.本文的设计结果已成功应用于132RGB×176分辨率、26万色彩色显示手机用TFT-LCD驱动芯片中,其也可用于PDA、数码相机等其他便携电子设备的显示驱动.     

一种96×64彩色OLED显示驱动电路的设计

OLED是一种新型平板显示器件,文章设计了一种应用于96×64彩色PM-OLED的显示驱动芯片。该芯片能实现256级对比度调节和65k色彩显示。芯片为高压、大电流的数模混合电路,内部包括数字控制电路,片内SRAM,片内振荡器,DC-DC升压电路,行驱动电路,高压基准电流源电路,以及电流精确可调的列驱动电路。该芯片是一种电流驱动型电路,列驱动电路采用PAM方式实现灰度调制,以及大电流预充的方式对PM-OLED屏幕像素进行预充。全芯片已通过Nanosim仿真,并进行了部分测试。仿真和测试结果验证了设计的正确性。     

OLED彩屏显示驱动芯片控制电路的设计

有机发光二极管显示器(OLED)是一种新型的平板器件,介绍了一种用于220×176彩色PM-OLED的显示驱动芯片.该芯片可以选择262 k色和65 k色的显示模式.芯片为18 V高压CMOS数模混合集成电路,采用了MCU接口模式和RGB接口模式两种工作模式,内置的γ调制模块能够弥补屏幕与电流的非线性关系.该芯片是一种电流驱动型电路,列驱动采用了PAM和PWM结合的调制方式实现灰度调制.全芯片已经完成电路的设计和版图的实现,并进行了后端仿真,仿真结果验证了设计的正确性.     

一种用于高压芯片的带隙基准源设计

基于TSMC 1.0 μm 40 V BCD工艺,利用带隙原理设计了一款用于高压芯片的基准源电路.仿真结果显示,该电路可以工作在10～25 V电源电压下,输出的基准电压精度为13.3×10-6/℃,输出电流高达20 mA,且受电源电压影响很小.与传统高电源电压基准相比,该电路提高了输出电压的精度和稳定性,具有较大的电流驱动能力,完全可以作为芯片内部电源使用.     

一种用于液晶显示源驱动的放大器设计

设计出一种用于TET液晶显示的源驱动放大器.放大器的输入级采用互补差分对形式,输出级则采用甲乙类CMOS结构,实现了输入输出的Rail-to-Rail.增加了平衡电路,抑制了非线性.通过设置合适的电压偏置和小的偏置电流在5V工作电压下实现了低功耗.在-40～85℃范围内,基于和舰0.25μm高压CMOS工艺,采用HSPICE仿真验证,在30pF负载电容条件下,放大器的静态功耗仅有19μW,输出电压范围为0V～5V,开环电压增益达到132dB,总谐波失真仅为0.009%.能很好满足液晶显示源驱动电路的要求,并成功应用于LCD驱动芯片中.     

用于0LED显示驱动芯片的双端口SRAM设计

详细描述了一种集成在OLED显示驱动芯片中的双端口SRAM设计.从电路和版图两方面对SRAM的核心部分进行了详细描述,并且设计了一种用于灰度0LED显示驱动芯片的132×64×6 bit的双端口SRAM.基于0.35μm CMOS工艺进行了芯片流片及测试,得到了正确的测试结果并已成功应用于一款OLED显示驱动芯片中.     

中小屏幕TFT-LCD驱动芯片的输出缓冲电路

在分析中小屏幕TFT-LCD驱动芯片的负荷特性的基础上,提出了一种新型的驱动电压输出缓冲电路结构.通过负反馈动态控制输出级的工作状态,具有交替提供拉电流和灌电流的驱动能力,可有效抑制输出电压的波动.与传统的两级运算放大器电路相比,该电路结构简单,稳定性能好,降低了静态功耗并节省了芯片面积.采用0.25μm CMOS工艺设计并实现了两种不同输出电压的缓冲电路.HSPICE仿真结果表明,输出电压缓冲电路的静态电流为3μA,Offset电压小于±2mV.同时,当TFT-LCD的驱动电压在-8～+16V之间切换时,输出电压的波动范围小于±0.4V,输出电压的恢复时间小于7μs.经对工程样片的测试知,其性能完全满足中小屏幕TFT-LCD驱动控制芯片的要求.     

基于薄膜SOI的PDP高压寻址驱动集成电路

基于自主开发的薄膜SOI高低压兼容工艺,研制出一种64位输出的薄膜SOI PDP高压寻址驱动集成电路.测试结果显示,该电路具有80 V驱动电压和20 mA输出电流,电路时钟频率大于40 MHz.     

中小屏幕TFT-LCD驱动芯片的输出缓冲电路

在分析中小屏幕TFT-LCD驱动芯片的负荷特性的基础上,提出了一种新型的驱动电压输出缓冲电路结构.通过负反馈动态控制输出级的工作状态,具有交替提供拉电流和灌电流的驱动能力,可有效抑制输出电压的波动.与传统的两级运算放大器电路相比,该电路结构简单,稳定性能好,降低了静态功耗并节省了芯片面积.采用0.25μm CMOS工艺设计并实现了两种不同输出电压的缓冲电路.HSPICE仿真结果表明,输出电压缓冲电路的静态电流为3μA,Offset电压小于±2mV.同时,当TFT-LCD的驱动电压在-8～ 16V之间切换时,输出电压的波动范围小于±0.4V,输出电压的恢复时间小于7μs.经对工程样片的测试知,其性能完全满足中小屏幕TFT-LCD驱动控制芯片的要求.     

硅基有机发光微显示像素驱动电路设计

由于微型显示像素面积的限制,硅基有机发光微显示像素驱动电路需要实现足够小的驱动电流.文章提出的三管电压控制型像素驱动电路与常规的采用电流镜电路的电流控制型像素驱动电路都能实现微显示所需的小电流驱动.利用Synopsys公司的H-spice软件对两种电路仿真比较,发现电流控制型电路具有线性灰度和较宽的有效灰度范围,但是通过调整电压控制型电路中与OLED并联的晶体管的宽长比,即可使其有效灰度范围与电流控制型电路可比.同时也发现电流控制型电路的功耗是电压控制型电路的4倍以上,且电路形式较复杂,工艺要求较高.所以三管电压控制型电路更适合于硅基有机发光微显示驱动电路.     

平板显示器驱动芯片高低电压转换电路

LCD、PDP、VFD等各类平板显示器已越来越受到人们关注与喜爱,但大多数平板显示器需要专用的功率驱动芯片来驱动其发光显示,各类专用功率驱动芯片又离不开高低电压转换电路,高低电压转换电路性能的好坏直接影响到驱动芯片的稳定性和功耗等。通过比较平板显示器驱动芯片的几种典型高低压转换电路,设计出一种带有电流源的CMOS型高低压转换电路,它具有最佳的性能指标,该电路不但可以为平板显示器驱动芯片使用,还可以作为其他各类驱动芯片的高低压转换模块使用,最后给出一种具体的平板显示驱动芯片高压CMOS器件结构。     

一个通用LCD驱动电路设计

实现了一款适合单色小屏幕应用的通用LCD显示驱动芯片的设计.该芯片采用0.5μm高压CMOS工艺.采用双电源供电,数字逻辑电路电压为5 V,LCD驱动电压典型为8 V,最高12 V.采用RC振荡电路,内置显示对比度调整电路.多种驱动方案可选,最多可以支持730段码.4个通用输出端,可用于背光控制等电路.通过串行总线控制,提供外部管脚INH,可异步关断所有输出.可控制其工作在省电模式.无需外接译码电路,通用性强.     

高压、高效率白光LED驱动电路的研究与设计

设计了一种高效率的高输入电压,恒定电流输出的白光LED驱动芯片.采用高压工艺,以脉宽调制(PWM)峰值电流的控制方式,实现了宽范围电压输入、恒定电流输出的LED驱动芯片的设计.内部集成了带隙电压基准源,产生0.25V的参考电压.芯片设计采用了高压横向扩散金属氧化物半导体场效应管(LDDMOS),设计了电压预调整电路,实现了输入电压范围在85V-400V间变化,输出电流在1毫安到1安培间设定.芯片仿真结果显示电能转换效率最高可达90%以上.     

带补偿网络的高精度LED恒流驱动电路的设计

为满足LED显示驱动芯片的要求,采用CSMC 0.5μm CMOS数模混合工艺,设计了LED恒流驱动电路。采用补偿网络与高精度电流镜,改善电路的瞬态响应并提高输出电流的精度。该电路可利用外接电阻调节恒流输出的大小,电流输出范围为3 mA～40 mA。利用Spectre在不同工艺角下对电路进行仿真,电源电压从4.5 V～5.5 V变化时,电流的最大变化率为1.62%;温度变化范围为-40℃～85℃时,最大温度系数为58.84×10-6,外接电压由2 V～6 V变化时,电流最大变化率为2.23%,驱动电路性能良好。     

SVGA OLEDoS 微显示驱动电路的实现

本文提出了一种分辨率为800?600硅基有机发光二极管(Organic-Light-Emitting-Diode -on-Silicon, OLEDoS)像素驱动电路。采用亚阈值驱动的像素单元电路工作电流范围为170pA到11.4nA。为了保证列总线的电压维持在一个比较高的值,采样保持电路采用“乒乓”操作。驱动电路采用已经商业可用的0.35μm 2P4M的CMOS 混合信号工艺进行制备。像素单元面积大小是15*15μm2,整个芯片的尺寸为15.5?12.3mm2。实验结果表明芯片能在刷新频率为60Hz下正常工作,并且能实现64阶灰度（单色）显示。在3.3V供电电压下整个芯片的功耗大约为85毫瓦。     

全彩 128×160 有机发光显示器驱动电路

该有机发光显示器驱动电路由一个 384 通道列驱动电路和一个 160 通道行驱动电路组成.列驱动电路是一个内置128×3×160×4 bit 显示数据存储器的 128×3 红绿蓝控制器,支持用户可编程 4/8 bit 灰度控制,高精度的电流匹配电路和内建预充电路确保了均匀的亮度和高质量的灰度显示.驱动电路可通过 8 bit/16 bit 并行接口直接与微处理器相连,显示数据可以存储在内部,还可独立于微控制器产生有机发光显示器的驱动信号.行驱动电路有可选的电压预充电路和内建低接通电阻确保在高速扫描时的亮度均匀.该驱动电路是一个低功耗低输出阻抗的有机发光显示控制器.     

一种应用于OLED显示驱动芯片的CMOS升压型PFM DC-DC转换器设计

由于DC-DC芯片工作模式的多样性,电源转换器的系统结构有多种不同选择。为了电源模块的安全可靠,往往需要多种保护电路模块。文中从系统的角度,阐述了适合于OLED显示驱动电路的PFM工作模式的升压DC-DC电源转换器的原理。在此基础上,设计了一种应用于OLED驱动电路芯片的升压DC-DC电路。当输入电压为2.4～4.2V时,输出电压可以达到15V,负载电流最大可以达到50mA,纹波电压小于200mV。这个设计可以与OLED驱动芯片集成在一起,实现OLED驱动芯片和电源管理芯片的集成。