基于0.25μm MS/RF CMOS工艺的光电单片集成接收机设计

设计了一种单片集成的光电接收机芯片.在同一衬底上制作了基于同一工艺的光电二极管与接收机电路,以消除混合集成引入的寄生影响.这种单片集成接收机采用了先进的深亚微米MS/RF(混合信号/射频)CMOS工艺,利用这种新型工艺提供的新技术对原有光电二极管进行了改进,使其部分性能显著改善,并对整个光电集成芯片性能的提高有所帮助.     

Monolithically Integrated Optoelectronic Receivers Implemented in 0.25μm MS/RF CMOS

设计了一种单片集成的光电接收机芯片．在同一衬底上制作了基于同一工艺的光电二极管与接收机电路，以消除混合集成引入的寄生影响．这种单片集成接收机采用了先进的深亚微米MS／RF（混合信号／射频）CMOS工艺，利用这种新型工艺提供的新技术对原有光电二极管进行了改进，使其部分性能显著改善，并对整个光电集成芯片性能的提高有所帮助．     

MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器

为实现光纤通信系统中的单片光电集成，采用工业标准工艺设计了硅基光电探测器，讨论了光电探测器的机理，提出了五种新的探测器结构，并采用TSMC 0.18μm MS/RF CMOS工艺进行了流片. 利用半导体测试仪对芯片进行了测试，包括探测器的暗电流、响应度和结电容，并分析了深n阱、浅沟槽隔离等工艺步骤对探测器参数的影响. 结果表明，利用标准MS/RF CMOS工艺实现的光电探测器具有良好的特性.     

MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器

为实现光纤通信系统中的单片光电集成,采用工业标准工艺设计了硅基光电探测器,讨论了光电探测器的机理,提出了五种新的探测器结构,并采用TSMC 0.18μm MS/RF CMOS工艺进行了流片.利用半导体测试仪对芯片进行了测试,包括探测器的暗电流、响应度和结电容,并分析了深n阱、浅沟槽隔离等工艺步骤对探测器参数的影响.结果表明,利用标准MS/RF CMOS工艺实现的光电探测器具有良好的特性.     

单片集成接收机的研究与发展

本文探讨了四种类型的单片集成接收讥的结构、性能,生产工艺的发展状况,以及存在的问题和未来的发展趋势。     

CMOS兼容光电单片接收机的模拟与设计

设计了与CMOS工艺兼容的光电单片接收机电路,其中包括光电探测器、前置放大器和主放大器.它采用0.6μm CMOS工艺,可在自备的高阻外延片上使用MPW(multi-project wafer)进行流水.其中光电探测器的工作波长为850nm,响应度为0.2A/W,接收灵敏度为-16dBm,带宽为800MHz,因此适用于VSR(very short reach)系统.前置放大器采用电流模反馈放大器,主放大器输出为LVDS(low voltage differential signals)电平.通过器件模拟与电路模拟统一的方法将光电探测器与接收机放大电路进行统一模拟,分析了电路的限制因素,并提出了相应的改进方法.     

单片集成CMOS二阶OTA-C连续时间模拟滤波器

以本文提出的电流提升运算跨导放大器(以下简称OTA)作有源器件,采用3微米P阱CMOS工艺制成了全集成二阶OTA-C连续时间模拟滤波器.测试结果表明:该滤波器的中心频率(带通)可由片外电信号调节,其可谓范围从18千赫至160千赫;滤波器具有恒定Q值,且其值决定于两个MOS电容值之比;当输入1伏峰值的正弦信号时,输出信号的总谐波失真(THD)不大于0.36％;选用合适的信号输入端,该滤波器还可以实现低通、带通、高通和带阻四种传递函数.     

CMOS兼容光电单片接收机的模拟与设计

设计了与CMOS工艺兼容的光电单片接收机电路,其中包括光电探测器、前置放大器和主放大器.它采用0 6μmCMOS工艺,可在自备的高阻外延片上使用MPW(multi project wafer)进行流水.其中光电探测器的工作波长为850nm ,响应度为0 2A/W ,接收灵敏度为- 1 6dBm ,带宽为80 0MHz ,因此适用于VSR(very short reach)系统.前置放大器采用电流模反馈放大器,主放大器输出为LVDS(low voltage differential signals)电平.通过器件模拟与电路模拟统一的方法将光电探测器与接收机放大电路进行统一模拟,分析了电路的限制因素,并提出了相应的改进方法.     

高灵敏度CMOS光电集成接收机设计

设计了一个由调节型级联跨阻抗放大器(TIA)和双光电二极管(DPD)构成的CMOS光电集成(OEIC)接收机.具体分析了这个光电集成接收机的噪声和灵敏度及其相互关系.接收机中的噪声主要是电路中电阻的热噪声和MOS器件的闪烁噪声.提出了优化接收机灵敏度的方法.通过低成本的CSMC 0.6μm CMOS工艺流片并对芯片进行了测试.从测试眼图可知,该CMOS光电集成接收机可工作在1.25GB/s的传输速率下,灵敏度为-12dBm.     

基于标准CMOS工艺的1.5Gb/s单片集成光接收机

A monolithically integrated optical receiver, including the photodetector, has been realized in Chartered 0.35μm EEPROM CMOS technology for 850 nm optical communication. The optical receiver consists of a differential photodetector, a differential transimpedance amplifier, three limiting amplifiers and an output circuit. The experiment results show that the receiver achieves an 875 MHz 3 dB bandwidth, and a data rate of 1.5 Gb/s is achieved at a bit-error-rate of 10-9. The chip dissipates 60 mW under a single 3.3 V supply.     

CMOS单片集成恒带宽放大模块

基于电流模式信号处理技术和电流跟随器、CMOSAB类放大器、反相电流镜等理论模型，并有赖于特别的版图设计与一系列先进的3μm硅栅CMOS单片化集成技术，已经获得了一种具有300kHz～1MHz恒带宽、0～20dB可调增益、5．6mW功耗的新型集成模块，该功能块突破了放大器增益带宽积为常数的传统约束，并可用于系统集成、生物电子学、智能功率集成电路（SPIC）与模拟信息处理诸电子学领域．     

一种集成MSM光电探测器的单片标准CMOS全差分光接收机

This paper presents a realization of a silicon-based standard CMOS,fully differential optoelectronic integrated receiver based on a metal–semiconductor–metal light detector（MSM photodetector）.In the optical receiver, two MSM photodetectors are integrated to convert the incident light signal into a pair of fully differential photogenerated currents.The optoelectronic integrated receiver was designed and implemented in a chartered 0.35μm, 3.3 V standard CMOS process.For 850 nm wavelength,it achieves a 1 GHz 3 dB bandwidth due to the MSM photodetector’s low capacitance and high intrinsic bandwidth.In addition,it has a transimpedance gain of 98.75 dBΩ, and an equivalent input integrated referred noise current of 283 nA from 1 Hz up to–3 dB frequency.     

高速12路并行CMOS单片光电集成接收机设计与实现

设计并实现了一个高速12路并行CMOS单片光电集成接收机.其每一路都包括一个光探测器、一个跨阻放大器以及后续放大电路.双光电二极管(DPD)结构可以提高接收机速度,但同时降低了响应度.在跨阻放大器电路中采用有源电感来展宽-3dB带宽.通过无锡上华(CSMC)0.6μm CMOS工艺流片并对芯片进行了测试.测试结果显示该接收机单路传输比特率可达0.8～1.4 Gb/s,总的12路可传输15Gb/s数据.     

基于0．6μm CMOST艺的单片集成有源电感设计

采用0．6μm CMOS工艺实现了一种CMOS工艺单片集成有源电感的设计，其电路原理图由2个N型场效应晶体管和2个P型场效应晶体管构成，电感值可受直流偏置控制，占用面积小。仿真结果表明，该有源电感电路的工作频率范围为1MHz-IGHz，600MHz频率处电感的Q值达到26，等效电感值为400nH。     

一种与标准CMOS工艺兼容的光电集成接收机设计与实现

设计了一种与标准CMOS工艺完全兼容的高速光电探测器和宽带光电集成接收机,并采用0.6μm标准CMOS工艺流片. 测试结果表明,该光电集成接收机的性能已接近实用要求. 探测器的频率响应带宽为1.11GHz,光电集成接收机的3dB带宽为733MHz;在误码率为10-12条件下,对波长为850nm的输入光信号,灵敏度达到-9dBm.     

单片集成光电探测器与接收机的协同设计

建立了光电探测器的行为模型.此模型描述了注入光功率与光生电流的关系,以及反偏电压对光生电流与结电容的影响.给出了在统一的SPICE设计环境中对光电子器件与电路协同设计的方法,并对光电探测器与CMOS接收机电路进行了设计.     

单片集成光电探测器与接收机的协同设计

建立了光电探测器的行为模型.此模型描述了注入光功率与光生电流的关系,以及反偏电压对光生电流与结电容的影响.给出了在统一的SPICE设计环境中对光电子器件与电路协同设计的方法,并对光电探测器与CMOS接收机电路进行了设计.     

GeSi调制器与探测器单片光电集成

文章以ＧｅＳｉ材料为基础，从理论和实践两方面讨论将波导、调制器、探测器集成在一起的可能性，分析结果表明，三者之间的光集成在理论上是可行的，在工艺上也是可以实现的。     

高速12路并行CMOS单片光电集成接收机设计与实现

设计并实现了一个高速12路并行CMOS单片光电集成接收机.其每一路都包括一个光探测器、一个跨阻放大器以及后续放大电路.双光电二极管(DPD)结构可以提高接收机速度,但同时降低了响应度.在跨阻放大器电路中采用有源电感来展宽-3dB带宽.通过无锡上华(CSMC)0.6μm CMOS工艺流片并对芯片进行了测试.测试结果显示该接收机单路传输比特率可达0.8～1.4 Gb/s,总的12路可传输15Gb/s数据.