RTP改善超薄SiO2膜特性的研究

超薄ＳｉＯ２膜经快速热处理后，电特性得到了改善，本研究用超薄ＲＴＰＳｉＯ２膜制作ＭＯＳ电容，ｈ－ＮＭＯＳＦＥＴ中介栅介质层及ＦＬＯＴＯＸ－Ｅ＾２ＰＲＯＭ中作隧道氧化层，取得了一些实验结果，从结果中可以看出具有实有价值。     

关于NO氮化SiO2超薄栅介质膜的研究

研究了采用ＮＯ快速热氮ＳｉＯ２ 方法制备超薄栅介质并初步制备出约５ｎｍ超薄栅的ＭＯＳ电容和约６ｎｍ超薄 ＮＭＯＳＦＥＴ,ＮＯ氮化改善了超薄ＳｉＯ２膜的性能。     

一种适合于ASIC应用的新的工艺技术—CMOS逻辑VLSIE^2PROM的单片集成

我们开发了一种新的工艺技术，实现了在ＣＭＯＳ ＶＬＳＩ制造中嵌入Ｅ＾２ＰＲＯＭ的制造技术。在此新工艺中，制造的是单层多晶硅的Ｅ＾２ＰＲＯＭ。与传统的双层多晶硅Ｅ＾２ＰＲＯＭ的工艺相比，减少了２５％的工序。通过采用三种不同厚度的栅氧化层，可以缩小在ＣＭＯＳＶＬＳＩ中嵌入的Ｅ＾２ＰＲＯＭ的器件尺寸。器件工作电压范围宽为１．５－６Ｖ，静态电流低于１００ｎＡ。     

用于ULSI电路的超薄栅介质膜研究

制备出６～７ｎｍ超薄栅ＮＭＯＳＦＥＴ。通过对器件性能的研究发现，适当条件下Ｎ２Ｏ制备的超薄ＳｉＯｘＮｙ膜比ＳｉＯ２膜更适合ＵＬＳＩ的应用。     

自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术

ＣＯ／Ｔｉ／Ｓｉ或ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构通过多步退火技术在Ｓｉ单晶衬底上外延生长ＣｏＳｉ２薄膜，ＡＥＳ、ＲＢＳ测试显示ＣｏＳｉ２薄膜具有良好均匀性和单晶性．这种硅化物新技术已用于ＣＭＯＳ器件工艺．采用等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）技术淀积氮氧化硅薄膜，并用反应离子刻蚀（ＲＩＥ）技术形成多晶硅栅边墙．固相外延ＣｏＳｉ２薄膜技术和边墙工艺相结合，经过选择腐蚀，可以分别在源漏区和栅区形成单晶ＣｏＳｉ２和多晶ＣｏＳｉ２薄膜，构成新型自对准硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）器件结构．在Ｎ阱ＣＭＯＳ工艺     

分子束外延系统中生长Si/SiO_2超晶格及其发光

在硅分子束外延（ＭＢＥ）系统中，利用Ｓｉ和Ｏ２共淀积的方法生长出化学配比理想的ＳｉＯ２，在此基础上生长了Ｓｉ／ＳｉＯ２超晶格并观察到其光致发光（ＰＬ）谱     

在工艺实践中运用SUPREM工具

半导体集成电路工艺模拟软件ＳＵＰＲＥＭ是一个非常有用的ＣＡＤ工具。本论文主要讨论了如何正确、有效的运用这人上工具解决工艺问题。本文概括介绍了ＳＵＰＲＥＭ的能力，重点讨论了在工艺实践中如何处理工艺顺序与模拟顺序的差异，本文还介绍了工艺模拟中的一些技巧。     

应用于EEPROM的超薄SiO2 TDDB特性的研究

阐述了应用于ＥＥＰＲＯＭ中的超薄隧道氧化层随时间的击穿特性,比较和分析了不同的可靠性测试方法,并对超薄氧化层生长工艺的优化进行了探讨。     

CoSi_2超薄外延膜的生长研究

用质量分离的离子束外延（ＭＡＬＥ－ＩＢＥ或简作ＩＢＥ）法在ｎ－Ｓｉ（１１１）上生长了ＣｏＳｉ２超薄外延膜．厚度为１０～２０ｎｍ的ＣｏＳｉ２薄膜的结构特性已由ＡＥＳ、ＲＨＥＥＤ及ＲＢＳ作了研究．实验结果表明Ｃｏ的淀积率对ＣｏＳｉ２单晶生长来说是一个关键因素     

快速热处理技术在集成电路制造上的应用

主要介绍快速热处理技术，包括在高速双极ＩＣ的快速热退火，Ｔｉ金属与Ｓｉ形成低阻的ＴｉＳｉ２接触同时，其上表面形成防止Ａｌ往Ｓｉ中渗透的阻挡层ＴｉＮ的ＲＴＰ，及ＥＥＰＲＯＭ隧道薄栅的快速热氧化和用Ｎ２Ｏ加固薄栅用的快速热氮化等方面的应用。     

Si（Ge）MOSFET器件微结构的研究

采用横断面的透射电子显微术，扫描电子显微术和高分辨电子显微学方法，研究了ＧｅＳｉ沟道ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的微结构。观察表明，器件是由Ｓｉ基片／ＳｉＯ２非晶层／ＳＯＩＳｉ层／ＧｅＳｉ沟道层／超薄ＳｉＯ２非晶层／Ｓｉ细晶层／ＳｉＯ２非晶层／Ａｌ电极层等组成的；ＳＯＩＳｉ层工作区单晶性良好，很难找到缺陷，缺陷能效地被限制在工作两侧的缺陷聚集区；在ＳＯＳＳｉ层和ＧｅＳｉ沟道层之间存在着一些瓣状衬底，它可能是在     

一种全功能2kb E^2PROM的研制

论述了Ｅ＾２ＰＲＯＭ的设计技术，包括单元设计，升压电路设计，存储阵列设计等，然后扼要介绍了其工艺过程和关键工艺，最后给出了Ｅ＾２ＰＲＯＭ单元和电路的性能。     

超薄SOI MOSFET漏击穿机理的分析

超薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ漏击穿机理的分析＝Ａｎａｌｙｓｉｓｏｆｔｈｅｄｒａｉｎｂｒｅａｋｄｏｗｎｍｅｃｈａｎｉｓｍｉｎｕｌｔｒａ－ｔｈｉｎ－ｆｉｌｍＳＯＩＭＯＳＦＥＴ，ｓ［刊，英１］／Ｙｏｓｈｉｍｉ．Ｍａｋｏｔｏ∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤ...     

运用SUPREM计算MOS结构阈电压的收敛问题探索

半导体集成电路工艺模拟软件ＳＵＰＲＥＭ在计算机ＭＯＳ结构阈值电压时存在不收敛现象。本文分析了不收敛的现象，讨论了解决不收敛问题的途径，介绍了一种简单的方法。最后讨论了减小近似计算误差的方法。     

掺HCI栅氧化对MOS结构电特性的影响

研究了栅氧化时掺ＨＣｌ的硅栅ＭＯＳＦＥＴ的ＤＤＳ－ＶＧＳ特性，阈电压和界面态。结果发现，ＨＣｌ掺入栅介质，可使ＩＤＳ－ＶＧＳ曲线正向漂移，ＰＭＯＳＦＥＴ阈电压绝对值减小，ＮＭＯＳＦＥＴ阈电压增大，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度下降，采用氯的负电中心和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。     

EEPROM单元结构的变革及发展方向

扼要阐述了电可擦除可编程只读存储器（ＥＥＰＲＯＭ）发展史上的各种结构如ＦＡＭＯＳ、ＭＮＯＳ、ＳＩＭＯＳ、ＤＩＦＭＯＳ、ＦＥＴＭＯＳ（ＦＬＯＴＯＸ）等，比较了它们的优缺点，着重论述了ＥＥＰＲＯＭ结构今后的变革方向。     

退火气氛对SIMOX材料Si／SiO_2界面特性的影响

利用ＴＥＭ、ＡＥＳ、ＸＰＳ技术分析研究了不同退火气氛对ＳＩＭＯＸ材料的影响．结果表明，在注入能量和剂量以及退火温度和时间都相同的条件下，在Ａｒ＋０．５％Ｏ２中退火，可以获得光滑平整的Ｓｉ／ＳｉＯ２界面，而在纯Ｎ２气氛中退火，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面极不平整，且界面附近晶体质量较差．本文分析了造成这种结果的原因．     

集成运放纵向NPN－PC－SUPREM全参数模拟输入解析

尝试一种简要直观、图文并茂的文体方式向读者介绍ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ的输入卡撰写规则，为了全面反映ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ的模拟功能，选取了有代表性的集成运算放大器的平面工艺为模拟分析对象。模拟了ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ所能模拟的全部多数，进行双极型集成工艺全工序、全参数的模拟，该输入文本不仅充分地反映了工艺模拟输入卡的撰写方法与原则，且具有可操作性，读者完全可以据此举一反三，设计出不同的模拟方案。     

微电子工艺CAD系统SUPREM－Ⅱ所提供的信息量

结合作者在半导体工艺ＣＡＤ领域的部分工作，介绍了ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ工艺模拟系统在单管（场效应器件）和双极型电路（运算放大器）工艺模拟中能够提供给研究人员的数据信息量。从单项命题及全工艺模拟的视角加以阐述。     

MOSFET电离辐射感生跨导退化的简单模型

本文提出了一个能有效反映辐射感生氧化物电荷积累和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态密度增加分别对ＭＯＳＦＥＴ跨导退化影响的简单模型．通过模型与实验结果比较，讨论了不同沟道类型ＭＯＳＦＥＴ（ＮＭＯＳＦＥＴ和ＰＭＯＳＦＥＴ）跨导退化的机制．