β－BBO晶体压电应变系数的测量

用干涉法和准静态ｄ_（３３）测量仪相结合测量了β－ＢａＢ_２Ｏ_４（β－ＢＢＯ）晶体的全部压电应变系数，结果为：ｄ_（３３）＝１．０×１０~（１２）Ｃ／Ｎ，ｄ_（３１）＝－０．８３×１０~（１２）Ｃ／Ｎ，ｄ_（２２）＝２．２×１０~（１２）Ｃ／Ｎ，ｄ_（１５）＝２１．２×１０~（１２）Ｃ／Ｎ。     

β—BBO晶体的电光性能

用干涉法测量了β－ＢＢＯ晶体的电光系数：γ２２＝２．６，γ３３＝０．２３，γ３１＝０．２５，γ５１＝－３．５×１０－１２ｍ／Ｖ。结果表明如果在Ｙ方向加电场，Ｚ方向通光，β—ＢＢＯ晶体可能制作成有应用价值的光开关。     

干涉法测量^α—LiIO3晶体的压电系数

在电场频率为1kHz的情况下,用干涉法测量了α-LiIO_3晶体的全部压电系数,其结果为:d_(33)=25.3,d_(31)=-6.3,d_(14)=3.4,d_(15)=44.5×10~(-12)C/N。     

晶体非线性系数微机测量系统

本文详细叙述了晶体非线性系数微机测量系统的基本结构、软硬件设计。简要讨论了系统运行结果,并给出了SiO_2晶体样品的马克条纹法测试图形。     

Hg（C4H8N2S）3Cl2晶体压电系数的测量

本文测量了Hg(C_4H_8N_2S)_3Cl_2晶体的压电系数,结果为:d_(33)=3.2,d_(31)=-0.2, d_(22)=2.9,d_(15)=3.3×10~(-12)C/N.     

BBO晶体中280.5—289.5nm倍频的产生

用Rh·6G染料激光在BBO晶体中倍频,获得了连续可调谐输出的整个范围是280.5—289.5nm,最大输出能量为8.5mJ,转换效率为31.6%。并讨论了提高倍频输出功率和转换效率的实验条件。     

压电晶体表面的声非线性

本文根据非线性反射法通过对压电晶体表面进行部分模场分解,提出了解决声非线性问题的基本途径。非线性压电晶体自由边界反射问题的二次近似解表明:二次谐波场是由四种基本反射波的无数交扰和自作用决定的。由于二阶和三阶弹性、压电、介电等材料参数的缘故,这些互作用在晶体的块体内和表,面上产生2ω的弹性和电效应源。由自模式互作用产生的谐波相位匹配导致声表面波(SAW)二次谐波的产生,振幅沿边界增大。通过解非线性反射问题推导出压电晶体中SAW二次谐波的分析表达式。SAW二次谐波产生的效率取决于基频SAW的所有四种部分波的分布且与材料声非线性参数值、慢模及其相应的幅度和相位成正比。预计压电晶体中非线性SAW稳态波形将不同于传统的N形或“锯齿”形。     

LiClO_4·3H_2O晶体的压电性能

本文测量了LiClO_4·3H_2O晶体的压电系数,结果为:d_(33)=5.2,d_(31)=-1.0,d_(15)=0.8×10~(-12)C/N。     

一维光子晶体的应变测量

采用ZnSe和Na3AlF6两种经典介质材料构造一维光子晶体,缺陷层介质为Na3AlF6。利用传输矩阵法对带有缺陷的一维光子晶体的传光特性进行了理论分析,并得到其带隙特性。分别数值研究了参考光子晶体以及应变前后测量光子晶体的透射谱,分析结果表明光子晶体所受的纵向应变与其缺陷峰波长之间呈线性关系,根据这种对应关系提出了一种新的测量应变的方法。由于粘贴光子晶体的基底与光子晶体的线膨胀系数不同,且温度变化也会引起构成光子晶体材料折射率的变化,导致光子晶体透射谱缺陷峰波长的漂移。为了消除温度误差,在测量光路中设置了与测量光子晶体结构相同的参考光子晶体,对温度的影响进行了补偿。实验表明,测量系统的灵敏度为6×10-4nm/με,测量范围为0～2000με。     

一种脉冲宽调谐BBO光参量振荡器的实验研究

使用Nd：YAG激光器的倍频(0．532μm)光泵浦BBO晶体光参量振荡器，使用一组腔片，获得0．7～2．1μm可调谐激光输出，并对实验结果进行了分析。     

霍耳位移法测量压电陶瓷的压电系数

提出了一种利用霍耳位移传感器测量压电陶瓷的横向压电系数的新方法。该方法利用压电陶瓷的逆压电效应,对压电陶瓷施加一定大小的电压,使其在垂直电场方向上产生微小形变,利用霍耳位移传感器法测量这一微小位移,得到不同电压驱动下压电陶瓷相应的伸长量,通过计算得出该材料的压电系数。实验表明,该方法简单可靠,精确度高,实验结果符合预期。     

K0.9Li0.1（Ta0.5Nb0.5）O3晶体压电应变系数的测量

用准静态ｄ＿（３３）测量仪和干涉法相结合。测量了Ｋ＿（０．９）Ｌｉ＿（０．１）（Ｔａ＿（０．５）Ｎｂ＿（０．５）Ｎｂ＿（０．５））Ｏ＿３晶体的压电应变系数。结果为：ｄ＿（３３）＝８６．０，ｄ＿（３３）＝一２９．５，ｄ＿（１５）＝１１２．９×１０￣（－１２）Ｃ／Ｎ．