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EEPROM失效机理初探 总被引:3,自引:2,他引:1
在分析了双层多晶硅FLOTOXEEPROM各种失效模式后,从理论上提出了提高EEPROM可靠性的各种措施。提高隧道氧化层和多晶硅之间氧化层的质量,减小擦/写电压和擦/写时间,减小隧道氧化层的面积,都是提高EEPROM可靠性的有效措施。 相似文献
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基于350 nm 2-poly 3-metal EEPROM工艺,设计了一种应用于低频无源RFID的低成本2 kbit EEPROM存储器。在保证存储容量能满足大多数使用场景的情况下,通过优化Dickson电荷泵和读出电路的结构,实现电路版图面积的最小化,从而对整体电路实现低成本设计。优化后的Dickson电荷泵能实现10μs内从3.3 V到16 V的稳定升压,且功耗为334μW;读出电路基于检测NCG器件阈值电压的方式实现存储逻辑值的判别,该方法不需要能提供高精度电流的基准电路和具有高增益的灵敏放大器,有效降低了整体电路的面积。低成本2 kbit EEPROM的工作电压为3.3 V,能实现32位并行输入和1位串行输出,芯片总面积仅为0.14 mm2,有效降低了低频无源RFID设计复杂度和制造成本。 相似文献
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EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)以其非易失性、数据存储能力强、操作灵活等特点广泛应用于对数据存储安全性及可靠性要求较高的场合,如微控制器、传感器、测量和医疗仪表,非接触式智能卡等领域.I2C(Inter-Integrated Circuit)总线是一种紧凑的而且非常节省连线资源的总线接口,由数据线SDA和时钟线... 相似文献
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介绍美国National Semiconductor公司串和EEPROM93C46/56/66的性能特点,引脚功能及指令,并给出93AC56与INTEL公司的80C196的接口及读写程序。 相似文献
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LCD或LCD TV中,影响画质和色彩最重要的两个参数就是Gamma Table和不同色温的R,G,BGain值。提出了一种软调整方法,该方法采用在线量测LCD或LCD TV一些特定的画面的光学值,并通过色彩空间转换和插值法获得当前LCD或LCDTV最佳Gamma Table和不同色温的R,G,BGain值,然后再通过DDCCI传输这些参数到LCD或LCDTV。从而保证每台LCD或LCD TV都达到最佳的显示效果,克服了目前每台LCD或LCD TV都采用固定值而不能达到最佳显示效果的问题。 相似文献
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EEPROM要求场开启电压≥20V,P-N结击穿电压也要求≥20V,前者需提高场区杂质浓度,而后者则需要降低场杂质浓度,通过工艺模拟和实验找到了一种化解这个矛盾的对策,首先根据P-N结击穿电压的要求确定场区杂质浓度,继而大幅度调节场氧厚度,从而使二者都能满足要求。 相似文献
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Ming Zhang Nicolas Llaser Francis Devos 《Analog Integrated Circuits and Signal Processing》2001,27(1-2):85-95
A fully integrated multi-stage symmetrical structure chargepump and its application to a multi-value voltage-to-voltage converterfor on-chip EEPROM programming are presented. The multi-valuevoltage-to-voltage converter is designed to offer two output voltages,power supply and triple power supply alternatively, which is neededfor a memory array. A dynamic analysis of the multi-stage symmetricalstructure charge pump and an optimization design in terms of circuitarea are also given. The circuit is implemented in a 1.2 CMOSprocess and the measurement results show that a voltage pulse as shortas 5 s with a rise time of 3 s is obtained. For a 5 V powersupply and with a resistive charge of 100 k, the programmingoutput voltage can reach as high as 11 V and output current forprogramming is over 110 A, which are high enough to program thememory cell. 相似文献
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介绍了存储器分类,论述非易失性存储器编程机理以及编程/擦除耐久和数据保持试验方法,分析了MIL-STD-883B中的《耐久寿命试验》和JESD22-A117《电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)编程/擦除耐久和数据保持应力试验》等试验方法标准. 相似文献
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介绍了一种用在模拟电路中修调的EEPROM电路.该电路采用一种新型的单层多晶EEPROM结构,与传统的双栅EEPROM结构相比,该结构与数字CMOS工艺兼容,成本低、成品率高.使用在一个基准电压电路中时,其基准电压的调节范围达到±4.82%,调节精度达到4mV.EEPROM修调电路可广泛应用于各种高精度需求的电路中. 相似文献
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