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运用回归数学分析并结合SEM观测结果,对影响ZnO-Al2O3系陶瓷电阻及阻-温特性的线性化机制进行了探讨。研究表明,Al2O3、MgO的掺杂及烧成工艺均对材料的电阻率和电阻温度系数有较为明显的影响,镁掺杂对材料的电子激活能有较大的影响,当材料的电子激活能值较低时,通过回归处理发现其阻-温特性具有较好的线性,符合麦克劳林公式。 相似文献
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文章介绍了以Fe2O3和Cu2O为主成分的陶瓷材料的负阻特性,分析论述了Co2O3、Bi2O3以及MnO2掺杂对Fe-Cu系陶瓷材料负阻性能的影响,实验制得负阻系数n>10,电压Vp>200的负阻性能良好的陶瓷材料。 相似文献
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ZnO导电陶瓷的制备及其性能表征 总被引:7,自引:0,他引:7
本文利用化学共沉淀法分别制得Zn5(CO3)2(OH)6掺杂Al(OH)3、Mg(OH)2以及Zn5(CO3)2(OH)6掺杂Sb(OH)3、Bi(OH)3、Sn(OH)4、Co(OH)3、MnO(OH)2两种复合粉体,利用高频等离子体焙解新工艺,制得了纳米ZnO及相应的添加剂陶瓷复合粉体.TEM分析结果表明:两种陶瓷复合粉体的粒径均小于100nm.利用前者,通过添加适当的Al2O3和MgO,制备出了电阻率约10~2000Ω·cm,V-I特性较好的ZnO线性陶瓷电阻.利用后者,通过适当的杂质配比,在100 相似文献
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TiO2掺杂对BZN系陶瓷相组成及温度系数影响 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了TiO2掺杂的Bi2O3-ZnO-Nb2O5(BZN)系复相区陶瓷的基本组成,即焦绿石立方a相与单斜β相的复相。讨论了不同晶型的TiO2对所得BZN系陶瓷的相组成、相形成及显微结构的影响。给出了不同晶型TiO2掺杂所得的BZN系陶瓷的零温度系数值。 相似文献
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研究了准分子激光辐照对ZnO陶瓷表面性能的影响,测量ZnO陶瓷在准分子激光作用前后的伏安特性变化,对准分子激光辐照前后ZnO陶瓷进行了XRD、XPS分析对比,分析了准分子激光对ZnO作用的机理。 相似文献
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SiO_2对ZnO压敏电阻器性能的影响 总被引:3,自引:1,他引:2
实验研究了SiO2对ZnO压敏电阻器性能的影响,在ZnO陶瓷中,添加适量的SiO2可以提高压敏电阻器的α值和电压梯度,降低漏泄电流,提高通流量,能够制造出性能优异的ZnO压敏电阻器。 相似文献
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Co3O4在压敏陶瓷中的作用和影响 总被引:12,自引:1,他引:12
研究了Co3O4在ZnO压敏陶瓷中的作用,以及它对电性能和微观结构的影响。X光衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和电子探针(EPMA)分析结果表明,在ZnO压敏陶瓷中Co离子以Co2+的形式存在,多数Co离子已溶入ZnO晶粒中,形成替位或填隙缺陷,但它基本上不影响ZnO晶粒的生长。电性能测试结果表明,适当的氧化钻含量能提高ZnO压敏陶瓷的非线性系数和通流能力,并能降低漏电流和限制电压,然而过多的氧化钻则会对回升区大电流特性带来损害.此论点至今在国内外尚未见到类似的报道。 相似文献
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Nb2O5掺杂对ZnO压敏电阻器电性能的影响 总被引:5,自引:1,他引:4
本文研究了Nb_2O_5掺杂以及Nb_2O_5与ZnO煅烧对ZnO压敏电阻器电性能的影响。实验表明,Nb_2O_5的掺入使压敏电场减少,当Nb_2O_5含量为0.1%mol时,其压敏电场最小.非线性系数最大。煅烧温度越高,压敏电场越高,非线性系数越大。 相似文献
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Li~+对ZnO压敏陶瓷电性能和能带结构的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
采用氧化物固相合成法,制备了掺Li2CO3的ZnO压敏陶瓷。研究了掺Li2CO3量对ZnO压敏陶瓷电性能和能带结构的影响。结果表明:当x(Li2CO3)从0增加到0.50%时,压敏电位梯度从529V/mm增大到2170V/mm。XRD测试发现,掺Li2CO3并未出现新相结构。晶界势垒高度揭示,ZnO晶粒尺寸的迅速减小是压敏电位梯度急剧增高的主要原因。Li+置换Zn2+,将会在禁带中价带的顶部形成附加的受主能级,使能带发生畸变。 相似文献
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F. Yakuphanoglu 《Microelectronics Reliability》2011,51(12):2195-2199
The heterojunction diodes based on cobalt doped zinc oxide (ZnO) were prepared by sol-gel deposition method. The compositional fraction of cobalt dopant was varied to control the electrical parameters of the diode. Atomic force microscopy was used to determine the structural properties of ZnO:Co films. The ZnO:Co films have a microfiber structure and the structure of microfibers was changed with the cobalt dopant. The ideality factor values of 5% and 15% Co doped ZnO:Co/p-Si diodes were determined to be 3.49 and 7.51, respectively. The barrier height of the ZnO:Co/p-Si diodes were found to vary from 0.75 eV to 0.78 eV.It is concluded that the electrical and interface state density properties of ZnO:Co/p-Si diodes can be controlled by compositional fraction of cobalt dopant. 相似文献
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采用溶胶-凝胶方法在载玻片衬底上制备了本征及不同Al3+掺杂浓度的ZnO:Al薄膜,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜,紫外-可见光吸收光谱及霍尔效应研究了Al3+掺杂浓度对ZnO:Al薄膜结构和光电性能的影响。结果显示,ZnO:Al薄膜为六角纤锌矿晶体结构,具有很高的沿c轴的(002)择优取向,Al3+掺杂并没有改变ZnO的晶体结构,只是Al取代了Zn;掺杂前后薄膜样品均在ZnO带边吸收的位置有较强的吸收而在可见光范围吸收较小;并且当Al3+掺杂浓度为1.5%(摩尔百分比)时所获得的ZnO:Al薄膜具有最小的电阻率,为26Ωcm。 相似文献
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B2O3掺杂对Ba0.6Sr0.4TiO3/MgO陶瓷介电性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
采用XRD和SEM对B2O3掺杂Ba0.6Sr0.4TiO3/MgO(简称为BSTM)陶瓷致密化行为和介电性能进行了研究。结果表明:掺杂适量B2O3可明显降低BSTM陶瓷的烧结温度,在1480℃时即可烧结致密化,比未掺杂的BSTM陶瓷烧结温度降低70℃;掺杂量不同,则B2O3在陶瓷体中的存在形式不同,引起其介电性能相应变化;1480℃下烧结,B2O3掺杂量为0.8%(质量分数)时,10kHz下测得试样的εr为138,tanδ为0.0034,εr可调率达12.6%(3MV/m),性能有所提高。 相似文献
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SrTiO_3系多功能陶瓷一次烧成中的掺杂行为 总被引:5,自引:0,他引:5
采用一次烧成法制备了SrTiO3系多功能陶瓷,测试了样品的介电性能和压敏性能,分析了施主杂质和受主杂质的掺杂行为。研究结果表明,受主杂质Ag+、Ni2+掺杂的样品均具有优良的介电性能和压敏性能,烧结气氛对施主杂质和受主杂质的掺杂行为产生重要影响 相似文献