新型MSIS结构气敏电容的研究

采用静电喷雾高温分解工艺制备ＳｎＯ２气敏膜，并与Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＯ２集成多层介质膜，用催化金属Ｐｔ作栅电极，制成新型的ＭＳＩＳ结构气敏电容。通过检测平带电压的变化，研究对Ｈ２和Ｏ２的气敏特性，分析其气敏机理并提出了检测的物理模型．     

氧分压影响SnO2气敏传感器响应的机理

本文报道了一种ＳｎＯ２气敏传感器感机理的新模型。ＳｎＯ２晶粒表面势垒由３个过程控制：（１）氧吸附（作电子受主）和脱附，（２）还原性气体附（作电子施主）和脱附，（３）表面氧化还原反应。据此可以很好地解释实验中发现的氧化压对气敏传感器响应的影响。     

溶胶凝胶法制备二维气敏光学薄膜及其氨气敏光学性能研究

本文研究了用溶胶凝胶法制作二维ＳｎＯ２；ＴｉＯ２混合薄膜并测量了它在氨气氛中的气敏透射谱，发现对低浓度委组最佳灵敏区显示出对二维薄膜厚度的依从性。利用这些现象可制成对低浓度敏感且有气体选择性的气敏传感器件。     

SnO_2-Sb薄膜材料的制备及气敏性能

利用等离子体化学气相沉积法制备了ＳｎＯ２－Ｓｂ导电薄膜，测试了ＳｎＯ２－Ｓｂ的气敏效应。结果表明，该薄膜对ＮＯ２气体有较好的气敏特性。当测试温度升高，其气敏响应时间相差无几，但恢复时间变短，同时气敏灵敏度相对提高，当温度达到２００℃以上时，灵敏度基本恒定。同时还可看出，不同阻值的薄膜其气敏灵敏度相差不大。     

自加热气敏电阻振荡周期的分析

ＳｎＯ２气敏电阻在含ＣＯ空气中的振荡机理，给出了气敏电阻在含ＣＯ空气中的热学方程式，获得了振荡周期τ的近似表达式，气敏电阻起振的必要条件及振荡周期τ与ＣＯ气体浓度Ｎ、工作电压Ｖ的关系。     

SnO2：TiO2薄膜氨气敏光纤传感器的研究

本文作者利用ＳｎＯ２：ＴｉＯ２气敏光学薄膜设计制成气敏光纤传感器，并用它测定氨蒸汽浓度，传感器的灵敏范围为１５０￣６０００ｐｐｍ，灵敏度为２００ｐｐｍ。     

一种低压智能功率集成技术

本文介绍了一种以传统多晶硅栅ＶＤＭＯＳ工艺为主的新型自隔离智能功率集成工艺技术。该技术可以将ＶＤＭＯＳ、ＨＶ－ＣＭＯＳ、ＬＶ－ＣＭＯＳ、ｎｐｎ双极晶体管、齐纳二极管、电容等器件集成在同一单片电路中。整个工艺仅１０块掩模版。结合我们研制的高边智能功率开关电路，对器件结构、特性和工艺设计考虑进行了详细的分析。     

一种新型结构的LB膜化学场效应晶体管的气敏特性研究

合成了新型的有机半导体ＬＢ膜气敏材料（ＣＯＴＤＭＡＰＰ），其ＬＢ多层膜拉制在场效应晶体管上，形成了具有ＬＢ－ＯＳＦＥＴ结构的化学场效应晶体管（ＣｈｅｒｎＦＥＴ），该器件置于ＮＯ２，ＮＨ３，ＣＯ和Ｈ２Ｓ等有害气体中，结果表明在ＮＯ２气氛中元件漏电流ＩＤＳ发生变化，并可检测到２ｐｐｍ的ＮＯ２．这种器件的气敏特性在于ＦＥＴ的电流放大作用及ＬＢ膜的有序性的影响．     

气敏器件用SnO_2薄膜材料

采用溶胶－凝胶法以ＳｎＣｌ２·Ｈ２Ｏ和ＺｒＯＣｌ２·８Ｈ２Ｏ为原料,制备出性能优良的纳米ＳｎＯ２薄膜材料。用Ｘ射线衍射仪分析了晶相,ＴＥＭ分析了微观结构。研究了掺杂、处理温度等对其性能的影响。在此基础上制作了ＳｎＯ２薄膜气敏器件,并检测了其气敏特性。     

超微粒氧化锌,锡复合薄膜的断面研究

本文用扫描电于己微镜（ＳＥＭ）观察了ＺｎＯ／ＳｎＯ２，ＳｎＯ２／ＺｎＯＵＰＦ的断面形貌，所研究的薄膜系采用直流气体放电活化反应蒸发沉积法制备。结果表明：用直流气体放电活化反应蒸发沉积法，通过二次蒸镀的方式所制备的双层超微粒子薄膜（ＵＰＦ），膜层间具有明巳的扩散现象，由扩散所形成过渡层的形态与复合的方式有关。同时，对其气敏选择性机理进行了一定的探讨。     

SnO_2陶瓷材料的制备及其气敏特性

研究了Ｓｎ粒的硝酸氧化法、ＳｎＣｌ２溶液化学沉淀法、ＳｎＣｌ２与ＳｎＣｌ４混合盐沉淀法及Ｎａ２ＳｎＯ３溶液化学沉淀法等合成纳米ＳｎＯ２气敏材料的工艺条件、产率、结构和气敏性能及Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ等贵金属对不同工艺ＳｎＯ２的气体灵敏度和气敏选择性的影响。实验结果表明,制备工艺,颗粒尺寸,掺杂元素和工作温度等对ＳｎＯ２的气敏特性有影响。     

QM-Y6型燃气敏传感器的可靠性

通过ＱＭ－Ｙ６型燃气敏旁热式气体传感器的工作寿命试验和试验数据的处理,获得了该型传感器的寿命分布和分布参数以及可靠性水平,为评价和提高该气敏传感器的可靠性水平提供了依据。     

厚膜型气敏器件膜厚影响气体检测灵敏度的研究

利用化学深沉法制备ＳｎＯ２纳米材料，再利用平面丝网印刷技术制备不同膜厚的ＳｎＯ２厚膜型气敏器件试样，测量不同厚膜气敏器件试样对甲烷气体检测灵敏度和阻温曲线，并进行复阻抗分析。实验表明试样膜厚对检测灵敏度的影响是明显的，试样膜厚在５３μｍ左右对甲烷气体有最大灵敏度。     

彩色SXGA数字图像传感器

Ｍｏｔｏｒｏｌａ公司的 ＭＣＭ２００２７彩色ＳＸＧＡ数字图像传感器是固态有源ＣＭＯＳ图像传感器（ＡＣＩＴＭ）,它在单一芯片上集成有完整的模拟图像采集、模／数转换和数字信号处理系统的功能,实现真正的“片上相机”（“ ｃａｍｅｒａ ｏｎ ａ ｃｈｉｐ”）。ＭＣＭ２００２７简化和详细框图示于图１和图２。图像传感器由１２８０ ×１０２４有源元件的格式像素阵列组成。图像的大小是完全可编程的,由用户确定所需视窗。像素的间距为６．０μｍ。像素所采用的光电二极管结构具有高灵敏度和低噪声的特点。标准微透镜进一步提高了灵…     

单稳双稳态转变逻辑单元等效电路模型

基于共振隧穿二极管的单片集成的单稳双稳态转变逻辑单元电路是近年出现的一种新型电路逻辑单元．本文介绍一种简单的ＭＯＢＩＬＥ电路结构,给出了适合于ＰＳＰＩＣＥ模拟的模型,并根据模拟结果分析了共振隧穿二极管电容的充放电过程,同时讨论了ＭＯＢＩＬＥ电路工作的内部物理过程．     

传感器应用领域不断拓展图像传感器成为新亮点

中国从80年代开始发展传感技术，近年来研制水平不断提高，研究应用领域不断拓宽，目前已由过去的少数品种扩展到光敏、热敏、力敏、压敏、磁敏、气敏、湿敏、声敏、射线敏、离子敏、生物敏等多种传感器，以及变送器、二次仪表等多种类、多形式产品，与国外研制领域相当。生产规模不断扩大，热敏电阻器、ZnO压敏电阻器、可燃性气体传感器、光电二极管等十几个品种已形成一定规模生产能力。     

不同CO吸附类型对超细SnO_2气敏元件的作用

本工作采用超细ＳｎＯ２为基体，ＣＯ为检测气体，检测了烧结型ＳｎＯ２元件在不同温度下的气敏效应．同时利用流动饱和法测试了粉体不同温度下对ＣＯ的可逆及不可逆吸附量．一方面通过新材料的使用，降低了元件的工作温度；另一方面，通过吸附测试与气敏效应的关联，认为：超细粉体低温时表面可逆ＣＯ量的存在，是其能够降低工作温度的主要原因．粉体表面的不可逆ＣＯ量直接影响着元件的响应输出（灵敏度）．材料本身的吸附总量和气敏特性有着良好的对应关系．ＳｎＯ２元件气敏效应的发挥是粉体表面可逆与不可逆吸附共同作用的结果．     

CO／H2集成FET型气敏传感器的研究

本文初步探讨了FET型气敏传感器的敏感机理,采用N阱双极MOS兼容工艺,将CO,H_2气敏单元,择优差分型气敏单元、加热单元、温敏单元单片集成,制作了可调高温的具有高稳定输出的芯片自恒温系统,研制出具有良好的选择性和稳定性,较高灵敏度的集成MOS气敏传感器.     

催化与气敏传感器

本文简介了气敏传感器发展概况,论述了催化在气敏传感器中的重要作用,对半导体气敏材料的气敏机理进行了讨论并提出了见解,最后结合研究工作介绍催化气敏元件的一些特性及用于可燃性气体测定的情况。     

电子气敏报警器

电子气敏报警器张歌本文介绍的电子气敏报警器采用国产半导体气敏元件ＱＭ—ＮＳ作气敏传感器，实现“气一电”转换，达到报警目的。电路原理如图所示。ＫＤ—１５３Ｂ、三极管ＢＧ。、ＢＧ。等组成报警发声源，元件少，耗电小。三极管ＢＧ；、ＢＧ。组成互补型复合放大器...