Mg：Fe：LinbO_3晶体光折变增强效应的研究

在铌酸锂晶体中掺ＭｇＯ和Ｆｅ２Ｏ３，生长出Ｍｇ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体．由于薄晶片的光爬行效应，晶体的二波耦合指数增益系数高达８０ｃｍ－１，且角度响应范围加宽，响应速度和抗光散射能力都比Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３有较大改善．以Ｍｇ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作光放大器，实现了一次迭代全息关联存储．     

高质量镁铝尖晶石单晶生长的研究

对制作微波延迟线用镁铝尖晶石单晶生长进行了研究，采用原料配比为ＭｇＯ：Ａｌ２Ｏ３＝１：１（ｍｏｌ），通过化学反应间接合成ＭｇＡｌ２Ｏ４多晶料，使用铱坩埚盛料，选用中频感应加热，在氩气中用提拉法以及合适的温场和最佳工艺参数，生长了出了高质量的镁铝尖晶石单晶，其性能达到微波器件使用要求。     

Nd：MgO：LiNbO3晶体的荧光光谱及其双晶体腔内互倍频实验

采用激光感生荧光技术测量了Ｎｄ：ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ３晶体的偏振荧光光谱，简要地说明了Ｎｄ：ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ３双晶体腔内互倍频的基本原理，并在实验中用染料激光作泵浦源实现了其双晶体腔内互倍频运转；得到５４３ｎｍ横模倍频绿光单端输出约ＹＭＷ，腔前泵浦阈值约３８ＭＷ，总转换效率约为１．３％。     

RuO_2－Ag低阻浆料中掺入MnO_2、V_2O_5杂质改善电阻特性

ＲｕＯ_２－Ａｇ低阻浆料中掺入ＭｎＯ_２、Ｖ_２Ｏ_５杂质改善电阻特性宋兴义（昆明贵金属研究所昆明６５０２２１）为了改善ＲｕＯ２－Ａｇ系低阻浆料的电阻温度系数，大多采用在电阻浆料中掺入表１掺ＭｎＯ２的ＲｕＯ２－Ａｇ电阻浆料配方ＭｎＯ２、Ｖ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ...     

MgO在含铅PTCR陶瓷中的作用

研究了ＭｇＯ加入到含铅ＰＴＣＲ陶瓷中的作用。用碱土金属Ｍｇ２＋对（Ｂａ，Ｐｂ）ＴｉＯ３掺杂，在１２４０～１３００℃空气中烧结，获得工艺性能良好，烧结温度较低，电性能优良的ＰＴＣＲ陶瓷材料。试验结果表明：ＭｇＯ的加入降低了含铅ＰＴＣＲ陶瓷的烧结温度，抑制了ＰｂＯ的挥发。     

PDP中的新型保护膜

主要介绍ＰＤＰ中的ＭｇＯ保护膜及各种制造方法，并对新型ＭｇＡｌ２Ｏ３保护膜作了简单介绍。     

全息法研究Mg:In:LN晶体波导基片的光损伤

在ＬＮ中掺进ｘ（ＭｇＯ）＝３％和ｘ（Ｉｎ２Ｏ３）＝１％、２％,用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法生长Ｍｇ：１％Ｉｎ：ＬＮ和Ｍｇ：２％ＩＮ：：ＬＮ晶体。以光斑畸变法测试晶体光损伤阈值,通过质子交换技术（ＰＥ）制备ＬＮ和Ｍｇ：Ｉｎ：ＬＮ晶体光波导基片,用全息法研究晶体波导基片的光损伤。结果表明,ＰＣ：Ｍｇ：１％Ｉｎ：ＬＮ的光损伤阈值比ＰＥ：ＬＮ提高２个数量级以上,ＰＥ：Ｍｇ：２％Ｉｎ：ＬＮ的光损伤阈值比ＰＥ：     

掺Pb[(Y1/2Nb1/2)0.06(Zr1/2Ti1/2)0.94]O3铁电陶瓷的性能

研究了ＭｎＯ２、ＭｇＯ 掺杂的０．０６Ｐｂ（Ｙ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３－０．９４Ｐｂ（Ｚｒ１／２Ｔｉ１／２）Ｏ３ 三元系压电陶瓷。通过测量得出了不同组分时的压电常数、机电耦合系数、极化前后的介电常数以及弹性柔顺系数;获得掺杂物与这些性能之间的关系;对实验现象进行了简单的讨论,得出一些有益的结论     

MgO:LiNbO_3晶体中双波长Nd:YAP激光的和频作用

基于ＭｇＯＬｉＮｂＯ３（ＭｇＬＮ）晶体的Ｓｅｌｍｅｉｅｒ方程,计算了１０７９．５ｎｍ和１３４１．４ｎｍ激光在该晶体中和频的相位匹配条件和容承角,计算结果用１０７９．５ｎｍ和１３４１．４ｎｍ双波长ＮｄＹＡ－ｌＯ３（ＮｄＹＡＰ）连续激光在ＭｇＯＬｉＮｂＯ３晶体中的和频进行了实验论证,两者相当符合,并得到了连续的５９８．１ｎｍ橙色相干辐射。讨论了１０６４ｎｍ和１３１８ｎｍ双波长ＮｄＹＡＧ激光在ＭｇＯＬｉＮ－ｂＯ３晶体中实现双波长和频获得５８８．７ｎｍ橙色相干辐射的可能性。     

烧块制备技术对PMN基瓷介电常数的影响

采用预产物法、一次煅烧合成法、二次煅烧合成法等制备Ｐｂ［（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）１－ｘ－ｙ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）ｘＴｉｙ）］Ｏ３（ＰＭＦＮＴ）化合物烧块，并从其Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）物相分析结果中估算出钙钛矿相的相对含量。进而探讨了烧块的制备技术对Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３（ＰＭＮ）基瓷的介电常数的影响，烧块的钙钛矿相含量增加，对应的ＰＭＮ基瓷的介电常数提高。选用合理的烧块制备技术是提高瓷料介电常数的关键环节     

银掺杂量对ZnO压敏电阻电性能的影响

通过传统的固相反应法在920℃制备了银掺杂的ZnO压敏电阻样品,考察了银掺杂量对样品烧结特性和电性能的影响。结果表明,银掺杂不利于样品的致密,但对于ZnO压敏电阻的电性能有明显的影响。当银在ZnO基体中的质量分数由15%增加到25%时,样品的压敏电压由1900V/cm降到600V/cm,对应的非线性系数由15.4降到9.0。这为进一步控制ZnO压敏电阻的电性能提供了新的途径。     

激光冲击波对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响

为了研究激光冲击处理对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响,采用Nd:YAG激光器对ZnO压敏陶瓷进行激光冲击处理,利用压敏电阻直流参量仪（CJ1001型）测量材料电学参量和X射线衍射仪、电子扫描显微镜表征相组成及微观形貌,取得了激光冲击处理前后ZnO压敏陶瓷电学性能的实验数据。结果表明,ZnO压敏陶瓷经激光冲击处理后,电位梯度降低了15.6%;非线性系数大幅提高了43.4%;漏电流降低了50%;同时,ZnO压敏陶瓷相组成除高温烧结态(包括ZnO主晶相、Zn2.33Sb0.67O4尖晶石相以及-Bi2O3相)外,而还出现了新相-Bi2O3相。新相的出现是材料电学性能变化的根本原因。     

Sr掺杂对TiO2系压敏陶瓷电性能的影响

以TiO2为原材料,制备了具有压敏–电容复合功能的TiO2系压敏陶瓷材料。通过测试典型样品的V-I特性、D-f特性、电容特性及复阻抗频率谱,研究了不同掺Sr量的TiO2系压敏陶瓷材料的相关电学性质。实验结果表明,掺Sr量在强烈影响材料压敏性能的同时,对材料的电容特性也会产生较大影响。在掺Sr量为x (Sr)=0.6%时,样品表现出最好的压敏性质,其压敏电压为55 V/mm,a可达到5,1 kHz下损耗为0.1,相对介电常数可达2.8?05。     

提高ZnO压敏电阻器电性能的研究

采用sol-gel法制备了复合纳米添加剂。将其与ZnO,Sb2O3混合,球磨后按传统工艺制备了ZnO压敏电阻器。通过粒度测试,分析了复合纳米添加剂的粒径大小;借SEM分析了电阻器的微观形貌,并测试了电阻器的电性能。结果表明:添加剂的粒径集中在100nm以下,用该添加剂制成的电阻器微观结构更均匀,其8/20μs通流能力达2500A,2ms方波能量耐受能力达46J。     

掺杂La2O_3的ZnO-Pr_6O_(11)系压敏陶瓷材料

研究了掺杂La2O3对ZnO-Pr6O11系压敏陶瓷的电性能和衰变特性的影响。试验结果表明:随La2O3添加量的增加,压敏电压(V1mA)和非线性系数(α)增加,漏电流(IL)减少。掺杂La2O3的ZnO-Pr6O11系压敏陶瓷性能稳定,具有良好的抗老化作用。     

K+对ZnO压敏陶瓷电性能的影响

采用传统的陶瓷工艺,制备了ZnO压敏陶瓷。研究了K+掺杂量对ZnO压敏陶瓷电性能的影响。结果表明:当x(K+)小于40×10–6时,对其电性能几乎没有影响;但若x(K+)超过60×10–6后,由于K+在晶界和三角区的大量偏析,破坏了晶界层的稳定,导致其浪涌电流耐受能力严重劣化。     

Li~+对ZnO压敏陶瓷电性能和能带结构的影响

采用氧化物固相合成法,制备了掺Li2CO3的ZnO压敏陶瓷。研究了掺Li2CO3量对ZnO压敏陶瓷电性能和能带结构的影响。结果表明:当x(Li2CO3)从0增加到0.50%时,压敏电位梯度从529V/mm增大到2170V/mm。XRD测试发现,掺Li2CO3并未出现新相结构。晶界势垒高度揭示,ZnO晶粒尺寸的迅速减小是压敏电位梯度急剧增高的主要原因。Li+置换Zn2+,将会在禁带中价带的顶部形成附加的受主能级,使能带发生畸变。     

TiO_2压敏电阻陶瓷元件等静压成型试验研究

采用干压及干压加等静压两种成型方法,通过对不同样品的电性能和焊接性能的比较,并通过SEM微观形貌的观察,研究了等静压成型对TiO2压敏电阻陶瓷元件的微观结构及电性能的影响。结果表明,经等静压成型的TiO2压敏电阻陶瓷的微观结构比较致密,气孔减少,元件的电压一致性和焊接性能得到较大的改善。     

TiO_2掺杂对低压ZnO压敏电阻性能的影响

研究了 Ti O2 掺杂量及制备工艺对 Zn O压敏电阻性能的影响。Ti O2 掺杂超过一定量时 ,压敏场强就不再降低 ,而非线性系数却一直下降 ,漏流迅速增大 ,使性能劣化。因此 ,要控制 Ti O2 掺杂量在适当范围内。粉料煅烧温度和烧成温度的高低也直接影响 Zn O压敏电阻性能。     

锶受主掺杂对TiO2压敏陶瓷电性能的影响

采用典型的电子陶瓷工艺,制备了不同SrCO3含量掺杂的TiO2压敏陶瓷。通过对试样的压敏特性、电容特性的测试,研究了不同SrCO3含量对TiO2压敏陶瓷电性能的影响。结果表明,随着掺入SrCO3含量的变化,TiO2压敏陶瓷的电性能呈现一定的变化规律。当x(SrCO3)为0.5%时,试样表现出最好的压敏特性:V1mA为7.2 V/mm,α为3.6,εr为8.3×104,tanδ为0.53。