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为了获得高温稳定的电容材料,研究了ZnO、CeO2掺杂对Mn改性(Bi0.5Na0.5)0.88Ca0.12TiO3陶瓷材料介电性能的影响,并借助于XRD和SEM进行了微观分析.研究发现:随着ZnO掺杂量的增加,介电常数先增加后减小;容温变化率(△C/C25℃)曲线高温段改善;介质损耗在100℃以上的高温段先减小后又增加.XRD表明ZnO、CeO2的添加都引入了第二相;SEM显示添加质量分数为2%的ZnO能抑制异常晶粒,使晶粒均匀致密.在ZnO掺杂基础上添加CeO2,进一步改善了容温特性.当ω(CeO2)=1.2%~2.4%时,在-55~250℃范围内△C/C25℃≤±8%. 相似文献
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采用直流反应磁控溅射法在Si衬底上引入ZnO缓冲层制备了沿(200)晶面择优取向生长的MgO薄膜,然后分别采用快速退火和常规退火两种不同的方式对MgO薄膜进行晶化处理。利用X射线衍射仪(XRD)以及原子力显微镜(AFM)研究了ZnO缓冲层以及两种不同的退火方式对MgO薄膜的结构和形貌的影响。结果表明:具有合适厚度的ZnO缓冲层可以显著地提高MgO薄膜的结晶质量。另外,与快速退火相比,常规退火处理后得到的MgO晶粒均匀圆润,有着较大的(200)衍射峰强度以及较小的表面粗糙度。 相似文献
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对ZnO压敏电阻器高价Nb掺杂的缺陷模型进行了分析,据此模型对ZnO压敏电阻器的性质进行了讨论。 相似文献
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纳米ZnO掺杂对压敏阀片电性能和组织的影响 总被引:5,自引:2,他引:3
研究了纳米级ZnO粉料对压敏阀片的压敏电压、漏电流和压比的影响,并对其微观结构进行了分析研究,从理论上探讨了纳米ZnO影响压敏阀片电性能与微观结构的机理。研究结果表明,氧化锌压敏阀片中加入纳米ZnO后,其压敏电压显著提高。在质量分数为0~30%的范围内,随着纳米ZnO含量的增加,压敏阀片的压敏电压明显提高,其压比也呈升高趋势。当纳米ZnO含量为30%时,压敏电压约达547.54 V/mm,压比为1.149。在0~10%的范围内,随着纳米ZnO含量的增加,压敏阀片的漏电流呈下降趋势,而在10%~30%的时,漏电流又随纳米ZnO的含量的增加而升高。当纳米ZnO的含量为10%时,漏电流最小,为0.6 mA。 相似文献
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研究了准分子激光辐照对ZnO陶瓷表面性能的影响,测量ZnO陶瓷在准分子激光作用前后的伏安特性变化,对准分子激光辐照前后ZnO陶瓷进行了XRD、XPS分析对比,分析了准分子激光对ZnO作用的机理。 相似文献
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采用X射线光电子能谱(XPS)对比分析纯氧化锌陶瓷和氧化锌压敏电阻的界面特性。结果表明,纯氧化锌陶瓷晶粒平均尺寸小于10 祄,掺杂材料有利于ZnO晶粒均匀生长。界面上O/Zn原子数量比值等于2.58,但界面势垒不到10 mV,其体电阻率在2.36~47.97佟m。价电子谱发现:室温下仅纯ZnO费米能级附近有载流子分布,这表明:压敏电阻界面有陷阱态,氧化锌压敏电阻界面电输运特性需用载流子陷阱对双肖特基势垒进行补充。 相似文献
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Nb2O5掺杂对ZnO压敏电阻器电性能的影响 总被引:5,自引:1,他引:4
本文研究了Nb_2O_5掺杂以及Nb_2O_5与ZnO煅烧对ZnO压敏电阻器电性能的影响。实验表明,Nb_2O_5的掺入使压敏电场减少,当Nb_2O_5含量为0.1%mol时,其压敏电场最小.非线性系数最大。煅烧温度越高,压敏电场越高,非线性系数越大。 相似文献
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本文从含TiO2低压压敏材料入手,研究了HNO3处理及热处理工艺对ZnO压敏电阻器性能的影响,并讨论了交流冲击下的电压稳定性,通过处理,其非线性系数a上升,漏电流IL下降,尤其耐冲击能力大有改观。 相似文献
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线性双向式超声波马达的设计与分析 总被引:3,自引:0,他引:3
提出了双Π形线性双向式小型超声波马达模型,分析了这种超声波马达的线性驱动原理及其受力情况。通过计算机模拟仿真,证明了该理论模型的正确性和可靠性,指出了小型线性超声波马达的应用前景及其所要解决的主要问题。利用该原理的超声波马达将具有体积小、结构简单、重量轻、换向方便、响应速度快、可控性好等特点。 相似文献