复合物p—C6H4F2...NH3（ND3）外部振动的共振双光子电离光谱

利用共振光电离技术和飞行时间质谱技术,观察到了复合物ｐ－Ｃ６Ｈ４Ｆ２．．．ＮＨ３（ＮＤ３）的共振双光子电离光谱。光谱分析表明,复合物分子间的伸 振动频率为８６．４ｃｍ＾－１;由复合物光解离机理以及伸缩模的失谐参数与键有的关系。获得了复合物电子激发态Ｓ１和基态Ｓ０的键能信息。Ａｂｉｎｉｔｉｏ计算表明,ｐ－Ｃ６Ｈ４Ｆ２．．．ＮＨ３（ＮＤ）复合物的几何结构是：ＮＨ３分子中的Ｎ原子位于垂直ｐ－Ｃ６Ｈ４Ｆ２     

亚稳态He(2~3S)原子与N_2H_4分子传能产物的发光研究

本文在流动余辉装置上,研究了亚稳态Ｈｅ（２~３Ｓ）原子与Ｎ２Ｈ４分子碰撞传能,观察到了激发态产物ＮＨ（Ａ３Π→Ｘ３∑＋）、 ＮＨ（ｃ１∏→ａ１△）、 ＮＨ２（Ａ２Ａ１→Ｘ２Ｂ１）的发射光谱,由相对光谱强度求得了形成各产物的通道比;分析 ＮＨ（Ａ３∏,ｖ′＝ ０）的转动分辨谱的结果表明,ｖ′＝０能级上的转动布居是“双模”分布, 激发态产物 ＮＨ（Ａ）、 ＮＨ２（Ａ）的形成机理可能是： Ｈｅ（２～３Ｓ＋Ｎ２Ｈ４→Ｎ２Ｈ４→ＮＨ（Ａ）＋ＮＨ２（Ａ）＋Ｈ．     

微波等离子体化学气相沉积法制备C3N4薄膜的研究

本文采用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＰＣＶＤ）,高纯Ｎ２（９９．９９９％）和ＣＨ４（９９．９％）作反应气体,在多晶Ｐｔ（９９．９９％）基片上沉积Ｃ３Ｎ４薄膜。Ｘ－射线能谱（ＥＤＸ）分析结果表明Ｎ／Ｃ原子比为１．０～１．４,接近Ｃ３Ｎ４的化学比;Ｘ射线衍射谱说明薄膜主要由β和α－Ｃ３Ｎ４组成;ＦＴ－ＩＲ谱和Ｒａｍａｎ谱支持Ｃ－Ｎ键的存在。     

低温PECVD法制备半导体的复合钝化膜

本文主要是以ＳｉＨ４、Ｎ２Ｏ和Ｓｉ３Ｈ４、ＮＨ３、Ｎ２作为气体源，在平行板电容耦合式淀积设备上，采用等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）法制备ＳｉＯ２－Ｓｉ３Ｎ４复合钝化膜。     

直流等离子体CVD法制备c—BN膜

本文研究了直流等离子体ＣＶＤ法制备Ｃ－ＢＮ薄膜。在衬底温度８５０℃和放电电流密度４Ａ／ｃｍ＾２条件下，ｃ－ＢＮ膜生长速率可达１０μｍ／ｈ反应气体是Ｂ２Ｈ６＋ＮＨ３＋Ｈ２，并且工作压强为１３－２６ｋＰａ。     

紫(外)激光作用下Si(CH3)4的MPI与Si原子的共振电离

在紫（外）激光作用下,利用平行板电极装置及飞行时间（ＴＯＦ）质谱仪,研究了Ｓｉ（ＣＨ３）４分子的多光子电离（ＭＰＩ）、多光子解离（ＭＰＤ）及由Ｓｉ（ＣＨ３）４解离产生的Ｓｉ原子的共振电离。得到了４０４－３７８ｎｍ内Ｓｉ（ＣＨ３）４的ＭＭＰＩ光谱及某些波长点处的ＴＯＦ质谱。根据实验结果,讨论了Ｓｉ（ＣＨ３）４的ＭＰＩ机理,得到了一些有意义的结论。     

a-Si_3N_4纳米粒子的能级结构研究

用激光化学气相沉积法制备出平均粒径为１０ｎｍ的 ａ－Ｓｉ_３Ｎ_４纳米粒子,对不同浓度的 ａ－Ｓｉ_３Ｎ_４纳米粒子溶液进行了紫外吸收及荧光光谱测试,并首次在３．０～４．１ ｅＶ范围发现６个荧光峰．根据吸收及荧光光谱研究其能级结构,描述了ａ－Ｓｉ_３Ｎ_４纳米粒子的物理结构图像,验证了硅悬挂键Ｓｉ~Ｏ在ａ－Ｓｉ_３Ｎ_４纳米粒子光谱性质中的主导作用．     

Si(100)面上3C-SiC的生长

１０００℃下用Ｓｉ２Ｈ６和Ｃ２Ｈ４在Ｓｉ（１００）面上用气源分子束外延进行了ＳｉＣ的生长,Ｘ射线双晶衍射和ＨＲＥＥＤ表明外延层为３Ｃ－ＳｉＣ单晶;俄歇电子谱分析其中的Ｓｉ／Ｃ约为１．６．用Ｎｏ－ｍａｒｓｋｉ光学显微镜观察,其表面存在类似四边形的缺陷;与不同温度,不同Ｃ２Ｈ４流量下Ｓｉ衬底碳化形成的碳化层表面进行了比较,分析了缺陷形成的原因．     

NH3／H2O2溶液腐蚀下多孔硅光致荧光

用光致荧光谱、傅里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）对用阳极氧化法制成的多孔硅层在１％ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液中的腐蚀现象进行了研究。红外分析表明，Ｓｉ－Ｏ键和Ｈ－Ｏ键的强度随ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液的腐蚀时间的增加而增加，Ｓｉ－Ｈ键强主匠随腐蚀时间增加而减少。光致荧光谱的峰值在腐蚀开始时先下降后上升，半高宽变窄，谱峰的以边明显蓝移。分析研究表明，１％ＮＨ３／Ｈ２Ｏ２溶液对多孔硅层有腐蚀     

大面积水听器用0-3型压电复合材料的制备

以钛酸铝（ＰＴ）和Ｆ２４「Ｐ（ＶＤＦ－ＴＦＥ）」为原材料，利用热轧法和旋转电晕放电极化方法制备出面积达３７５ｃｍ＾２，厚为首领μｍ的大面积０－３型ＰＴ／Ｐ（ＶＤＦ－ＴＦＥ）压电复合材料。其压电应变系数为３２ｐＣ／Ｎ，静水压压电系这到７８２．６ｍＶ．ｍ／Ｎ，并对其温度和压力稳定性进行了分析测试。     

一种简便有效的多孔硅后处理新方法

本文报道了一种简便有效的多孔硅（ＰＳ）后处理新方法，即在（ＮＨ４）２Ｓ／Ｃ２Ｈ５ＯＨ溶液中浸泡ＰＳ，并用紫外光辐照激发．后处理ＰＳ的光致发光（ＰＬ）强度约为未经处理的５倍；样品处理后的ＰＬ峰值９０ｍｉｎ内随激光连续激发时，在大气中呈现先指数衰减后线性增长，在真空（约１Ｐａ）中却呈现一直衰减到一个稳定值的新特点．通过样品的傅里叶变换红外吸收（ＦＴＩＲ）谱的测试与分析，表明后处理在样品表面产生了ＳｉＨ（Ｏ３）、Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ和Ｓｉ３Ｎ４三种提高ＰＳ的ＰＬ强度和稳定性的优质钝化膜     

γ-TiAl金属间化合物合金激光熔敷高温自润滑耐磨复合材料涂层

以 Ｎｉ８ＯＣｒ２０、Ｃｒ_３Ｃ_２、Ａｒ、ＣａＦ_２／ＢａＦ_２四元混合粉末为原材料,利用激光熔敷技术在ｒ－ＴｉＡｌ金属间化合物合金Ｔｉ－４８Ａｌ－２Ｃｒ－２Ｎｂ表面上制得了以ｒ一ＮｉＣｒ为基体、以初生Ｍ_７Ｃ_３及Ｍ_（２３）Ｃ_６为耐磨相、以弥散分布颗粒Ａｇ、ＣａＦ_２或ＣａＡｇＦ_４为自润滑相的高温自润滑耐磨复合材料涂层,涂层显微硬度大大提高且与基体呈冶金结合。     

Ba+HI态态反应的高分辨激光光谱及反应机理分析

本文报道用高分辨高稳定激光光谱和交叉分子束装置研究态态反应：Ｂａ（‘ＳＯ）十ＨＩ（Ｘ‘Ｚ“,Ｖ,Ｊ）－－＋Ｂａｌ（Ｘ‘Ｚ“,Ｖ,Ｊ）＋Ｈ（‘Ｓ;１２）．测得在Ｂａ与ＨＩ分子碰撞的相对运动速度从８５０ｍ／ｓ变化到１３００ｍ／ｓ范围时,产物Ｂａｌ（Ｘ‘Ｚ＋）的振动态Ｖ—０,１;２的转动态分布．如对于Ｂａｌ（Ｖ＝０）振动态,转动态分布的极大值的转动量子数从Ｊｍ。一４１４．５变化为Ｊｍ,。＝５１１．５,其碰撞参量的极大值从４．６Ａ变为３．９Ａ,较大的碰撞参量的产物分布在较低的振动态,但是较高的转动态;反…     

SiC器件──物理与数值模拟

从文献中摘出了６Ｈ碳化硅（６Ｈ～ＳｉＣ）的重要材料参数并应用到２－Ｄ器件模拟程序ＰＩＳＣＥＳ和ＢＲＥＡＫＤＯＷＮ及１－Ｄ程序ＯＳＳＩ中。６Ｈ－ＳｉＣｐ－ｎ结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达１０００Ｋ温度下应用的可能性。６Ｈ－ＳｉＣ１２００Ｖｐ－ｎ￣（－）－ｎ￣（＋）二极管与相应硅（Ｓｉ）二极管的比较说明６Ｈ－ＳｉＣ二极管开关性能较高，同时由于６Ｈ－ＳｉＣ　ｐ－ｎ结内建电压较高，其正向功率损耗比Ｓｉ略高。这种缺点可用６Ｈ－ＳｉＣ肖特基二极管克服。Ｓｉ、３Ｃ－ＳｉＣ和６Ｈ－ＳｉＣ垂直功率ＭＯＳＦＥＴ的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下，这种ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的开态电阻低于０．１Ωｃｍ￣２，可在高达５０００Ｖ阻塞能力下工作，而ＳｉＭＯＳＦＥＴ则限于５００Ｖ以下。这一点通过用ＰＩＳＣＥＳ计算６Ｈ－ＳｉＣ１２００ＶＭＯＳ－ＦＥＴ的特性得以验证。在低于２００Ｖ的电压区，由于硅的迁移率较高且阈值电压较低，故性能更优良。在上述的６Ｈ－ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约４×１０￣６Ｖ／ｃｍ的电场。为了研究ＳｉＣ器件的高频性能，提出了６Ｈ－ＳｉＣ发射极的异质双极晶体管?     

一种新型结构的LB膜化学场效应晶体管的气敏特性研究

合成了新型的有机半导体ＬＢ膜气敏材料（ＣＯＴＤＭＡＰＰ），其ＬＢ多层膜拉制在场效应晶体管上，形成了具有ＬＢ－ＯＳＦＥＴ结构的化学场效应晶体管（ＣｈｅｒｎＦＥＴ），该器件置于ＮＯ２，ＮＨ３，ＣＯ和Ｈ２Ｓ等有害气体中，结果表明在ＮＯ２气氛中元件漏电流ＩＤＳ发生变化，并可检测到２ｐｐｍ的ＮＯ２．这种器件的气敏特性在于ＦＥＴ的电流放大作用及ＬＢ膜的有序性的影响．     

光泵NH3分子远红外激光的一条新谱线

利用反射光栅调谐的脉冲ＴＥＡＣＯ２激光１０Ｒ（６）泵浦０．２ｍ长的小型ＮＨ３分子远红外激光器，当泵浦能量为１．１Ｊ，ＮＨ３分子气压为０．９ｋＰａ时，产生２９８μｍ的新谱线，对应Ｖ２：ａＲ（０，０），受激喇曼跃迁。     

β－BBO晶体压电应变系数的测量

用干涉法和准静态ｄ_（３３）测量仪相结合测量了β－ＢａＢ_２Ｏ_４（β－ＢＢＯ）晶体的全部压电应变系数，结果为：ｄ_（３３）＝１．０×１０~（１２）Ｃ／Ｎ，ｄ_（３１）＝－０．８３×１０~（１２）Ｃ／Ｎ，ｄ_（２２）＝２．２×１０~（１２）Ｃ／Ｎ，ｄ_（１５）＝２１．２×１０~（１２）Ｃ／Ｎ。     

GaP(100)表面硫钝化与稀土金属Gd界面形成的同步辐射光电子能谱研究

利用同步辐射光电子能谱研究了ＣＨ３ＣＳＮＨ２钝化的ＧａＰ（１００）表面和稀土金属Ｇｄ淀积到Ｓ－ＧａＰ（１００）表面的界面形成,结果表明ＣＨ３ＣＳＮＨ２溶液对ＧａＰ（１００）表面具有钝化作用,形成了Ｇａ和Ｐ的硫化物钝化层,对钝化表面退火,Ｐ－Ｓ键逐渐消失,而仅仅留下了Ｇａ－Ｓ键．Ｇｄ淀积到硫钝化退火的ＧａＰ表面,Ｐ的扩散被有效地阻止,而Ｓ仍保持在界面处,Ｇｄ与表面的元素态Ｐ和二聚体Ｇａ反应,形成金属Ｇａ向淀积的Ｇｄ金属层扩散,导致金属Ｇａ在表面偏析．     

SiC异质结双极晶体管的高频性能

用一种简练的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）模型来模拟ＳｉＣ基双极晶体管的高频和大功率特性。研究了一种外壳温度在２７℃（３００Ｋ）到６００℃（８７３Ｋ）下的６Ｈ－ＳｉＣ／３Ｃ－ＳｉＣＨＢＴ。将其高频大功率特性与ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ作了比较。不出所料，欧姆接触电阻限制了ＳｉＣＨＢＴ的高频性能。现在看来，在ＳｉＣ上只能可靠地产生１×１０￣（－４）Ω－ｃｍ￣２的接触电阻。所以ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）的最高实际值仅分别为４．４ＧＨｚ和３．２ＧＨｚ。但假定发射极、基极和集电极的接触电阻低到１×１０￣（－６）Ω时，则６Ｈ／３ＣＳｉＣＨＢＴ的ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）分别可达到３１．１ＧＨｚ和１２．７６Ｈｚ。     

甲醇远红外激光的一条新谱线

甲醇（ＣＨ３ＯＨ）分子是常用的ＦＩＲ激活介质,具有很特别的光谱特征。而小型光泵脉冲亚毫米波激光器是近年来才发展起来的新技术,作者已经成功地研制出管长为１０￣３０ｃｍ的ＣＨ３ＯＨＦＩＲ激光器,并获得谱线。本文利用ＣＨ３ＯＨ分子有表编制成数据库管理程序,对光泵ＣＨ３ＯＨ亚毫米波激光进行计算。代入ＣＯ２－９Ｐ（１６）线振动吸收跃迁的条件及相应的亚毫米波纯转动跃迁所受的跃迁选择条件,将泵频偏限制在±０．０