一种单片低相噪宽带频率合成器

基于0.18 μm SiGe BiCMOS工艺,设计实现了一种低相噪宽带锁相环型频率合成器电路,分析了锁相环型频率合成器中优化相噪和拓宽工作频率的途径和方法。提出了一种低输出噪声参考缓冲电路和高速Delta-sigma调制器结构,改进了MOS管结构的电荷泵电路,采用÷2/3级联可编程分频器结构,实现了宽工作频带。流片测试结果表明,归一化底板相位噪声达到-232.2 dBc/Hz,工作频率可覆盖1~20 GHz。     

一种低相位噪声的微波频率合成器

本文介绍一种结构紧凑、价格便宜、最主要的是具有低相位噪声的微波频率合成器。它适用于那些对偏离载波近端的相位噪声抑制要求较高的卫星通信系统。这种频率合成器采用了双环路分频式频率合成的方案。     

集成L波段VCO的频率合成器设计

从频率合成器的构成和噪声模型入手,分析了主要单元电路对噪声的贡献,进而研究了各频率合成器模块中的噪声影响因子,建立了不同模块的噪声模型,并在模型基础上改进了压控振荡器的电流源结构及鉴相器的延时单元电路,从而提高了频率合成器的噪声性能。根据上述方法,采用0.18μm射频CMOS工艺设计实现了一款低功耗、低噪声的频率合成器,经测试,核心电压1.8 V,功耗54 m W,带内噪声达到了-98 d Bc/Hz。测试结果表明噪声指标达到了国外同类产品水平,为设计和研发高集成度的射频收发系统芯片提供了很好的参考。     

一种先进的间接频率合成器及噪声分析

频率综合技术是现代雷达和通信系统实现高性能指标的关键技术之一。频率综合器的相位噪声和杂散抑制度是直接影响系统性能的主要技术指标,也是设计和研制频率综合器最难解决的问题。本文详细介绍了新型高速器件对频率合成器设计的诸多好处,以及对综合器相位噪声抑制的贡献。     

显示控制CMOS锁相环频率合成器设计

从工程的角度出发,设计了一个应用于显示控制芯片的新颖实用的CMOS锁相环频率合成器.详细论述了系统设计的关键问题,研究了电荷泵充放电电流匹配、精度和输出电压等工程设计问题,并对环路滤波器的计算和仿真以及压控振荡器的噪声性能进行了研究.采用1st Si 0.25μm的CMOS混合信号工艺对整个电路系统进行了带版图寄生的后仿真,仿真结果表明锁相环频率合成器设计的正确性.     

一种降低频率合成器相位噪声的高增益电荷泵

设计了一款低噪声高增益电荷泵,主要用于低相位噪声的频率合成器.在传统的电流转向型电荷泵结构中增加了非镜像结构的低噪声电流源单元,使电荷泵的输出电流呈比例增加,降低电荷泵对频率合成器输出相位噪声的贡献,以进一步降低频率合成器的相位噪声.采用0.18 μm SiGe BiCMOS工艺进行了设计仿真和流片验证.测试结果表明:频率合成器工作在频率为10 GHz时,电荷泵中高增益低噪声电流源关闭和开启情况下,锁相环相位噪声分别为-106.1 dBc/Hz@10 kHz和-108.68 dBc/Hz@10 kHz.实现了通过开启电荷泵中高增益低噪声电流源使锁相环输出相位噪声下降约3 dB的目标.     

一种改善频率合成器相位噪声的方法

在现代电子技术中,数字式频率合成器在通信、雷达等系统中得到了广泛的应用,其相位噪声直接影响到系统的整体性能。提出了利用变频锁相方法改善微波波段频率合成器的相位噪声,并进行了频域分析,给出了相应的环路滤波器的设计。最后的实验结果给出了变频锁相与直接锁相的频率合成器相位噪声比较,可以看出采用变频锁相方式的频率合成器的相位噪声有了很大的改善。     

提高锁相频率合成器噪声性能的一种方法

普通单环锁相频率合成器存在鉴相频率提高则输出频率分辨率下降的矛盾，本文提出用输入倍频器提高鉴相频率的方法解决这一矛盾，文中分析了此法对噪声的抑制作用，并给出一组对比实验结果。     

低相位噪声微波频率合成器的研究

本文讨论了在采用等效微波单环的情况下,如何实现低相位噪声的理论及具休措施。实施方案采用了窄带VCXO环、低噪声倍频源,微波宽带晶体管机械调谐VCO和ECL程序分频器,实现了C波段上两种方案的锁相与频率合成。本文还结合电路实际,提供了一种使相噪最佳的办法,并明确给出了各主要部分对合成器总噪声贡献的综合性曲线,使合成器的相位噪声指标与理论值趋于一致,并达到国内先进水平     

电荷泵锁相环中相位噪声的抑制和讨论

旨在介绍一种抑制电荷泵锁相环(CPPLL)中相位噪声(Jitter)的电路结构。文章在分析CPPLL对Jitter抑制原理的基础上，指出Jitter虽然无法被环路自身的跟踪作用根除，但却可以通过对鉴频鉴相器(PFD)的改进而得到较好地抑制。为了验证改进电路的效果，文中给出了实验数据，实验结果证明新的电路结构可以较好地抑制Jitter。     

A Novel Method to Compensate the Sigma-Delta Shaped Noise for Wide Band Fractional-N Frequency Synthesizers

提出了一种部分补偿Sigma Delta调制器整形噪声的新方案.通过在鉴频鉴相器中的延迟时段向无源滤波器中注入补偿电流,最大可实现16dB的噪声补偿.与其他补偿方案相比,文中提出的方案相对简单和易于实现.特别设计了可变延迟的鉴频鉴相器和补偿电流源,并给出了行为级和电路级的仿真结果.     

一种高分辨率∑△小数分频频率合成器

提出了一种采用新型分频器的小数分频频率合成器。该频率合成器与传统的小数分频频率合成器相比具有稳定时间快、工作频率高和频率分辨率高的优点。设计基于TSMC0.25μm2.5V1P5MCMOS工艺,采用sig-ma-delta调制的方法实现。经测量得到该频率合器工作频率在2.400～2.850GHz之间,相位噪声低于-95dBc/Hz@100kHz,最小频率步进小于30Hz,开关时间小于50μs,满足多数无线通信系统的要求。     

S/U双波段小数分频锁相环型频率合成器设计

提出了一种覆盖S/U双波段的小数分频锁相环型频率合成器.该频率合成器采用一种新型多模分频器,与传统的小数分频频率合成器相比具有稳定速度快、工作频率高和频率分辨率高的优点.该锁相环采用了带有开关电容阵列(SCA)的LC-VCO实现了宽频范围,使用3阶MASH△-∑调制技术进行噪声整形,降低了带内噪声.设计基于TSMC 0.25 μm 2.5 V 1P5M CMOS工艺实现.测试结果表明,频率合成器频率范围达到2.450～3.250 GHz;波段内偏离中心频率10 kHz处的相位噪声低于-92.5 dBc/Hz,1 MHz处的相位噪声达到-120 dBc/Hz;最小频率分辨率为13 Hz;在2.5 V工作电压下,功耗为36 mW.     

A 8.75-11.2-GHz,low phase noise fractional-N synthesizer for 802.11a/b/g zero-IF transceiver

An ultra broadband fractional-N frequency synthesizer for 802.11a/b/g zero-IF transceiver application is presented.The mathematical models for the behavior of the synthesizer’s spur and phase noise are analyzed,and the optimization methodology is proposed.Measurement results exhibits that the frequency synthesizer’s integrated phase noise is less than 1°(1 kHz to 100 MHz)with a 4.375 GHz carrier(after divide-by-2),and the reference frequency spur is below-60 dBc operating with a 33 MHz reference clock.The frequency synthesizer is fabricated on a standard 0.13μm RF CMOS process and consumes 39.6 mW from a 1.2 V supply voltage.     

低相噪硅雷达射频频率源的研究与设计

分析了频率源中各个模块的噪声传递函数,确定影响近端噪声的模块分别是鉴频鉴相器-电荷泵(PFD-CP)、分频器;在默认分频器相位噪声为-158dBc/Hz,通过matlab建模推断,需要PFD-CP模块在10kHz频偏处的输入噪声达到-143dBc/Hz,才能实现频率源输出信号在10kHz频偏处相位噪声-107dBc/Hz。采用0.18μmSiGe BiCMOS工艺,设计了整块芯片,着重优化了PFD-CP模块的输入噪声,经过spectre仿真,PFD-CP模块的输入噪声为-146dBc/Hz,经过实测,输出信号在10kHz频偏处相位噪声为-108dBc/Hz,达到设计预期。     

一种应用于CMMB的双频段低噪声频率合成器

A wide-band frequency synthesizer with low phase noise is presented. The frequency tuning range is from 474 to 858 MHz which is compatible with U-band CMMB application while the S-band frequency is also included. Three VCOs with selectable sub-band are integrated on chip to cover the target frequency range. This PLL is fabricated with 0.35 μ m SiGe BiCMOS technology. The measured result shows that the RMS phase error is less than 1^o and the reference spur is less than –60 dBc. The proposed PLL consumes 20 mA current from a 2.8 V supply. The silicon area occupied without PADs is 1.17 mm².     

A dual-band frequency synthesizer for CMMB application with low phase noise

A wide-band frequency synthesizer with low phase noise is presented.The frequency tuning range is from 474 to 858 MHz which is compatible with U-band CMMB application while the S-band frequency is also included. Three VCOs with selectable sub-band are integrated on chip to cover the target frequency range.This PLL is fabricated with 0.35μm SiGe BiCMOS technology.The measured result shows that the RMS phase error is less than 1°and the reference spur is less than -60 dBc.The proposed PLL consumes 20 mA cu...     

锁相环小数N分频频率综合器中的Sigma-delta调制器设计

介绍了一种应用于小数N分频频率综合器的工作于20 MHz的Sigma-delta调制器的设计,采用3个一阶电路级联的MASH1-1-1结构的噪声整形电路。电路设计利用Verilog硬件描述语言进行描述,在modelSim SE 6.2b中通过了功能仿真,并在XUP Virtex-II Pro FPGA开发板上进行了验证,最终采用TSMC 0.13μm CMOS工艺,完成了电路版图并通过了DRC和LVS验证。芯片面积为180μm×160μm,平均功耗为1.059 6~1.070 4 mW。     

V波段小型化低相噪频率综合器

本文研究了一种V波段超小型低相噪频率综合器,研制了L段捷变频频综、Ku波段取样锁相源、上变频组件、倍频器等四个小型化组件.为了得到较低的相位噪声和捷变频速度,本捷变频频综采用上变频-倍频方案,其中DRO PLS保证低相位噪声性能,L波段捷变频频综保证捷变频功能.该频综尺寸为100×80×30mm³,相位噪声低于-86dBc/Hz(1kHz),捷变频时间小于40μs,杂波抑制优于-60dBc.