超高清视频技术在广播电视中的应用研究

以超高清视频技术在广播电视中的应用为研究重点,首先全面介绍超高清视频的概念、超高清视频产业发展情况、超高清视频关键技术发展情况、超高清视频关键标准发展情况。其次,重点分析超高清视频技术在广播电视中的应用情况。最后,以超高清视频+虚拟现实、超高清视频+人工智能、超高清视频+5G为例进行说明,为超高清视频技术在广播电视领域的深度融合应用提供参考。     

2022中国超高清产业回望——从总台超高清制播实践看中国超高清产业发展

2022年是工信部、国家广播电视总局、中央广播电视总台关于印发《超高清视频产业发展行动计划（2019-2022年）》的通知收官之年,北京冬奥会赛事节目8K制播的顺利展开、超高清频道供给能力提升和超高清用户数过亿,《行动计划》在超高清制播领域的成就有目共睹。本刊就中央广播电视总台超高清制播体系的实践,采访了中央广播电视总台（以下简称“总台”）、超高清视音频制播呈现国家重点实验室主任姜文波。希望从总台的技术实践和科技创新中,为中国超高清产业的下一步发展明确方向。     

有线网络开展4K超高清业务的关键技术

阐述4K超高清和8K超高清的定义,详细说明有线网络公司开展4K超高清业务涉及到的关键技术:如采用新的信源编码、终端4K超高清机顶盒及相关解码芯片,并介绍江苏有线和大连有线开展4K超高清业务的具体做法。     

超高清超高分辨率大尺寸LED显示器

为了实现超高清、超高分辨率、大尺寸LED显示器的推广应用,本文分析了小间距LED显示的技术路线和在显示效果等方面存在的问题,详细阐述了集成封装、显示驱动控制、均一性调控和补偿等技术应用于超高清、超高分辨率、大尺寸LED显示器,提高显示效果所做的一些工作和研究进展,探讨了基于倒装发光芯片的微小间距LED显示技术的未来发展...     

总台动态

<正>中央广播电视总台超高清示范园落户北京市门头沟区2月14日,中央广播电视总台超高清示范园中文名称“央视界”及英文名称“CMG UHD Highland——CMG UHD Innovation Center”正式发布。示范园地处北京西部的门头沟新城,总用地面积超过4.7万平方米,总建筑面积约15.8万平方米。建成后将拥有超高清演播平台、超高清系统设备研发及应用平台、超高清转播车测试和维护平台、视听文化广场、视听艺术中心五大功能模块。     

超高清数字电视新进展和展望

超高清数字电视能够带来"身临其境"的视觉体验,成为下一代数字电视发展的最有可能候选对象。总结了超高清数字电视基本概念、关键技术和应用的最新发展状况,着重介绍了视觉体验与图像格式、超高清电视视频压缩和超高清传输。     

超高清数字电视关键技术及其发展趋势探讨

本文首先对超高清电视进行了简要介绍,然后对超高清数字电视涉及到的视频处理、音频处理、传输形式和显示等关键技术进行了详细分析,最后对国内外4K超高清频道发展情况及国内超高清科研和推广计划进行了阐述.     

5G与超高清视频在广播电视领域的融合应用

介绍5G的概念、发展现状,分析超高清视频的概念、现状以及5G与超高清视频的融合应用领域,探讨5G与超高清视频在广播电视领域的融合应用,包括5G与超高清视频在综艺节目、体育节目、新闻节目等领域的应用,为5G与超高清视频在广播电视领域的深度融合应用提供参考。     

超高清视频规模化应用蓄势待发

主持人:2019年,工业和信息化部、国家广播电视总局、中央广播电视总台联合印发《超高清视频产业发展行动计划(2019-2022年)》吹响了超高清视频产业发展号角。近期,超高清视频产业发展又迎来新举措。工业和信息化部、国家广播电视总局联合印发通知,征集超高清视频典型应用案例,以期进一步完善产业生态体系,推动超高清视频规模化应用。在政策和技术的不断加持下,我国高新视频生产正加快转型升级。国家广播电视总局公布的《2021年全国广播电视行业统计公报》显示,截至2021年年底,全国高清电视频道985个,4K超高清电视频道8个、8K超高清电视频道1个,中央广播电视总台和25家省级台电视频道基本实现高清化。新闻资讯类、专题服务类、综艺益智类电视节目高清超高清制作比例分别达到62.3%、55.7%和59.4%。本期“论场”特邀请多位行业资深专家为进一步完善产业生态体系、推动超高清视频规模化应用建言献策,助力我国超高清视频产业加快发展。     

超高斯型色散渐减光纤中脉冲的传输特性分析

为了研究超高斯脉冲在具有不同陡峭程度的超高斯型色散渐减光纤中的传输特性，采用了非线性薛定谔方程和分步傅里叶变换的方法，数值模拟了超高斯脉冲在超高斯型色散渐减光纤中的演化规律。在反常色散区考虑色散和非线性效应的情况下，对超高斯脉冲的阐述特性进行了时域和频域上的理论分析与实验验证。结果表明，陡峭程度m=4时, 超高斯型色散渐减光纤的传输特性最好。此研究对超高斯型色散渐减光纤中脉冲的传输特性分析是有帮助的。     

The measurement of alpha particle emissions from semiconductor memory materials

With the increasing concern for the affects of alpha particles on the reliability of semiconductor memories, an interest has arisen in characterizing semiconductor manufacturing materials for extremely low-level alpha-emitting contaminants. It is shown that four elements are of primary concern: uranium, thorium, radium, and polonium. Measurement of contamination levels are given relevance by first correlating them with alpha flux emission levels and then corre1ating these flux values with device soft error rates. Measurement techniques involve either measurements of elemental concentrations-applicable to only uranium and thorium - or direct measurements of alpha emission fluxes. Alpha fluxes are most usefully measured by means of ZnS scintillation counting, practical details of which are discussed. Materials measurements are reported for ceramics, solder, silicon, quartz, and various metals and organic materials. Ceramics and most metals have contamination levels of concern, but the high temperature processing normally used in semiconductor manufacturing and low total amounts reduce problems, at least for metals. Silicon, silicon compounds, and organic materials have been found to have no detectable alpha emitters. Finally, a brief discussion of the calibration of alpha sources for accelerated device testing is given, including practical details on the affects of source/chip separation and alignment variations.     

开发满足相关环保法令的环保电缆

介绍了欧盟RoHS指令的主要内容以及我国相应的环保法令,并将两者的异同之处进行了比较.提出了应对国内外环保法令的几个关键步骤,指出电缆制造业只有加快技术创新,积极开发满足环保指令的产品,才能在激烈的市场竞争中持续健康地发展.     

Nano-indentation studies of xerogel and SiLK low-K dielectric materials

Low-K dielectric films have reduced hardness and modulus relative to traditional dielectric materials. There are many potential challenges associated with these materials to integrate with integrated circuit (IC) technologies. It is important to evaluate the mechanical properties of low-K materials along with their electrical characterization to implement them in sub—0.25μm devices. In this investigation, we have discussed the mechanical properties of low-K dielectric materials and evaluated the mechanical behavior of SiLK and Xerogel samples using nano-indentation studies. Surface behavior after indentation is also investigated with high resolution scanning electron microscopy. Nano-indentation using the continuous stiffness measurement technique is shown to be reliable for evaluating the mechanical properties of thin and low modulus films.     

半导体微结构材料的发展

超晶格的概念与先进的材料生长技术相结合产生了半导体微结构材料。目前，材料设计、材料生长和深微米技术的一体化，推动着半导体微结构材料向着低维化方向发展。     

低温共烧陶瓷(LTCC)介质的材料科学与设计策略

低温共烧陶瓷(LTCC)介质是无源集成和系统级封装技术的关键材料。由于烧结工艺上的特殊要求,这类材料具有较传统电子陶瓷更复杂的显微结构,在材料的设计上难度更大。从材料的组成、结构、形成机制及其性质之间的关系出发,分析了探索新型LTCC介质材料的关键因素和设计策略,并通过对以作者研究组成功设计出的新型低介电常数LTCC材料——硅铝氟氧化物基LTCC介质为典型案例的剖析,论证了基于材料科学的基本原理实现对LTCC介质进行设计的可行性。     

新型环氧活性增韧剂及其应用工艺研究

介绍了一种新型环氧活性增韧剂-HH增韧剂及其在环氧绝缘浇铸料中的应用.并以CMP-410、QS-N、PSPA和此增韧剂比较研究,均获得了新颖的配方和适宜的工艺.通过实验应用表明:HH增韧剂性能良好,价格适宜,具有显著的经济效益和社会效益.     

半导体材料的发展及现状

介绍了半导体材料近 1 0年来的开发、研制状况及其在半导体器件和电路中的应用 ;对其中一些材料进行了分析比较 ;描述了半导体新型材料的发展前景。     

FBG传感器封装技术的进展

分析了Bragg光纤光栅（FBG）传感器的特点、基本原理以及一些常用的封装方法,并从封装结构、所选材料以及黏结剂三个不同的角度总结了最近几年来FBG传感器封装的进展情况,阐述了各种方法的机理、实验装置和研究结果,并进行了对比分析。     

基于左手介质的贴片天线技术研究

介绍和分析了左手介质的构造原理和方法,通过对加载左手介质材料的贴片天线的研究,来说明左手介质天线的一些优异特性。仿真和实测结果表明,通过加载左手介质材料,普通贴片天线会产生新的特性,如工作频率的降低、天线增益的提高、方向性的增强等。而且,天线的物理尺寸能得到很大的减小,这就为高增益、高带宽的小型化贴片天线设计提供了新的方法和思路。     

发光材料发展近况

本文简要回顾了近年来国内外在掺杂半导体纳米微晶、光致发光材料和阴极射线致发光材料的主要进展及其对器件的贡献，指出了它们在适应新光源、新显示器件等特殊要求中尚待解决的问题。