31位低频声表面波可程序匹配滤波器

报道了３１位声表面波可程序匹配滤波器的结构、设计和性能参数。声表面波可程序抽头延迟线是近年来快速发展的直扩技术广泛应用的一种器件。它的强大信号处理能力和极高的运算速度，使得直扩序列信号的快速同步及匹配滤波较传统的技术大为简化。文章报道的３１位声表面波低频可程序抽头延迟线是一种用于扩频抗干扰通信系统所用的关键信号处理器件。在研制过程中，采用的ＣＯＭＳ／ＳＯＳ等新技术以及分裂抽头等新设计，使器件的时钟速率和主旁瓣比关键技术指标获得了较大的提高，完全满足系统要求     

一种新型声表面波—二极管卷积器

本文提出了一种新型结构的声表面波──二极管卷积器，利用二极管在反向偏置时结电容的非线性，通过声表面波延迟线抽头与二极管直接耦合而获得信号的卷积输出。这种新结构可以更有效地抑制抽头间的相互影响以及输入信号自身的谐波输出，并可以提高器件的工作带宽。该卷积器可在中频对信号进行实时处理，具有结构简单、效率高的特点，文中讨论了这种器件的工作原理，并给出了一个２８抽头卷积器的实验结果。     

ACT可程序抽头延迟线的性能

设计并研制了以声电荷转移(ACT)方基础的带有单片抽头加权控制电路的可程序抽头延迟线(PTDL)。ACT器件是一种新型高频单片电荷转移器件(CTD),在此器件中,载流子由传播于GaAs之类压电半导体中的大功率声表面波(SAW)的行波电场来聚集,并在此电场范围内转移。这种ACT/PTDL器件由ACT延迟线、32抽头电极阵列、和以GaAs肖特基势垒二极管为基础的抽头加权控制电路所构成。此器件是一种单片GaAs横向滤波器,其工作带宽为180MHz,抽头间隔为22.4ns,抽头加权控制为8bit。ACT/PTDL是完全可程序的,抽头加权由借助于数字/模拟(D/A)接口板的微机来控制。 ·     

32位SAW抽头延迟线匹配滤波器

文章采用了声表面波（ＳＡＷ）抽头延迟线和延迟线相合结构以及幅度修正补偿设计技术，研制了７２ＭＨｚ和１４０ＭＨｚ３２位Ｍ序列ＳＡＷ抽头延迟线匹配滤波器，在连续脉冲测试条件下，对Ａ和Ｂ两种码序列分别获得到了３．４：１，４．４５：１和３．５：１，４．５：１的自相关峰值旁瓣比，同时介绍了器件工作原理，设计方法和实验结果。器件成功地应用于扩频无线局域网系统中。     

声表面波32位MSK抽头延迟线

介绍了扩频通信有效的ＭＳＫ信号特点及声表面波ＭＳＫ抽头延迟线构成方式，给出了声表面波３２位ＭＳＫ抽头延迟线的实验结果。     

64位声表面波可编程抽头延迟线

本文叙述了一种64位声表面波可编程抽头延迟线的结构及性能参数,采用专门设计的有源三极管作开关阵列单元,获得一个时钟速率大于1MHz,可编程速率为15kbit/s的器件。该器件性能基本满足系统实验要求,但在稳定性及波形一致性方面有待进一步提高。     

瞬态模式SAW TDL／P^＋N二极管存储相关卷积器

对瞬态模式ＬｉＮｂＯ３抽头延迟线（ＴＤＬ）外接ＰＮ二极管阵列结构的声表面波存储相关卷积器进行了详尽的理论分析,对影响器件性能的重要参量进行了分析计算。讨论了器件存储时间与二极管少于寿命的关系,给出了二极管在窄脉冲作用下的瞬态充电过程。并对研制的器件进行了测试,器件的效率为－７６ｄＢｍ。文中结论可用于这种结构器件的设计及优化。     

声表面波抽头延迟线和数字相关器解扩性能比较

声表面波抽头延迟线和数字相关器具有很强的信号处理能力，是通信系统中常用的两种部件，本文分析比较声表面波抽头延迟线和数字相关器的解扩性能。     

声表面波器件(SAWD)在扩频系统中的应用

声表面波器件(SAWD)是一种结合电和声学的器件，具有实时、高可靠、低功耗和低成本等方面的优点。扩频系统中．利用声表面波抽头延迟线作为匹配滤波器可实现多种功能，简化系统解扩解调和同步的实现,设计灵活。     

用于PD雷达欺骗干扰的声表面波延迟线组件

先进的脉冲多普勒（PD）雷达采用的信号脉冲具有相参性，又能进行相关处理，极大地提高了其抗干扰性能。而声表面波延迟线输入输出载频不变，并能始终保持脉冲的相参性，用于PD雷达欺骗干扰，是实用的方案。文章介绍了研制的声表面波可编程延迟线和多抽头延迟线组件，首次用于PD雷达欺骗干扰，应用前景良好。     

BD512模拟延迟线的原理及其应用

我所研制的BD512是一种新型集成电路,系集成戽链器件,它在音频处理方面有着广泛的用途。本文就BD512电路的原理和应用作了叙述。     

CMOS/SOS器件长期可靠性试验

用本所研制的CMOS/SOS器件作了两项试验,即CMOS/SOS4012长期可靠性试验和不同版图设计、不同器件工艺研制的CMOS/SOS长期可靠性对比试验。试验结果表明:不同版图设计和器件工艺对CMOS/SOS器件可靠性有较大的影响;改进了版图和器件工艺研制的CMOS/SOS器件达到了较高的可靠性;不同栅介质结构的CMOS/SOS器件在高温加电运行中,阈值电压的变化是不同的。     

用激光干涉法实时监控同轴磁控溅射ZnO薄膜的厚度

本文介绍了一种在我所生产的TCJ-300型同轴磁控溅射设备上采用激光实时监控ZnO薄膜厚度的方法.实验结果表明,该方法与其它膜厚监控方法相比较具有多种优点:它可以在溅射过程中实时显示薄膜的厚度、均匀性和溅射速率等;本实验装置简单;操作方便;其监控精度优于1.5%.     

单片式西沙瓦波卷积器的研制

单片式西沙瓦波(Seza wa)卷积器是信号处理的重要器件。本文对西沙瓦波卷积器的基本原理、主要设计参数作了描述,给出了我所研制的西沙瓦波卷积器的测试结果,并对器件的性能改进作了讨论。     

以太网通信在太阳能电池测试分选设备中的应用

太阳能电池测试分选设备用于晶体硅太阳能单体电池的性能测试和自动分选,位于太阳能电池生产的最后一道工序,由上料台、定位机构、传送装置、测试座、分选机构、太阳模拟器、控制系统等部分组成。介绍了中国电子科技集团公司第四十八研究所开发的国内首台全自动晶体硅太阳能电池测试分选设备,重点介绍了该设备太阳模拟器和控制系统之间的数据交换方式。即采用进口的高速高精度可编程控制器(PLC)为控制核心,通过以太网通信的方式实现了PLC和太阳模拟器之间的高速数据交换。     

一种新型离子束刻蚀装置的研制

介绍了一种新型离子束刻蚀装置。该装置具有如下特点:工件台可进行二维运动,带有自动挡板机构和独立的测束装置,中国电子科技集团公司第四十八研究所研制的平行束离子源,以及分子泵加机械泵的真空系统。工艺试验结果表明,该设备是一台先进的半导体工艺设备,性能稳定,刻蚀均匀性可达±4%。     

配电网静止同步补偿器在江西电网中的仿真应用

配电网静止同步补偿器（DSTATCOM）是一种能够快速提供大容量无功功率的新型电力电子装置,能提高故障时电力系统暂态稳定性和抑制电压闪变等。DSTATCOM比其他的FACTS装置有更为优越的性能。以江西省电力科学院设计的电力系统综合程序／用户程序接口（PSASP／UPI）为工具,对江西电网应用DSTATCOM装置前后的暂态过程进行对比分析,研究了DSTATCOM在提高江西电网电压水平,改善江西电网暂态稳定性方面的效果。     

Study of base series resistance losses in single and double emitter silicon solar cells through simulations and experiments

This work focuses on base series resistance influence on the performance of single and double emitter rear point contact silicon solar cells. This study is performed through measurements on experimental devices with different rear contact sizes and spacings, which were designed and fabricated using standard silicon integrated circuit technology, while the results were compared with simulation data based on a 3D model developed at our institute. Simulation and experimental results show that the series resistance of the double junction structure is significantly lower compared to the single junction equivalent. In addition, it was demonstrated that the operation of both junctions under slightly different voltages improves device efficiency. Copyright © 2008 John Wiley & Sons, Ltd.     

材料备件业务管理系统的开发

计算机应用管理已经无处不在，它们被广泛应用于实现现代化办公或业务管理。本文主要阐述了本单位的材料备件计划采购及仓库管理计算化的实现过程。     

压电材料的发展及应用

对压电学作了历史地回顾之后.本文概括地叙述了国内外,特别是我所的压电材料的发展以及它们的各式各样的应用.最后介绍了压电陶瓷的发展趋势.