激光冲击成形对表面光洁度的影响

为了研究激光冲击成形对板料表面光洁度的影响,采用0.5mm厚铝板和304不锈钢板料作为试样,选择光斑直径8mm、波长1054nm、脉冲宽度23ns的激光脉冲进行冲击成形实验,铝板冲击成形的激光能量为15.4J,304不锈钢的激光能量为18.92J.冲击成形后对板料表面光洁度进行检测,结果表明,激光冲击成形可使板料表面光洁度提高接近两个精度等级.通过理论分析可知,板料背面光洁度的提高有两个方面的原因,一方面由于应力波在板料背面的微尖峰中传播时产生一系列的反射波,当反射波强度超过材料抗拉强度极限时将引起微尖峰的断裂;另一方面由于板料的高速运动在板料背面的空气中形成高压区,当作用在板料表面的空气压力大于动态屈服强度时微尖峰发生塑性变形,因微尖峰断裂和塑性变形使板料背面光洁度提高.     

半导体材料的表面和薄膜分析

在半导体材料鉴定的领域里,近年来,人们的注意力己由整体问题转移到表面和薄膜问题上,并从平均的成分分析转到三维浓度分布图方面来。本文评述了当今在表面和薄膜组成的测定方面所采用的九种主要方法,并且着重地论述了基本原理和现代的新式仪器。一个方法的选择主要考虑确定包括下列几个方面:测定样品的面积和深度,灵敏度,分辨力和重现性,被检测元素的数目,以及设备的价格。为了说明这些方法的效能和限度,文中列举了一些实用例子。最后,用一些最重要的实用参数对这九种方法作了比较。     

强激光对光电器件及半导体材料的破坏研究

高能激光是对抗光电成像系统的有效手段。随着互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS)图像传感器性能和制作工艺的快速发展,其市场占有率已逐步赶超电荷耦合器件 （Charge Coupled Device, CCD）,成为当前主流的图像传感器。CMOS图像传感器的激光干扰和损伤也随之成为国内外相关领域的研究热点。文中首先根据CMOS图像传感器的发展历程,对其结构和工作原理进行了介绍,并在此基础上简要分析了CMOS图像传感器在激光辐照过程中的薄弱环节,之后综述了CMOS在激光辐照下受到干扰及损伤现象的研究进展,并对干扰的评价方法和损伤阈值的主要测量方法进行了总结归纳,最后探讨了利用复合激光系统提升损伤CMOS图像传感器能力的发展现状和前景。     

半导体单晶材料的表面光伏效应

本文报导了测量半导体单晶材料(Si、GaAs、GaP、InP)的表面光伏谱和少子扩散长度,以及用微型计算机进行曲线拟合计算出材料的掺杂浓度、载流子迁移率、表面势垒宽度和表面势垒边界的界面复合速度等参数;得到的掺杂浓度与霍尔方法的测量值做了对比;本文还讨论了曲线拟合计算结果的可靠性和准确性.     

强激光对光电器件及半导体材料的破坏研究

本文综述了强激光对光电器件，半导体材料的破坏研究的进展，研究现状和尚未解决的问题。     

半导体封装工艺对光耦元器件影响研究

光电耦合器封装工艺是利用发光二极管与光敏半导体的复合封装及光电效应,从而实现电气绝缘光电信息传输.常见的内部结构为垂直对照式、斜对照式、水平反光式等.本文以常规对照式封装工艺设计进行研究,分析发光二极管、光敏半导体管、封装结构设计、封装点胶工艺、塑封白胶等材料与封装工艺对与光耦晶体管特性CTR的影响.     

精确确定半导体材料临界点的能量值

分析表明波长调制反射谱的实质,是介电函数对能量的一级微商。导出了弱电场调制反射谱与介电函数对能量的三级微商成正比,将ＭＯＣＶＤ方法生长的ＧａＩｎＰ以及掺Ｓｉ和掺Ｚｎ三个样品,用椭偏光谱法测量得到可见光区的介电函数谱,并求其一级和三级微商谱。将用于分析电反射谱的三点法推广用于分析介电函数的一级和三级微商谱,得到波长调制和弱电场调制反射谱的实验结果,并与介电函数谱的结果加以比较,使灵敏度和分辨率有很大提高     

非线性吸收染料对光的鉴别吸收特性

本文对非线性吸收染料对光强的鉴别吸收特性作了分析研究,并将其与染料的脉宽压缩特性作了具体比较。     

MOCVD生长薄膜材料制作半导体可饱和吸收镜

介绍了当前国际上流行的用半导体可饱和吸收镜来对固体激光器、光纤激光器和半导体激光器进行被动锁模的方法,阐述了半导体可饱和吸收镜用来作为被动锁模吸收体的原理,并介绍了如何利用金属有机气相淀积(MOCVD)技术生长各种波长激光器所需要的半导体可饱和吸收镜.     

MOCVD生长薄膜材料制作半导体可饱和吸收镜

介绍了当前国际上流行的用半导体可饱和吸收镜来对固体激光器、光纤激光器和半导体激光器进行被动锁模的方法，阐述了半导体可饱和吸收镜用来作为被动锁模吸收体的原理，并介绍了如何利用金属有机气相淀积(MOCVD)技术生长各种波长激光器所需要的半导体可饱和吸收镜。     

不同衬底材料对光刻胶剖面的影响

文章研究了在127mm硅片上分别生长金属铝和二氧化硅氮化硅叠两种IC常用材料作为衬底对光刻胶形貌的影响,其造成光刻胶形貌差的原因是金属底部反射率高导致光刻胶侧面曝光和入射光通过二氧化硅氮化硅叠层厚度的光程差正好为光源波长的整数倍,从而导致光刻胶底部干涉光同相位。通过增加底部抗反射层和调整最佳膜层厚度解决了在这两种衬底材料下光刻胶形貌差的问题。     

半导体光放大器中SPM效应对光脉冲传输性能的影响

为了研究半导体光放大器（SOA）中自相位调制（SPM）效应对光信号传输性能的影响,从SOA中光脉冲的传输方程出发,采用数学推导的方法,分析了SPM 效应的产生机理,得到了光脉冲经SOA 放大后的时域和频域变化特性,并针对无啁啾和带啁啾光脉冲两种情况进行了仿真研究。结果表明：SPM 导致了光脉冲时域波形的倾斜和频谱的红移,并且随增益的变大倾斜和红移的程度增强;啁啾系数的符号决定了频谱是红移还是蓝移。     

一种仪器仪表表面光洁度检测固定装置的设计

文章介绍了一种仪器仪表表面光洁度检测装置的自动检测机构,该机构主要用于将精密性的小型仪器在检测过程中固定在固定台,采用软性接触的方式降低固定过程中对仪器的损伤,并且结构简单,便于使用,避免了通过刚性接触固定的方式对仪器的表面造成损伤,也解决了因部分仪器仪表外观不规整而导致常规固定机构无法达到较好固定目的的问题.     

血液成分对光吸收规律的实验研究

本实验研究不同血液成分对２４０～８００ｎｍ波长光的吸收规律，结果表明：１）Ａ，Ｂ，ＡＢ和Ｏ型血对光的吸收、透射规律相似；２）全血、红细胞、血浆和血清在６００～８００ｎｍ时吸收率小于５％，而透射率达９５％以上；３）全血、红细胞、淋巴细胞在４１６．５７±１．９０，５４２．７１±１．８０，５７８．５７±１．８１ｎｍ出现了典型吸收峰，血浆、血清仅在４１６．５７±１．９０ｎｍ处出现明显吸收峰。     

红外吸收微区测量技术在半导体材料中的应用

本文采用微孔遮挡近红外吸收法，对厚度为０．５ｍｍ左右薄片半绝缘（ＳＩ）－ＧａＡｓ中深施主ＥＬ＿２进行了直接测量，使用微机控制自动测量系统对ＳＩ－ＧａＡｓ晶片中的ＥＬ＿２浓度进行了微区分布测量，利用显微傅里叶变换红外光谱测量技术对硅外延层厚度，硅中间隙氧、替位砍含量，硼、磷、硅玻璃中的硼磷含量及薄片ＳＩ－ＧａＡＳ中替位碳含量进行了ＦＴ－ＩＲ显微测量。实验结果为研究半导体材料的微区特性和均匀性提供了可靠的依据。     

Ce:YIG薄膜中氧空位对光吸收性能的影响

讨论了Ce替代石榴石薄膜制备条件对其光吸收性能的影响.通过引入氧空位概念,提出了溅射气氛中的氧含量对薄膜中Ce元素价态影响的理论模型.基于该模型,讨论了Ce：YIG晶体中氧空位的产生机理.研究表明,当晶格中存在过量氧空位时,会导致部分Fe^3＋被还原成Fe^2＋,使得薄膜的光吸收显著增大.实验结果证实,在Ce：YIG薄膜的晶化过程中,采用富氧气氛可以使得薄膜中Ce元素的价态以Ce^3＋离子为主而Ce^4＋离子含量较少,从而有效降低薄膜的光吸收.溅射气氛中的氧含量及后续热处理过程中氧含量的大小均会直接影响Ce：YIG薄膜的光吸收特性.     

半导体材料中的多光子吸收效应研究进展北大核心CSCD

一般情况下半导体材料可以吸收一个能量大于带隙的光子,使价带中的一个电子跃迁到导带。但是,在某些特殊的情况下,半导体材料也能吸收多个能量小于带隙的光子,使价带中的一个电子跃迁到导带,这就是多光子吸收效应。多光子吸收效应是一种非线性光学效应。该综述首先介绍了多光子吸收效应的理论基础和测试方法,然后回顾了多光子吸收效应的研究成果,最后展望了半导体低维结构中的多光子吸收效应研究,以及潜在的应用前景。