安森美半导体推出新型高密度沟槽MOSFET

安森美半导体（ON Semieonductor,）推出24款新的30伏（V）、N沟道沟槽（Trench）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。这些MOS—FET采用DPAK、SO-8FL、？8FL及SOIC-8封装,为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供更高的开关性能。     

安森美半导体推出新的高密度沟槽MOSFET

安森美半导体（ON Semiconductor）推出24款新的30伏（V）、N沟道沟槽（Trench）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、8FL及SOIC-8封装．为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供更高的开关性能。     

安森美半导体推出能降低损耗的低压功率MOSFET新系列，以达到业界更高能效的需求

推动高能效创新的安森美半导体（ONSemiconductor）推出新系列的6款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）,它们经过设计及优化,提供领先业界能效,优于市场现有器件。     

安森美半导体推出SmartDiscrete功率MOSFET

安森美半导体推出的自护式SmartDiscrete器件,是低边、自钳位、46V、48-185毫欧MOSFET。该新品采用HDPlus芯片工艺制造,集成了电流限制保护、过热关断、过压保护以及静电放电(ESD)保护等多种功能,针对高功率、短路情况的应用,该新品结合了漏极电流感应与限制,在负载短路的情况下,电流限制电路保护可阻止电流尖峰,且温度电路监测接点温度将在到达某设定点时(典型值为175℃)关断器件。此外其内部温度限制电路设计,在接点温度降低约15℃时自动接通主MOSFET,从而使得器件不断进行热循环,直到短路情况被修正,为要求苛严的汽车和工业应用…     

安森美半导体推出便携式应用的μ Cool^TM功率MOSFET产品系列

安森美半导体为了满足业界对更小型、更轻薄、更快速、更散热及更可靠的便携式应用MOSFET器件的需求，推出便携式应用带来领先效能与设计灵活度的新功率MOSFET产品μ Cool^TM系列，新推出的首六款μ Cool^TM器件采用强化散热的超小型WDFN6封装。     

安森美半导体便携式应用功率MOSFET产品系列

安森美半导体（ON Semiconductor）推出便携式应用带来领先效能与设计灵活度的新功率MOSFET产品μCool系列，新推出的六款μCool^TM产品采用外露漏极DFN封装技术，可以在极小的4mm。面积上取得卓越的热阻（38℃／W）与额定功率（1．9W），额定持续功率比业界标准SD-88封装提高了高达190％，     

安森美半导体推出带集成肖特基二极管的30V N沟道功率MOSFET

安森美半导体扩充N沟道功率MOSFET器件阵容,新推出带集成肖特基二极管的30V产品。     

安森美推出创新架构的MOSFET驱动器

安森美半导体推出后稳压、双N沟道MOSFET驱动器NCP4330，能提高常用于ATX和高功率开关电源(SMPS)的正激转换器的效率。     

安森美发布新的650V碳化硅(SiC)MOSFET

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON),发布一系列新的碳化硅(SiC)MOSFET器件,适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术,将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、服务器电源(PSU)、电信和不间断电源(UPS)等应用中实现显著更好的性能。     

英飞凌推出兼具超结技术和传统高压器件优势的下一代CoolMOS MOSFET

英飞凌科技日前推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600VCool MOSC6系列。有了600VCool MOSC6系列器件．诸如PFC（功率因数校正）级或PWM（脉宽调制）级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻（例如采用T0-220封装，     

安森美半导体推出μ Cool功率MOSFET产品系列

安森美半导体（ON Semiconductor）为了满足业界对更小型、更轻薄、更快速、更散热及更可靠的便携式应用MOSFET器件的需求,近日推出便携式应用带来领先效能与设计灵活度的新功率MOSFET产品μCool系列,新推出六款μCool器件采用强化散热的超小型WDFN6封装。     

安森美半导体推出带开关控制器的电流镜及SENSEFET功率MOSFET

应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体（ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号：ONNN）推出带开关控制器的电流镜CAT2300,将这器件与安森美半导体的NTMFS4833NS或NTMFS4854NS SENSEFET功率MOSFET器件结合使用,     

安森美半导体推出带开关控制器的电流镜及SENSEFET功率MOSFET

安森美半导体推出带开关控制器的电流镜CAT2300,将这器件与安森美半导体的NTMFS4833NS或N T M F S4854N S SENSEFET功率MOSFET器件结合使用,能提供紧凑、高能效的电流监控方案。这些新器件的组合提供系统级电源管理,用于便携计算机及网络设备等应用。     

安森美半导体推出带开关控制器的电流镜及SENSEFET 功率MOSFET

安森美半导体日前宣布推出带开关控制器的电流镜CAT2300,将这器件与安森美半导体的NTMFS4833NS或NTMFS4854NSSENSEFET 功率MOSFET器件结合使用,能提供紧凑、高能效的电流监控方案。这些新器件的组合提供系统级电源管理,用于便携计算机及网络设备等应用。     

安森美半导体推出业界最小MOSFET

安森美半导体（ONSemiconductor）扩充公司宽广的接口及电源管理产品阵容,推出一对优化的超小超薄小信号MOSFET,用于空间受限的便携消费电子产品,如平板电脑、智能手机、GPS系统、数字媒体播放器及便携式游戏机。     

兼具超结技术和传统高压器件优势的下一代CoolMOS MOSFET

英飞凌推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600 V CoolMOS C6系列。有了600 V CoolMOS C6系列器件,诸如PFC（功率因数校正）级或PWM（脉宽调制）级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻（例如采用TO-220封装,电阻仅为99mΩ）在内的补偿器件的优势,同时具有更低的电容开关损耗、更简单的开关特性控制特性和更结实耐用的增强型体二极管。     

安森美半导体推出自保护低端MOSFET驱动IC

安森美半导体（ON Semiconductor）推出高度集成保护的NCV840x系列低端自保护MOSFET。这系列器件通过了AEC—Q101标准认证,非常适用于严格的汽车及工业工作环境中的开关应用。     

安森美推出全新6款N沟道MOSFET

正推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)推出新系列的6款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),它们经过设计及优化,提供领先业界能效,优于市场现有器件。NTMFS4Hxxx及NTTFS4Hxxx系列MOS-FET极适合用作服务器、网络设备及高功率密度DC-DC转换器等多种应用的开关器件,或者用于配合负载点(POL)模块中的同步整流。这些器件提供包含及不包含集成一个肖特基二极管的不同版本,能帮助工程师提供更高能效。