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通过对PbMe(Ca_(1/4)Mn_(1/4)Nb_(1/2))_xTi_yZr_zO_3系材料的研究,并以Sr ̄(2+)、Mg ̄(2+)等价取代Pb ̄(2+),以CeO_2作为添加改性剂,研制出机电耦合系数高(k_p=0.62)、机械品质因数高(Q_M=2036)、机械强度高(抗张强度为442MPa)、经时稳定性好的适用于大功率超声清洗换能器的压电材料。 相似文献
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国内首次报道用热壁外延(HWE)技术在(100)GaAs衬底上生长出Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te(111)薄膜。结果表明,薄膜在15~20μm厚时X射线双晶衍射回摆曲线半高宽在100弧秒以下,其位错腐蚀坑密度等于甚至小于10 ̄3cm ̄(-2)薄膜组分、层厚均匀,表面光亮如镜,质量达到国际先进水平,优于国内Cd_(0.96)Zn_(0.04)Te块晶,是外延生长HgCdTe的理想替代式衬底。文章强调了生长前GaAs衬底,多晶源预处理的重要性。 相似文献
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用法国进口的GaAsVPE设备,采用AsCl)3/H_2/Ga体系,以SnCl_4l/AsCl_3为掺杂液,生长了2英寸多层GaAs外延材料,自行设计了反应器的热场分布,在反应器中增加了合适的搅拌器,用以改变反应器中气体流动情况。GaAs外延层的浓度均匀性与厚度均匀性均小于5%。浓度均匀性的最佳值为3.7%,厚度均匀性的最佳值为1.5%,当外延层载流子浓度为1.9×10 ̄(17)cm ̄(-3)时,室温迁移率达到4390cm ̄2/V·s。 相似文献
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Au/Sn与p—HgCdTe的欧姆接触 总被引:3,自引:1,他引:2
研究了双层金属结构Au/Sn与p-HgCdTe上的接触电阻,实验测得Au/Sn与p-Hg1-xCdTe(x=0.217,0.41)的经接触电阻,ρc(295K,77K)为10^-2~10^4Ω.cm^2将这种电板接触应用于Hg1-xCdxTe(x=0.23)光伏器件,测得pn结I-V特性的正向斜率为12.6Ω即电极接触电阻小于12.6Ω。 相似文献
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我们在具有Y稳定的ZrO_2(YSZ)层的蓝宝石上获得高质量的YBa_2Cu_3O_7(YBCO)高温超导薄膜。在零磁场下,77k时,其临界电流密度达到1.6×10 ̄6A/cm ̄2。本文确定了多层膜超导材料的取向关系。YBCO膜的(001)面平行于YSZ过渡层的(100)表面。YSZ层厚为20nm。并且,由于Ba自YBCO层的外扩散,YSZ层含有Ba。尽管蓝宝石与YSZ层间的晶格铅配很大,由于YSZ层具有[100]择优取向,仍能获得准单晶的YBCO薄膜。在YBCO薄膜中,观察到均匀分布的、微小尺寸的Y_2BaCuO_5(211相)沉淀粒子,它们也有利于提高临界电流密度。 相似文献
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在用移动加热器法(THM)生长的碲镉汞(Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te)晶体中,发现在最后凝固部分的载流子浓度明显增加,可以认为载流子与汞空位等同。观测的纵向空位浓度分布可以用一个顾及到沿晶体长度不同部分的热随时间变化过程和依赖于Hg空位扩散系数的浓度模型作定量描述。 相似文献
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Sr_(10)Nd_4Cu_(24)O_(41)选区电子衍射和会聚束电子衍射研究表明,它的整体结构由两个沿c方向相互穿插的基本结构Ⅰ和Ⅱ构成。两个基本结构Ⅰ和Ⅱ的空间群和晶胞参数分别为G_1=Fmmm,a_1=11.38,b_1=12.90,c_1=3.91和G_2=Ammm,a_2=1/2a_1=5.69,b_2=12.96,c_2=2.74。利用超空间群理论,描述调制的整体结构和调制的亚结构对称性的空间群由会聚束电子衍射测定的基本结构的对称性推导获得。它们为,(γ_0=c_1/c_2),调制波矢。 相似文献
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过取样△∑调制技术(四下)──插值滤波器 总被引:1,自引:0,他引:1
过取样△∑调制技术(四下)──插值滤波器东南大学骆立俊,邹家禄一、前言过取样DAC系统的框图如图1所示,过取样插值滤波器框图和对应各点的信号与频谱如图2所示。其中输入信号x(n)是高分辨率、频率为f_n=2f_b的数字信号,f_b为模拟输入信号的最高... 相似文献
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用低温磁力显微镜观察YBa_2Cu_3O_(7-x)超导薄膜中的涡旋@郑兆佳@袁彩文¥武汉工业大学材料研究与测试中心¥美国德克萨斯大学(奥斯汀)物理系用低温磁力显微镜观察YBa2Cu3O7-x超导薄膜中的涡旋郑兆佳袁彩文AlexdeLozanne(武汉工业... 相似文献
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本研究采用电子通道技术(ECP)对单晶和双晶外延生长的YBa_2Cu_3O_7(YBCO)超导薄膜的结构、取向和表面完好性作检测,并证实对衬底的预处理可改善外延超导薄膜的质量;还对YBCO/CeO_2/MgO/SrTiO3的双外延薄膜作研究。 相似文献
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本文报道GaAs/AlGaAs多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能.这种材料由GaAs阱和AlGaAs势垒组成,除内n型掺杂,具有50个周期.利用分子束外延技术成功地生长出了大面积(2英寸)均匀(厚度△t_max/≤3%,组分△ x_max/x≤3.4%,掺杂浓度△nmax/n≤3%,椭圆缺陷≤300cm-2)的外延材料.分析了暗电流的成因,通过加厚势垒(Lb≥300)、控制掺杂(n≤1×10 ̄18cm ̄3)、精确设计子带结构,将暗电流降低了几个数量级,同时使电子的输运得到了改善.由此得到了高质量的 相似文献
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用XPS进行镉的表面化学研究刘朝旺(昆明物理研究所昆明650223)制作本征Hg_(1-x)Cd_xTe单晶,需要使用高纯源材料Hg,Cd,Tc和高纯生长管,还要避免各个工艺中的污染,如避免源材料表面氧化等。根据经验,氧化物在拉晶过程中很容易与石英管... 相似文献
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采用红外透射法测n型HgCdTe晶片的组分x.范德堡法测晶片的载流子浓度n0。用实测值x和n0计算出在相同低温热处理条件下不同组分(0.190<x<0.230)的n型HgCdTe晶片77K时本征浓度ni和杂质浓度nd.得到比值nd/ni与组分x的关系曲线。对此曲线分析可知,77K时HgCdTe(0.190<X<0230)并不处于杂质电离饱和区,而是处于过渡区,故不可以将霍耳系数R确定的载流于浓度n0视为杂质浓度nd。 相似文献
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在(100)取向半绝缘GaAs衬底上,采用独特的含有InSb非晶过渡层的两步分子束外延(MBE)生长了异质外延InSb薄膜。InSb外延层表面为平滑镜面,外延层厚度约为6μm,导电类型为n型,室温(300K)和液氮(77K)霍尔载流子浓度分别为n_(300K):2.0×10 ̄(16)cm ̄(-3)和n_(77K):2.4×10 ̄(15)cm ̄(-3);电子迁移率分别为μ_(300K):41000cm ̄2V ̄(-1)S_(-1)和μ_(77K):51200cm ̄2V ̄(-1)S ̄(-1)。InSb外延层双晶衍射半峰宽为198arcs,最好的InSb外延层的半峰宽小于150arcs。采用InSb非晶过渡层有效地降低了外延层中的位错密度,改善了InSb外延层的质量。 相似文献
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