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用磁控溅射和退火方法制备AlSb多晶薄膜 总被引：5，自引：1，他引：5
采用磁控溅射法在玻璃衬底上制备Al/Sb预制多层薄膜,然后将Al/Sb预制多层薄膜在退火炉中退火得到AlSb多晶薄膜.用X射线衍射(XRD)法测薄膜结构;用扫描电镜(SEM)测薄膜Al/Sb成分比,结果表明AlSb多晶薄膜具有单一的晶相、均匀的结构,以及粒径大约20nm的晶粒.根据电导率(lnσ)与温度(T)的关系得到电导激活能为0.21和0.321eV,为制备出适用于太阳电池的AlSb多晶薄膜奠定了一定的技术基础. 相似文献
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本文对用蒸发法制备的非晶和多晶碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe)薄膜的结构特性及其光学和电学性质进行了研究。在800—2600nm的波长范围内测量了样品的透过率,得到了非晶和多晶状态相应的光学隙分别为1eV以上和0.65eV左右。对非晶样品的退火实验发现,在90—100℃区间退火使非晶样品的结构转变为多晶,同时电阻率突然变小约5个数量级和光学隙由1eV以上突变为0.62eV左右。在20—300K的温度范围内,分别测量了非晶与多晶样品的电阻率,所得结果可用现代非晶半导体理论进行解释。 相似文献
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CdS多晶薄膜的电学性质 总被引：9，自引：1，他引：8
用化学池沉积方法（ＣＢＤ）制备了ＣｄＳ多晶薄膜，并对薄膜进行了退火处理，测量了不同ＣｄＳ薄膜光电导、暗电导和电导－温度关系，计算了电导激光活能。结果表明：刚沉积的ＣｄＳ暗电导率为１０＾－６Ω＾－１．ｃｍ＾－１比光电导率低二个数量级，退火后，电导升高，电导激活能减小。Ｘ射线衍射分析表明，经退火后，ＣｄＳ薄膜发生相变，由立方结构变成六方结构。对上述结果进行了讨论。 相似文献
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采用无水化学沉积(NCBD)法在玻璃基片上制备了Sb2S3薄膜。先用无水乙醇将4．0mL浓度为0．1mol／L的SbCl3乙醇溶液稀释至39．6mL,再加入0．4mL浓度为0．5mol／L的CH3CSNH2乙醇溶液,搅拌均匀后垂直放入玻璃基片,在15～18℃温度下沉积72h后,进行退火处理。利用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对薄膜在退火前后的结构特性进行了研究,利用光学测试计算了薄膜的光学带隙。结果表明,高温退火使薄膜由退火前的非晶态转变为多晶的Sb2S3结构(正交晶系),薄膜的直接光学带隙从1．86eV降低为1.75eV。 相似文献
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《中国无线电电子学文摘》2007,(2)
TN032007020001雷达电源结构的电磁兼容性设计/巨亚荣(西安电子工程研究所)//火控雷达技术.―2006,35(1).―65～69.介绍雷达电源结构设计中电磁兼容性的经验和有关的一些考虑。图0表0参6TN032007020002用磁控溅射和退火方法制备AlSb多晶薄膜/陈卫东,冯良桓,雷智,张静全,武莉莉, 相似文献
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利用射频磁控溅射法在玻璃基片上制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,薄膜在室温下生长,再在Ar气氛中快速退火。通过X射线衍射、X射线电子能谱、原子力显微镜和吸收谱研究了退火温度对薄膜结构、组分、形貌和禁带宽度的影响。结果表明,所制备样品为Cu2ZnSnS4多晶薄膜,具有较强的沿(112)晶面择优取向生长的特点,薄膜组分均为富S贫Cu,样品表面形貌比较均匀。退火温度为350,400,450和500℃的薄膜样品的禁带宽度分别是1.49,1.53,1.51和1.46 eV。 相似文献