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采用固相反应和镍离子注入硅方法分别制备了硅化镍薄膜,利用卢瑟福背散射谱(RBS),X射线衍射(XRD)和喇曼光谱对它们的成分和结构进行了表征.结果表明固相反应方法中,硅化镍薄膜的相结构取决于不同的热退火条件,纯相的NiSi2薄膜需要在高温(1123K)下两步热退火才能获得.而利用离子注入方法,则可以在较低温度(523K)下直接得到单相的NiSi2薄膜.在30～400 K范围内测量了它们的电阻率和霍尔迁移率随温度的变化关系,结果表明固相反应制备的NiSi和NiSi2薄膜都表现出典型的金属性电导行为,而离子注入制备的NiSi2薄膜则表现出完全不同的电学性质. 相似文献
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采用固相反应和镍离子注入硅方法分别制备了硅化镍薄膜，利用卢瑟福背散射谱（RBS) , X射线衍射（XRD）和喇曼光谱对它们的成分和结构进行了表征. 结果表明固相反应方法中，硅化镍薄膜的相结构取决于不同的热退火条件，纯相的NiSi2薄膜需要在高温（1123K）下两步热退火才能获得. 而利用离子注入方法，则可以在较低温度（523K）下直接得到单相的NiSi2薄膜. 在30～400K范围内测量了它们的电阻率和霍尔迁移率随温度的变化关系，结果表明固相反应制备的NiSi和NiSi2薄膜都表现出典型的金属性电导行为，而离子注入制备的NiSi2薄膜则表现出完全不同的电学性质. 相似文献
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研究了顺次淀积在Si(100)衬底上的Ni/Pt和Pt/Ni的固相硅化反应．研究发现,当1nm Pt作为中间层或覆盖层加入Ni/Si体系中时,延缓了NiSi向NiSi2的转变,相变温度提高．对于这种双层薄膜体系,800℃退火后,XRD测试未检测到NiSi2相存在;850℃退火后的薄膜仍有一些NiSi衍射峰存在．800℃退火后的薄膜呈现较低的电阻率,在23—25μΩ*cm范围．上述薄膜较Ni/Si直接反应生成膜的热稳定性提高了100℃以上．这有利于NiSi薄膜材料在Si基器件制造中的应用． 相似文献
4.
提出在Ni中掺人夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性.具有此结构的薄膜,600～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□.经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成.Ni(Zr)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺Zr的镍硅化物的转变温度上限提高了100℃.Ni(Zr)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.63eV,理想因子接近于1. 相似文献
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提出在Ni中掺入夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性．具有此结构的薄膜,600～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□．经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成．Ni(Zr)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺Zr的镍硅化物的转变温度上限提高了100℃．Ni(Zr)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.63eV,理想因子接近于1． 相似文献
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文中首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600℃～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物的转变温度的上限提高了100℃。Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650℃～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。 相似文献
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