CMP设备市场及技术现状

综述全球CMP设备市场概况及适应0.18μm工艺平坦化要求的CMP技术现状，给出了向Φ300mm圆片转移过程中CMP技术占用成本及CMP设备性能指标。     

CMP设备市场及技术现状

综述了全球CMP设备市场概况及适应 0 1 8μm工艺平坦化要求的CMP技术现状 ,给出了向30 0mm圆片转移过程中CMP技术占用成本及CMP设备性能指标。     

CMP干燥模组控制软件设计

介绍了旋转干燥和异丙醇加热雾化干燥的工作原理,深入分析了控制软件的需求,利用面向对象的设计方法,完成了系统架构的设计,并对干燥加工、异丙醇补液、参数监控3个关键功能模块进行了设计,目前该软件已在设备端应用中达到了理想的工艺性能.     

300mm硅片CMP设备装载技术研究

定位装载机构是硅片化学机械抛光（CMP）设备的一个重要组成部分。本文通过对目前CMP设备中硅片定位装载机构的介绍、分析与比较,介绍了一种新型定位装载机构的功能、结构原理及控制原理,并最终通过在工艺试验中的实际应用确定了该机构已基本达到设计要求。     

先进的前道CMP设备及整合解决方法

概述了未来IC器件可采用的前道CMP设备及整合解决方法的巨大进展。为提高设备的可用性和生产线的运作效率,在一台设备上采用多用途的整合解决方法。而且,对这些方法与下一代无磨料网膜抛光设备的能力进行了比较。未来数代器件要求的CMP工艺技术包括先进的抛光头、先进的现场终点系统、多平台、多抛光头结构。与下一代消耗品(单独硬抛光垫、高平面性磨料、无磨料抛光等)结合,能使直接抛光浅沟槽隔离(STI)工艺方法满足0.18μm乃至更小特征尺寸的器件要求。采用新型多步工艺进行了多晶硅CMP。先进的多晶硅金属介质(PMD)抛光工艺展示了更长寿命的抛光垫和更高的金刚石盘片生产效率和更强的设备可用性。这些工艺技术已全部成功地使用在生产线,并正在生产中进行测试。     

新一代CMP设备及其对IC器件的影响

概述了为IC生产中绝缘体上硅(SOI)、硅?多晶硅、浅沟槽隔离(STI)、氧化物(PMD和ILD)、钨(W)、铜(Cu)和铝(Al)等不同化学机械抛光(CMP)用途开发的CMP设备的进展,讨论了新一代CMP设备(MIRRARCMP)对IC器件生产的影响及其特性。     

CMP过滤技术的进展

叙述了新一代CMP浆料的过滤工艺和方法。低比重和极小平均粒子尺寸的二氧化硅、氧化铝及氧化铈磨料在这些浆料中要求严格地控制在0.5μm,甚至对平均工作粒影响最小的更小粒子(例如0.03～0.2μm)以内。目前CMP浆料大量生产的加工目标将积累的大于0.56及1.01μm的大颗粒减少了90%,在一次通过或现场使要求如此高的隔离过滤。根据浆料的特性能够采用的过滤方法如分级筛选密度、多薄层法、深褶媒质以及薄膜过滤法。CMP浆料过滤器的有效设计必须考虑到浆料磨损类型和成分、基本化学特性、LPCS、平均粒子尺寸分布、固体比重、粘性、磨料沉积速率、所需的粒子滞留、△P、流速稳定性和期望的过滤器寿命。由于磨料中相同的过滤器媒质性能根据浆料中磨料和添加剂的不同可能有很大的差别,新浆料过滤的最佳参数选顶实质上仍然保持了以实验为根据的方法。根据实验室表示特性、现场性能测试和过滤后的使用评价的数据,可以用作过滤最佳参数选定。由这些测试的典型结果现实,更新的氧化铈和氧化铝以及固有的二氧化硅CMP浆料的过滤有利于大颗粒的控制。     

化学机械抛光设备与市场

介绍了目前国外对应于90～65nmCMP设备开发现状及各公司的设备特点,给出了各公司代表性产品的技术性能和全球CMP设备市场概况。     

CMP/Post CMP工艺及其设备

对CMP市场、Cu-CMP、低k-CMP、STI-CMP、W-CMP和PostCMP工艺及其设备进行了论述;并介绍了CMP所要求的研磨膏和研磨垫。     

CMP工艺流程控制策略综述

化学机械抛光测量技术和测量技术随着其工艺重要性的日益提高越来越成熟。测量技术在所有类型的化学机械抛光工艺流程控制中扮演了一个重要的角色,并且可以根据所使用的测量技术、其在工艺流程中所处的位置以及类型和产生的数据量以不同的方法实现。本文述评并提出了一些从现场、延伸的现场、综合的测量技术、以及其对工艺流程控制影响所普遍应用的测量技术的例子。并且还提出了65nm以及更小技术节点的测量技术以及工艺流程控制策略,在这些未来的技术中,晶片工艺控制以及每个晶圆片方法调整预计将更加苛刻。     

CMP系统技术与市场

概述了CMP系统技术的发展历史、发展趋势以及在IC生产中的重要性,介绍了国外CMP设备主要制造厂家的设备型号和性能及CMP设备市场分布和需求,阐述了CMP系统技术的基础研究、关键技术和国内研究概况。     

300mm硅片化学机械抛光压力控制技术研究

介绍了一种应用于硅片化学机械抛光(CMP)设备的压力控制技术,综合利用在线检测方法和离线检测方法,借助于Matlab数值分析软件分析抛光主轴压力设定值、气缸气压值、传感器示值以及检测仪器测试值之间的关系,并建立了主轴压力闭环控制系统,达到精确控制主轴压力的目的。工艺实验证明,主轴压力闭环控制系统稳定、可靠、精确。     

微电子器件制备中CMP抛光技术与抛光液的研究

介绍了河北工业大学微电子研究所发明成果:15～20nm铜的CMP碱性抛光液、阻挡层CMP碱性抛光液,用于介质CMP的120nm水溶胶磨料抛光液、互连插塞钨和铝的CMP纳米SiO2磨料碱性抛光液及ULSI硅衬底CMP抛光液及切削液、磨削液、倒角液和应力控制技术等研究成果。     

CMP工艺流程控制策略

化学机械抛光工艺控制和测量技术随着其工艺重要性的日益提高越来越成熟。测量技术在所有类型的化学机械抛光工艺流程控制中扮演了一个重要的角色,并且可以根据使用的测量技术、其在工艺流程中所处的位置以及类型和产生的数据量以不同的方法实现。述评并提出了一些从现场、延伸的现场、综合的测量技术、以及其对工艺流程控制的影响和普遍应用的测量技术的例子。并且还提出了65nm以及更小技术节点的测量技术以及工艺流程控制策略,在这些未来的技术中,晶片工艺控制以及每个晶圆片方法调整预计将更加苛刻。     

集成电路多层铜布线阻挡层CMP技术与材料

以化学机械全局平面化(CMP)动力学过程和机理为基础,在抛光浆料中采用粒径为15～20nm的硅溶胶作为CMP磨料,保证了高的抛光速率(200nm/min),同时可有效降低表面粗糙度,减少损伤层的厚度.