铁电畴层波的电光效应

铁电１８０°畴结构在超声波作用下将被诱导出沿畴壁传播的铁电畴层波，其电场导致了构成铁电１８０°畴结构的晶体的电光效应，畴结构的光率体发生了改变，晶体的主折射率受到激发铁电畴层波的超声波的调节。这一效应在声光控制和超声检测方面有应用价值。     

铁电畴层波的伏特效应

铁电１８０°畴结构在超声波作用下将被诱导出铁电畴层波。在平行于畴壁的两个表面上，铁电畴层波电势数值不相等，在两表面之间有电势差，它提供了一个电动势。这个现象在超声控制和声电转换方面是有价值的     

光弹效应在光电子器件中的应用

在直流负偏压120V作用下利用射频溅射和光刻剥离技术在InGaAsP/InP双异质结结构外延片表面淀积110nm厚、宽为2μm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条. 实验测得W0.95Ni0.05金属薄膜应变条边缘单位长度产生9.7×105dyn/cm压应变力.在这样压应变力作用下,W0.95Ni0.05金属薄膜应变条下InGaAsP/InP 双异质结结构内0.2～2μm深度范围内形成的条形波导的导波强度为1.5×10-3至1.7 ×10-1.与由W和SiO2应变薄膜所形成的光弹波导及其光弹光电子器件相比较,由W 0.95Ni0.05金属薄膜应变条形成的光弹效应波导结构在平面型光电子器件中有着更重要的实际应用.     

光纤光册中光弹效应的研究

在使用相位掩模板技术写入光纤光栅（FBG）时，观察到，当夹固光纤的张力不一样时，光栅写入时所监视到的布喇格波长也不一样，利用这种现象，直接探测了FBG中的光弹效应，通过对实验数据的分析计算发现，光纤的有效应变光系数不是常数，而是随着光纤轴向应变的增大而略微增大，这和通常的说法不一样。     

光折变效应和两波混频

近10年来光折变光学取得了显著的进展,它已成为非线性光学领域的重要课题。本文首先扼要地介绍光折变效应及其产生的物理机制和几种基本的光折变现象,然后较详细地叙述两波混频过程。     

铁电多层畴结构中铁电畴层波振动模式的频谱分析

本文首次对多层畴结构中的振动模式进行了实验研究,观察到了一系列大小相当的中心峰,这对应于不同中心同步频率下激发的不同的振动模。通过频谱分析,获得了3,4,5层畴层结构的色散曲线。     

白光干涉技术测量晶体的弹光效应

介绍运用折射率椭球 ,分析晶体的弹光效应 ,对测量群折射率的迈克尔逊白光干涉技术进行了改进 ,采用光栅线位移传感器提高反射扫描镜的位移精度 ,测量了石英晶体在不同的外力下 ,折射率的变化情况 ,从而确定了晶体的弹光系数     

在180°畴超格子中的铁电畴层波对能带的影响

铁电180°畴超格子在超声波的作用下将被诱导出铁电畴层波,在这个波的作用下,存在许多新现象,其特征归纳为一个元激发“畴子”。本文研究了在180°畴超格子中导带和价带中的载流子与畴子的相互作用,这样一种相互作用将在导带和价带形成子能带,同时改变电子或空穴分布,从而影响铁电体的电导率。     

畴层结构对表面波传输的调制效应

在分析铁电畴层波色散特性、波场的位移特性的基础上，从信号传输的角度出发，分析了畴层波滤波器原理性器件的特性，得出畴层结构的影响，相当于对表面波信号进行了相位调制，理论分析与实验结果吻合     

小时带积反射栅脉压线

小时带积线性调频信号由于其频谱存在着严重的菲氏波动，从理论上限制了压缩脉冲的旁瓣抑制能力。而实际制作中由于受工艺和再生信号的影响，旁瓣抑制会更差些。文章报道利用声表面波反射技术，在锗酸铋压电材料上研制出时带积为３０、旁瓣电平抑制优于－３２ｄＢ的脉压线，同时给出器件的性能参数和波形     

Ferroelectric Domain Wall Memristor

A domain wall‐enabled memristor is created, in thin film lithium niobate capacitors, which shows up to twelve orders of magnitude variation in resistance. Such dramatic changes are caused by the injection of strongly inclined conducting ferroelectric domain walls, which provide conduits for current flow between electrodes. Varying the magnitude of the applied electric‐field pulse, used to induce switching, alters the extent to which polarization reversal occurs; this systematically changes the density of the injected conducting domain walls in the ferroelectric layer and hence the resistivity of the capacitor structure as a whole. Hundreds of distinct conductance states can be produced, with current maxima achieved around the coercive voltage, where domain wall density is greatest, and minima associated with the almost fully switched ferroelectric (few domain walls). Significantly, this “domain wall memristor” demonstrates a plasticity effect: when a succession of voltage pulses of constant magnitude is applied, the resistance changes. Resistance plasticity opens the way for the domain wall memristor to be considered for artificial synapse applications in neuromorphic circuits.     

Manipulation of Conductive Domain Walls in Confined Ferroelectric Nanoislands

Conductive ferroelectric domain walls—ultranarrow configurable conduction paths—have been considered as essential building blocks for future programmable domain wall electronics. For applications in high‐density devices, it is imperative to explore the conductive domain walls in small confined systems, while earlier investigations have hitherto focused on thin films or bulk single. Here, an observation and manipulation of conductive domain walls confined within small BiFeO₃ nanoislands aligned in high‐density arrays are demonstrated. Using conductive atomic force microscopy, various types of conductive domain walls, including the head‐to‐head charged domain walls (CDWs), zigzag domain walls, and typical 71° head‐to‐tail neutral domain walls (NDWs), are distinctly visualized. The CDWs exhibit remarkably enhanced metallic conductivity with current of ≈nA order in magnitude and 10⁴ times larger than that inside domains (0.01–0.1 pA), while the semiconducting NDWs allow much smaller current (≈10 pA) than the CDWs. The substantial difference in conductivity for dissimilar walls enables manipulations of various wall conduction states for individual addressable nanoislands via electrical tuning of domain structures. A controllable writing of four distinctive states in individual nanoislands can be achieved, showing application potentials for developing multilevel high‐density memories.     

铁电场效应晶体管

介绍了铁电场效应晶体管 (FFET)的基本结构、存储机制、制作方法 ,综述其结构设计的改进、铁电薄膜在 FFET中应用的进展情况 ,探讨围绕铁电薄膜材料、过渡层、结构设计、不同成膜方法及工艺对 FFET存储特性的影响 ,对 FFET的研究现状和存在的一些问题进行评述     

弛豫铁电陶瓷PST中反相畴结构的HREM研究

本工作用高分辨电子显微学方法研究了弛豫铁电陶瓷Ｐｂ（Ｓｃ０．５Ｔａ０．５）Ｏ３（ＰＳＴ）中的有序－无序结构，直接观察到有序－无序结构畴界及反相畴界（ＡＰＢｓ），对反相畴界的结构进行了分析，指出在ＰＳＴ中的反相畴往往是（１１１）面的层错，晶格位移在（１１１）方向上，位移量是１／２（１１１）。提出了在ＰＳＴ中ＡＰＢｓ形成的机制。