300mm晶圆芯片制造技术的发展趋势

采取300mm晶圆是半导体生产发展的必然规律.300mm晶圆与90nm工艺是互动的.90nm新工艺主要包括193nm光刻技术、铜互连、低k绝缘层、CMP、高k绝缘层、应变硅和SOI等.本文着重讨论300mm晶圆芯片制造技术的发展趋势.     

赛灵思推出全球第一款90nm可编程芯片PARTAN-3以优越性价比进入大批量应用市场

赛灵思公司日前宣布提供全球第一款90纳米(nm)可编程芯片SPARTAN-3。利用最先进的基于铜互连的90nm半导体制造技术,Spartan-3系列器件的片芯尺寸比130nm技术减小多达805％。这意味着成本可比竞争解决方案节约高达80％。Spartan-3系列中100万门的FPGA器件价格低于20美元,而400万门的FPGA器件则不到100美元。赛灵思公司所采取的同时与IBM和UMC合作的两家制造合作伙伴战略也使赛灵思公司在半导体行业奔向90nm和300mm晶圆制造技术的竞赛中处于前沿。     

PLD巨头对于采用300mm晶圆和新工艺制造FPGA器件存在分歧

作为第一家采用300mm晶圆和90nm工艺技术制造FPGA产品的供应商．赛灵思公司(Xilinx)的FPGA产品Spartan-ⅡE．Virtex—E、Virtex-Ⅱ和Virtex—ⅡPro器件已经开始采用UMC(台联电)公司的300mm晶圆制造，据称已经累计销售出200多万片。同时，赛灵思公司正在积极推出其利用90nm和300mm制造技术的下一代FPGA产品。     

英特尔首推世界最先进的90纳米芯片制造工艺

英特尔公司公布了多项突破性技术。这些技术已被集成到业界最先进的半导体制造工艺——90纳米（nm）工艺中。英特尔已经采用该工艺来制造突破记录的芯片结构和内存芯片,并将于明年用于批量制造300mm晶圆。     

Intel成功制作45nm芯片

Intel采用45nm工艺技术制作了该行业第一块全功能SRAM芯片,目标是于2007年采用该技术在300mm晶圆上开始制造芯片。目前Intel在Arizona和Oregon有两个制造厂制造65nm芯片,今年在Ireland和Oregon将有两个以上新厂投入生产。     

Spansion扩展与台积电合作

闪存解决方案供应商Spansion公司日前宣布扩充与代工厂台积电签署的代工，增加采用φ300mm晶圆的90nm MirrorBit技术。两家公司同意，在现有服务协议基础上，即为Spansion的110nm技术提供代工生产，增加了90nm的生产能力。台积电从2006年第二季度开始生产采用110nm技术的闪存晶圆。90nm技术的目标量产时间为2007年下半年。     

PLD巨头对于采用 300mm晶圆和新工艺制造FPGA 器件存在分歧

作为第一家采用300mm晶圆和90nm工艺技术制造FPGA产品的供应商,赛灵思公司(Xi1inx)的FPGA产品Spartan-ⅡE、Virtex-E、Virtex-Ⅱ和Virtex-Ⅱ Pro器件已经开始采用UMC(台联电)公司的300mm晶圆制造,据称已经累计销售出200多万片.     

赛灵思300mm晶圆工艺FPGA销售突破200万片

赛灵思公司日前宣布,xilinx FPGA~HSpartamlIE、\,irtex:E~Virtex4i和Virtex—II Pro器件已经在制造中采用UMe公司的300mm晶圆,并且已经累计销售出200多万片。同时,赛灵思公司正在积极推出其利用90nm和300mm制追~上-乙14-.的下一代FPGA产品。赛灵思公司是目前唯一一家采用÷:300ram晶圆和90nm~l造工艺制造FPGA产品的供应商,今年年初它宣布推出低成本的90nm可编程FPGA系列器件_Spartam3~列。圃圈http:/1www。xilinx.com赛灵思300mm晶圆工艺FPGA销售突破200万片…     

对于SoC，尺寸决定一切

采用90nm和65nm工艺的决定因素是什么？ 伴随90nm和65nm工艺成为市场的主流,每个晶圆上芯片数量的增加所获得的容量和成本优势成为采用这些工艺的主要推动力.该趋势已日渐明显.事实上,来自Synopsys客户调查结果、行业分析数据和技术媒体报道显示:向90nm和65nm工艺的转移已经进入高潮阶段.     

关于450mm晶圆生产线的争论

要不要建450mm晶圆生产线? 不断缩小芯片的特征尺寸和不断扩大晶圆的直径是推动半导体产业前进的两大轮子.当今,第一个轮子正处于45nm芯片量产的位置,并正在向32nm芯片前进;第二个轮子正处于300mm晶圆量产的阶段,并正在向450mm进军.     

海力士-意法半导体无锡存储器制造厂正式落成

由海力士和意法半导体公司于2005年4月在无锡合资建设的存储器芯片前端制造厂于近期正式落成。该工厂主要生产8英寸和12英寸的NAND闪存和DRAM芯片。目前,DRAM芯片采用80nm、90nm和110nm制造工艺,90nm和110nm晶圆在8英寸生产线上生产,80nm晶圆在12英寸生产线上生产。2007年中,除     

用于3D集成中的晶圆和芯片键合技术(英文)

3D集成技术包括晶圆级、芯片与晶圆、芯片与芯片工艺流程,通过器件的垂直堆叠得到其性能的提升,并不依赖于基板的尺寸和技术。所有的报道均是传输速度提高,功耗降低,性能更好及更小的外形因素等优势使得这种技术的名气大振。选择晶圆或芯片级集成的决定应基于几个关键因素的考虑。对于不同种类CMOS、非CMOS器件间的集成,芯片尺寸不匹配引发了衬底的变化(如300mm对150mm).芯片与晶圆或芯片与芯片的堆叠也许是唯一的选择。另外,当芯片的成品率明显地不同于晶圆与晶圆键合方法时,在堆叠的晶圆中难以使确认好芯片的量达到最大。在这种情况下,应将一枚或两枚晶圆划切成小芯片并仅将合格的芯片垂直地集成。只要适当地采用晶圆与晶圆键合工艺便可实现高成品率器件同类集成。晶圆间键合具有最高的生产效率,工艺流程简便及最小的成本。满足选择晶圆级或芯片级工艺总的工艺解决方案应结合对准和键合细节来考虑决定最终的设备选择和工艺特性。所有这些工艺的论证证实对于多数产品的制造3D集成是可行的,而且有些也已成为生产的主流。     

Spansion与中芯国际签署晶圆代工协议

2007年10月24日，Spansion公司宣布，为加强对中国市场的关注力度，Spansion已与晶圆代工领域的领先企业中芯国际集成电路制造有限公司展开合作，将向中芯国际转让65nm的MirrorBit技术，用于其在中国的300mm晶圆代工服务。中芯国际与Spansion还签署了一项初步谅解备忘录，将授权中芯国际为中国的与内容发布相关的产品应用市场制造和销售90nm、65nm以及将来的Spansion Mirror Bit Quad产品，从而使中芯国际进入特定的闪存细分市场。[第一段]     

谁为研发450 mm晶圆的IC设备买单?

笔者多次陈述这么一个观点:有两大轮子同步推动着IC产业链不断地向前发展[1].一个轮子是不断地缩小芯片的特征尺寸,2004年已实现90 nm IC量产;2007年实现65 nm;2010年实现45 nm;2013年实现32 nm;2016年实现22 nm.这是2003年底公布的半导体工业技术发展蓝图(ITRS 2003)的要求[2].另一轮子是不断地扩大晶圆尺寸,2004年已实现300mm晶圆量产,目前正在向450 mm晶圆过渡.     

Spansion与SMIC达成新代工模式

如何提高产能、并且降低制造成本一直是存储行业厂商的竞争力所在.Spansion 继宣布量产300mm65nm工艺MirrorBit闪存的消息之后再度发出消息,宣布与SMIC(中芯国际)签署晶圆代工协议,使得Spansion 300mm晶圆厂增加到3家,并且spansion在会上也宣布了此次合作将与以往的代工合作有所不同.     

英飞凌300 mm薄晶圆产出首款功率半导体晶片

英飞凌科技(Infineon Technologies)宣布已于奥地利菲拉赫(Villach)生产出首款300 mm薄晶圆功率半导体芯片(first silicon),成为全球首家进一步成功采用此技术的公司。采用300 mm薄晶圆生产芯片的功能特性,与以200 mm晶     

晶圆级Micro-LED芯片检测技术研究进展

随着微型氮化镓（GaN）发光二极管（LED）制造工艺的不断进步，Micro-LED显示有望成为新一代显示技术并在近眼显示、大尺寸高清显示器件、柔性屏幕等领域大放异彩。在Micro-LED显示众多技术环节中，晶圆级Micro-LED芯片的检测是实现坏点拦截，提升显示屏良品率、降低整机制造成本的关键环节。针对大数量（百万数量级）、小尺寸（<50μm）的晶圆级Micro-LED芯片阵列，现有的电学检测手段存在检测效率低、成本高等缺点。因此，提高检测效率、提升检测准确度、降低检测成本是晶圆级Micro-LED检测技术的发展趋势。本文首先介绍了晶圆级Micro-LED芯片检测时所需要检测的几个指标，其次详细介绍并分析了现有的或已经提出的检测手段，最后对晶圆级Micro-LED芯片检测技术进行总结并展望了未来技术发展方向。     

AMD64进入90nm工艺明年将“绑定”特许完全转向65nm

AMD日前披露，新加坡晶圆代工厂商特许半导体（Chartered）已开始利用90nm工艺为AMD生产AMD64微处理器，生产在特许半导体的Ф300mm工厂中进行。双方表示，计划在2007年年中的时候开始利用65nm制造工艺进行生产。     

Spansion与中芯国际签署晶圆代工协议，生产300mm、65nm MirrorBit产品

纯闪存解决方案供应商Spansion Inc．宣布，为加强对中国市场的关注力度，Spansion已与晶圆代工领域的领先企业中芯国际集成电路制造有限公司展开合作。Spansion将向中芯国际转让65nm MirrorBit技术，用于其在中国的300mm晶圆代工服务。[第一段]     

国际要闻

三星成立子公司跨入芯片代工行业韩国三星电子公司资深官员日前表示,公司计划今年年底它的代工芯片子公司的产能将增加1倍,将成为一个打入代工芯片业务参与有效竞争的新对手。三星电子公司的子公司三星半导体公司的目标是:将采用客户需要的最先进的制造方法——通过和IBM公司、特许半导体公司的半自动技术联盟,获得最先进的45nm制造工艺。三星电子公司美国子公司新的技术副总裁AnaHunter说:“我们将专注于90nm和90nm以下的制造工艺,其中包括65nm制造工艺。目前我们采用130nm和130nm以下的制造工艺生产产品。”在纽约Fishkill的IBM公司的…