LICVD法制备a-Si_3N_4纳米粒子光谱研究

用激光化学气相沉积法制备出平均粒径为１０ｎｍ左右的ａＳｉ３Ｎ４纳米粒子．红外吸收和喇曼光谱研究表明ａＳｉ３Ｎ４纳米粒子中存在Ｓｉ—Ｎ,Ｓｉ—Ｈ,Ｎ—Ｈ,Ｓｉ—Ｏ—Ｓｉ键,分析了ａＳｉ３Ｎ４纳米粒子在不同的温度和气氛退火后的变化情况．并对ａＳｉ３Ｎ４纳米粒子胶体溶液的紫外可见吸收进行了测试分析．     

ECR—PECVD制备Si3N4薄膜的特性及其应用的研究

本文利用ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ技术在不同沉积温度下制备了Ｓｉ３Ｎ４薄膜，利用Ｓｉ３Ｎ４薄膜的透射光学强度曲线计算了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的折射率和膜厚，计算结果与实测值符合较好。结果表明，随着帝积温度的提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜的折射率增大，致密性提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜厚度在６０ｍｍ直径范围内不均匀度小于５％，测定了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的显微硬度，利用荧光分光光度计测定了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的光致发光效应，初步进行了Ｓｉ３Ｎ４薄     

ECR－PECVD制备Si_3N_4薄膜的特性及其应用的研究

本文利用ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ技术在不同沉积温度下制备了Ｓｉ３Ｎ４薄膜，利用Ｓｉ３Ｎ４薄膜的透射光强度曲线计算了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的折射率和膜厚，计算结果与实测值符合较好。结果表明，随着沉积温度的提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜的折射率增大，致密性提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜厚度在６０ｍｍ直径范围内不均匀度小于５％。测定了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的显微硬度。利用荧光分光光度计测定了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的光致发光效应。初步进行了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的超高频大功率晶体管器件中作为钝化膜的应用研究。     

SiO2,α—Si,Si3N4薄膜在表面钝化中的选择应用

本文基于对Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２、α－Ｓｉ薄膜本身结构及其层间结构的分析，在半导体器件的表面钝化中做了选择应用。并将此用于生产实践，在Ｓｉ３Ｎ４－α－Ｓｉ－ＳｉＯ２结构中解决了由ＳｉＯ２／Ｓｉ界面的表面电荷及ＳｉＯ２中Ｎａ＋的漂移运动等引起的器件电学特性变差的问题。     

复合物p-C_6H_4F_2…NH_3(ND_3)外部振动的共振双光子电离光谱

利用共振光电离技术和飞行时间质谱技术,观察到了复合物 ｐ－Ｃ_６Ｈ_４Ｆ_２…ＮＨ_３（ＮＤ_３） 的共振双光子电离光谱．光谱分析表明。复合物分子间的伸缩振动频率为 ８６．４ ｃｍ~（－１）;由复合物的 光解离机理以及伸缩模的失谐参数与键能的关系,获得了复合物电子激发态 Ｓ_１和基态 Ｓ_０的键能 信息．Ａｂ ｉｎｉｔｉｏ　计算表明,ｐ－Ｃ_６Ｈ_４Ｆ_５…ＮＨ_３（ＮＤ_３）复合物的几何结构是：ＮＨ_３分子中的 Ｎ 原子位于垂直于ｐ－Ｃ_６Ｈ_４Ｆ_２分子环面的对称轴（Ｚ轴）上,距环面的高度为 ０．３５２ｎｍ; ＮＨ_３的 Ｃ_３轴与ｐ－Ｃ_６Ｈ_４Ｆ_２的对称轴夹角是 ５２．５°;且一个氢原子朝向环面; ＮＨ_３可绕 Ｐ－Ｃ_６Ｈ_４Ｆ_２分子 的Ｚ轴近似的自由转动．键能计算值和预计存在的内转动与实验吻合．     

氮化硅晶须显微结构的研究

利用透射电子显微镜对气固相法制备的α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４和β－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须的显微结构进行了研究。实验发现α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须具有何（１０１０），（１０１１）和［０００１］三个生长方向，并且α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须中有大量的生长缺陷。而β－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须的生长方向只有（１０１０）一个，且几乎观察不到任何缺陷。     

Si—Si3N4—SiO2钝化工艺及其应用

介绍了ＬＰＣＶＤ法Ｓｉ３Ｎ４膜与ＰＥＣＶＤ法ＳｉＯ２膜的淀积工艺，以及Ｓｉ－Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＯ２钝化工艺在高可靠大电流开关二极管中的应用，并指出了工艺的适用范围。     

低温PECVD法制备半导体的复合钝化膜

本文主要是以ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ和Ｓｉ３Ｈ４、ＮＨ３、Ｎ２作为气体源，在平行板电容耦合式淀积设备上，采用等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）法制备ＳｉＯ２－Ｓｉ３Ｎ４复合钝化膜。     

几种掺杂浓度的GaAs表面Si-δ掺杂结构研究

本文利用了光调制光谱（ＰＲ），原位测量了ＧａＡｓ（００１）表面Ｓｉ－δ掺杂结构样品，研究了不同掺杂浓度对Ｓｉ－δ掺杂相关的光谱结构的影响，观察到了Ｓｉ－δ掺杂结构中，价带连续态到导带半Ｖ－形势阱中子带的跃迁，观察到该跃迁相随掺杂浓度增加先向高能移动，而后达到饱和．用简单的三角势模型，在理论上计算了面掺杂浓度２．４×１０１４ｃｍ－２时，半Ｖ－形势阱中子带的能级位置，波函数的分布及光吸收系数，与实验结果相一致．     

离子辐照纳米Si3N4量子点的表面分析与蓝光增强机理研究

本文对Ｎ十离子辐照纳米氮化硅量子点的表面特性进行了测试、分析，对离子辐照后量子点蓝光发射显著增强这一现象给出了解释．ＦＴＩＲ测试发现，辐照使Ｓｉ－Ｎ键结合峰增强，说明辐照后Ｓｉ－Ｎ 键合数增加，而其它峰未发生变化．ＸＰＳ全谱表明，量子点中的氧主要集中在其表面，辐照使量子点表面的氧含量增加，进一步通过ＸＰＳ芯态能谱测试发现，辐照使表面的氧、硅由吸附态转化成结合态．我们认为ＳｉＯ２／Ｓｉ３Ｎ４界面中的激子模型可以解释量子点蓝光增强现象，界面层激子效应是蓝光发射增强效应产生的根源．     

a—Si3N4纳米粒子的能级结构研究

用激光化学气相沉积法制备出平均粒径为10nm的a-Si     

电离辐射对Si_3N_4/SiO_2/Si双界面系统的作用

采用氩离子刻蚀XPS(X光激发电子能谱)分析对S i3N4/S iO2/S i双界面系统进行了电离辐照剖面分析。实验结果表明:电离辐照能将S iO2和S i构成的界面区中心向S i3N4/S iO2界面方向推移,同时S iO2/S i界面区亦被电离辐照展宽。在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加电离辐照相当程度地减少位于S iO2/S i界面区S i3N4态(结合能B.E.101.8 eV)S i的浓度。同时辐照中所施偏置电场对S iO2/S i界面区S i3N4态键断开有显著作用。文中就实验现象的机制进行了初步探讨。     

拉曼差分法探测大气中的臭氧

介绍了拉曼差分法测量对流层底部污染物O_3的基本原理。计算和研究了N_2,O_2的拉曼光谱强度分布特征,利用O_3对N_2,O_2紫外波段拉曼散射光的不同吸收特性,推导出O_3浓度反演公式;设计了拉曼差分激光雷达(Raman-DIAL)系统,该系统采用双通道分别接收N_2和O_2对紫外266 nm激光的拉曼散射光,通过拉曼差分法反演大气中O_3浓度。分析了激光雷达系统噪声的来源,对双通道滤光片提出了相应的要求;分析了大气中污染物SO_2,NO_2在紫外波段的吸收特性对拉曼差分法测量O_3的影响及造成的相对误差;利用差分激光雷达AML-2测得的O_3数据模拟了拉曼差分激光雷达系统N_2与O_2的拉曼信号,从而证实了该方法探测对流层底部大气臭氧含量垂直分布的可行性。     

Er3+/Yb3+共掺Bi2O3-GeO2-Na2O玻璃的上转换发光

研究了不同Er3 /Yb3 掺杂比46Bi2O3-44GeO2-10Na2O(B46G44N10)(摩尔分数)玻璃的吸收光谱、红外吸收谱和上转换光谱性质,分析了玻璃中Yb3 敏化Er3 的上转换发光机制。测试了Er3 离子在不同Yb3 浓度下玻璃中的上转换荧光强度,得到最佳的掺杂质量比Er3 ∶Yb3 =1∶6。计算了在980 nm激发下Er2O3质量分数为0.5%和Yb2O3质量分数为3.0%的Er3 /Yb3 共掺B46G44N10玻璃的绿光上转换效率为2.27×10-4。比较了不同基质材料玻璃的上转换效率,结果表明B46G44N10玻璃是一种良好的上转换基质材料。     

Visible-region optical absorption property for germanium-doped silica optical fibres induced by UV light propagation

Visible-region absorption and fluorescence are first observed for GeO2-doped silica optical fibres propagated by UV light in the 350?370 nm region. An absorption band at 1.97 eV and fluorescence at 1.91 eV are observed in the UV-propagated fibre. The absorption and fluorescence are considered to be caused by creation of the oxygen-hole centre.     

Yb:GdYAl3(BO3)4晶体的生长及性质研究

采用助熔剂法生长了Yb：GdYAl3（BO3）4晶体。测量了晶体的室温吸收谱和荧光谱。该晶体在960nm和974nm处存在两个吸收带，适合InGaAs泵浦；在1002nm和1044nm处各存在一荧光谱峰。研究了晶体的热学性质，平行于c轴方向的热膨胀系数约为α轴方向的5．4倍。采用化学腐蚀光学显微法研究晶体缺陷证明Yb：GdYAl3（BO3）4中存在孪晶结构。     

Al掺杂对ZnO薄膜形貌和光学性能的影响

采用溶胶-凝胶旋涂法在FTO玻璃衬底上制备得到了不同Al掺杂浓度的ZnO薄膜(AZO)。利用XRD、FESEM、UV-vis和PL等测试手段对样品结构、形貌和光学性能进行了表征。结果表明,合成的AZO薄膜均为六方纤锌矿结构且峰强随掺杂浓度的升高而减弱;同时,颗粒形貌由不规则向规则球形转变且尺寸逐渐减小;PL谱中的近紫外发射峰和晶格缺陷峰值随掺杂浓度的升高先增大后降低;由UV-vis吸收光谱可知,AZO薄膜在设定波长内的光吸收处于波动状态,且当Al掺杂浓度为3%时,光吸收强度最高,禁带宽度减小到3.12eV。     

Fabrication of polymer blend composites based on [PVA-PVP](1−x):(Ag2S)x (0.01 ≤ x ≤ 0.03) with small optical band gaps: Structural and optical properties

In this paper composite materials, based on polymer blends of polyvinyl alcohol (PVA): polyvinyl pyrrolidone (PVP) with small optical band gap, has been studied. Silver sulfide (Ag₂S) semiconductor particles have been synthesized in PVA:PVP blend host polymer, using in situ method. X-ray diffraction (XRD) analyses and Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy for the composite samples were carried out. From the XRD pattern, distinguishable crystalline peaks caused by the Ag₂S semiconductor particles were observed. From the result of FTIR spectroscopy, the intensity of the FTIR bands were shifted and increased, revealing the occurrence of interactions between the PVA:PVP blend system and Ag₂S particles. The composite samples were found to exhibit absorption spectra that cover UV–visible to near infrared regions. The absorption edge was found to be 5 eV for pure PVA:PVP system and shifted to 1.15 eV for incorporated PVA:PVP with 3 M of Ag₂S. The refractive index was also evaluated for the samples and observed to be increased from 1.15 to 1.52 as doping increased to the highest. A linear relationship between the refractive index and the filler fraction has been reported. Theoretical discussion of optical dielectric loss, which is a crucial parameter for the band gap estimation, was given. The achieved results reveal that spectra of the optical dielectric loss (ɛ_i) can be used to study the band gap structure and Tauc's model can be important in determining the types of electronic transition. The optical band gap was found to decrease from 5.2 eV for the pure PVA:PVP to 1.1 eV for doped PVA:PVP with 3 M of Ag₂S. Such reduction can be associated with the increase of optical dielectric constant. Finally, the correlation between optical dielectric constant and density of states was discussed.     

Na_5Eu(WO_4)_4发光晶体的光谱特性研究

对稀土四钨酸盐的研究很早就有报道,但作为发光材料的研究是近十几年才逐渐增多的.Na_5Eu(WO_4)_4作为该系列红外发光材料,近几年也有不少研究报道.陈立高、施潮淑等人改进了Na_5Eu(WO_4)_4的发光性能,黄京根等人指出Na_5Eu(WO_4)_4是良好的微晶激光材料.但是到目前为止,研究尚限于粉末材料.我们进行了Na_5Eu(WO_4)_4单晶制备的研究工作,已报道用助熔剂泡生法首次成功地生长出了Na_5Eu(WO_4)_4单晶,尺寸为2×1×1mm~3,并进行了结构分析.本文报道用助熔剂缓冷法生长出长度达4.5mm的Na_5Eu(WO_4)_4单     

Cr~(3+):LiNbO_3晶体的光谱特性

分别用分光光度计和激光感生荧光技术测量了Cr~(3+):LiNbO_3晶体的吸收谱和荧光谱。测得晶体的晶场参数D_q/B=2.49,~4T_2与~5E能级的能量差⊿=114cm~(-1),~4T_2-~4A_2跃迁的发射截面σ_(?)=6.58×10~(-20)cm~2,荧光寿命τ_f=2μs。最后从理论上阐明了Cr~(3+)在LiNbO_3晶体中的能级结构。