HfOxNy的场发射特性

用直流溅射和高温退火相结合的方法制备了HfOxNy薄膜并测试了其场发射性能,发现其具有较低的开启电场、较大的发射电流密度以及很好的发射稳定性.高压"锻炼"对提高HfOxNy场发射性能起着关键作用,这与高压"锻炼"下薄膜内部结构和表面性质的改变有关.对场发射机理的研究表明,HfOxNy的场发射符合经典的FN隧穿理论.     

HfOxNy的场发射特性

用直流溅射和高温退火相结合的方法制备了HfOxNy薄膜并测试了其场发射性能，发现其具有较低的开启电场、较大的发射电流密度以及很好的发射稳定性. 高压“锻炼”对提高HfOxNy场发射性能起着关键作用，这与高压“锻炼”下薄膜内部结构和表面性质的改变有关. 对场发射机理的研究表明，HfOxNy的场发射符合经典的FN隧穿理论.     

HfOxNy栅介质薄膜的电学特性

用直流溅射方法制备了HfOxNy薄膜,对其电学特性和导电机理进行了研究.实验结果表明,引入铪缓冲层并在氮气中退火有助于改善电学性能.研究了薄膜在电场下的漏电机理,发现在负向低电场下I-V特性遵从欧姆规律,在中强电场下导电机制遵从空间电荷限制电流理论.     

HfOxNy栅介质薄膜的电学特性

用直流溅射方法制备了HfOxNy薄膜,对其电学特性和导电机理进行了研究.实验结果表明,引入铪缓冲层并在氮气中退火有助于改善电学性能.研究了薄膜在电场下的漏电机理,发现在负向低电场下I-V特性遵从欧姆规律,在中强电场下导电机制遵从空间电荷限制电流理论.     

HfOxNy栅介质薄膜的电学特性

用直流溅射方法制备了HfOxNy薄膜，对其电学特性和导电机理进行了研究. 实验结果表明,引入铪缓冲层并在氮气中退火有助于改善电学性能. 研究了薄膜在电场下的漏电机理，发现在负向低电场下I-V特性遵从欧姆规律，在中强电场下导电机制遵从空间电荷限制电流理论.     

场发射阴极特性

介绍了场发射阴极阵列的特性。系统地介绍发射体材料的选择以及发射体形状与发射特性关系，获取最大发射电流密度，提高发射性能所采取的措施。     

碳纳米管的场发射特性研究

主要探讨碳纳米管场发射特性的理论,希望能将碳纳米管所拥有的绝佳场发射结果应用在场发射显示器与其他电子元件上。本文首先对碳纳米管的场发射特性进行了理论分析与应用价值的讨论,由分析可以看出,碳纳米管的场发射特性是会受到彼此间屏蔽效应的影响的。最后,本文分析归纳出与碳纳米管场发射特性相关的各种因素,这对日后研究碳纳米管在场发射显示器上的应用会有不错的帮助。     

纳米厚度氮化硼薄膜的场发射特性

利用射频磁控溅射方法，在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54一135nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜。红外光谱分析表明，BN薄膜结构为六角BN(h—BN)相(1380cm^-1和780cm^—1)。在超高真空系统中测量了不同膜厚BN薄膜的场发射特性，发现BN薄膜的场发射特性与膜厚关系很大，阈值电场随着厚度的增加而增大。由于BN薄膜和Si基底界面间存在功函数差，使得Si基底中电子转移到BN薄膜的导带，在外电场作用下隧穿BN表面势垒，发射到真空。     

稀土金属硅化物的场发射

用金属蒸发真空弧离子注入方法制备了各种稀土金属的硅化物,定义1μA/cm2时的电场为开启电场,发现它们的开启电场在15～20V/μm之间.用电子束对其进行退火处理后,开启电场降到10V/μm以下,而场发射密度可以提高一个数量级.它们良好的场发射性能归因于稀土金属硅化物本身热稳定性好,功函数低.用FN理论对场发射的机理进行了分析,发现其FN曲线明显分成了两段,这可能是因为在场发射过程中引起的温度效应.     

稀土金属硅化物的场发射

用金属蒸发真空弧离子注入方法制备了各种稀土金属的硅化物，定义1μA/cm2时的电场为开启电场，发现它们的开启电场在15～20V/μm之间. 用电子束对其进行退火处理后，开启电场降到10V/μm以下，而场发射密度可以提高一个数量级. 它们良好的场发射性能归因于稀土金属硅化物本身热稳定性好，功函数低. 用FN理论对场发射的机理进行了分析，发现其FN曲线明显分成了两段，这可能是因为在场发射过程中引起的温度效应.     

稀土金属硅化物的场发射

用金属蒸发真空弧离子注入方法制备了各种稀土金属的硅化物,定义1μA/cm2时的电场为开启电场,发现它们的开启电场在15～20V/μm之间.用电子束对其进行退火处理后,开启电场降到10V/μm以下,而场发射密度可以提高一个数量级.它们良好的场发射性能归因于稀土金属硅化物本身热稳定性好,功函数低.用FN理论对场发射的机理进行了分析,发现其FN曲线明显分成了两段,这可能是因为在场发射过程中引起的温度效应.     

多孔硅的有效场致发射

基于氢离子注入技术和典型电化学阳极浸蚀法制备了多孔硅有图(PS)薄膜.该薄膜的表面形态和特征采用扫描电子显微技术(SEM),X射线衍射(XRD)以及原子力显微技术(AFM)描述.采用大约3.5V/μm的低通场在电流强度为0.1 μA/cm2处获得有效场致发射.在约12.5V/μm的叠加场下,PS薄膜的发射电流密度达到1mA/cm2.实验结果表明PS薄膜对平板显示仪器具有巨大的应用潜能.     

硅场致发射理论模型

本文讨论影响硅场致发射的因素，以及建立硅场发射理论应考虑的问题。     

反应溅射CN薄膜的场发射特性

利用反应射频溅射方法在硅单晶衬底上沉积碳氮(CN)薄膜.原子力显微镜(AFM)研究结果表明,CN薄膜表面覆盖有纳米CN锥状物,所制备的CN薄膜具有良好的场发射特性,最大发射电流密度达到～10mA/cm2,并且未出现电流饱和现象.薄膜表面的CN纳米锥有利于薄膜的场发射,重复测量结果表明,CN薄膜的发射特性得到改善和提高.     

Field Electron Emission from Diamond—like Carbon Films

A low turn-on field electron emission from diamond-like carbon films has been observed for the first time to author‘s knowledge,Carbon films were prepared by micowave plasma chemical vapor deposition(CVD).Special pretreatment ceramic substrates were used.The characteristics of the film have been identified by using X-ray diffraction(XRD),and Raman spectrum.The field emission experiment has been performed in a vacuum chamber with a base pressure of about 10^-5Pa.The turn-on field of 1.2V/μm,and the current density of 1.25 mA/cm^2 at electric field of 6V/μm were obtained.     

反应溅射CN薄膜的场发射特性

利用反应射频溅射方法在硅单晶衬底上沉积碳氮(CN)薄膜. 原子力显微镜（AFM）研究结果表明，CN薄膜表面覆盖有纳米CN锥状物，所制备的CN薄膜具有良好的场发射特性，最大发射电流密度达到～10mA/cm2，并且未出现电流饱和现象. 薄膜表面的CN纳米锥有利于薄膜的场发射，重复测量结果表明，CN薄膜的发射特性得到改善和提高.