二氧化锡膜气敏传感器最新研究成果

在论述二氧化锡气敏机理的基础上，介绍了通过掺杂金属、金属离子、金属氧化物等方法制备二氧化锡膜气敏传感器的研究成果以及二氧化锡传感器阵列电鼻子的研究现状，并对其发展趋势进行了展望。     

溶胶—凝胶法制备SnO2薄膜气敏特性的实验研究

本文介绍了，以ＳｎＣｌ．２Ｈ２Ｏ为原材料，用ｓｏｌ－ｇｅｌ技术制备Ｌａ２Ｏ３掺杂的ＳｎＯ２薄膜气敏材料。研究掺杂量、工艺条件、衬底材料对气特性的影响。     

ITO薄膜的气敏特性􀀁

本文研究了胶体法制备的ＩＴＯ薄膜的气敏特性;并同时研究了各种掺杂杂质对ＩＴＯ薄膜的气敏特性的影响。通过实验发现ＩＴＯ薄膜对乙醇气体具有最高的灵敏度,对二氧化氮等也有较好的敏感特性。一般催化剂型掺杂物如贵金属等掺杂杂对提高ＩＴＯ薄膜的灵敏度没有多大帮助。ＩＴＯ薄膜与ＳｎＯ２薄膜相比具有更高的稳定性。ＩＴＯ薄膜的气敏特性既具有表面控制型的特征,又权有体效应气敏材料的敏感特性。     

掺Pt的SnO2薄膜气敏特性研究

用直流磁控溅射法分别在si（111）基片及陶瓷基片上制备掺有Pt的Sn02薄膜,并进行500℃～700℃退火处理,对掺杂前后的薄膜进行XRD分析,测试各掺杂样品气敏特性。500℃退火后,掺杂样品对各种有机气体有较高的灵敏度,随着溅射时间的延长,气敏特性提高。700℃退火后,45min溅射的样品对氨气有很高的灵敏度和很好的选择性,最佳工作温度为220℃左右。随着掺杂时间延长,气敏特性降低。     

稀土掺杂薄膜型气敏元件

介绍稀土掺杂薄膜型气敏元件的制作工艺和敏感性能，测试结果表明，掺Ｅｕ２Ｏ３的元件对丙酮敏感性高，而掺Ｎｄ２Ｏ３的元件对乙炔气敏感性高，文中对这类元件的气敏机理作了简单的讨论。     

溶胶一凝胶法制备SnO2薄膜 气敏特性的实验研究

本文介绍了, 以!? ?( ) · ? + 刀为原材料, 用,% ? 一罗. 技术制备(灸% 掺杂的!? / 。薄膜气 敏材料0 研究掺杂量、工艺条件、衬底材料对气敏特性的影响0 实验表明(, 1 % ) 掺杂的!? 几 薄膜气敏材料对以飞有很好的响应特性, 即有高的灵敏度和快的响应时间0 随翎含量的增加 〔# 一?% & 2 34 均, 灵敏度增加, 工作温度向低温方向移动 0 在低氧分压下热处理, 能形成精细 的晶粒与孔洞, 灵敏度大幅度增加 0     

掺杂和热处理对纳米ZnO薄膜气敏特性影响

用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片上制备纯Zn和掺杂Zn薄膜，然后在高于450℃条件下进行氧化、热处理（玻璃衬底）获得良好的纳米ZnO薄膜和掺杂ZnO薄膜。对单晶硅衬底上制备的纯Zn薄膜在高于800℃温度条件下进行液态源掺杂，获得掺B和P纳米ZnO薄膜。实验表明，掺杂和热处理使纳米ZnO薄膜的结构、导电性能得到改善，有效地降低了纳米ZnO薄膜的电阻，同时薄膜的气敏特性也得到较大的改善。     

SnO2超微粒子薄膜的气敏特性研究

作者用自行设计的直流气体放电活化反应蒸发装置制备出平均粒径约为40nm的SnO_2超微粒子薄膜.研究了不同氧分压下所得SnO_2超微粒膜的形貌、结构和组成等特性,以及不同样品对各种易燃气体的气敏特性,得出了灵敏度随氧分压及灵敏度随工作温度的变化曲线.     

稀土Nd掺杂纳米ZnO薄膜气敏特性

研究了用真空气相沉积法在玻璃衬底上制备掺稀土Nd的ZnO薄膜的气敏特性,实验给出,经温度为500℃,时间为45min的氧化、热处理的掺Nd的ZnO薄膜的晶粒尺寸、结构特性均发生变化。随掺Nd质量分数的增大,薄膜的晶粒尺寸从53nm减小至20nm。经掺Nd(质量分数为4.96×10-2)后纳米ZnO薄膜对乙醇气体的选择性和灵敏性均得到明显的改善。在1.5×10-3体积分数的乙醇气体中最高灵敏度为34,相应的薄膜工作温度为200℃。     

CeO2掺杂对ZnO薄膜气敏特性的影响

ZnO薄膜进行CeO2掺杂,研究掺杂含量和热氧化对薄膜结构、表面、晶粒尺寸及气敏特性的影响.结果显示,用热蒸发制备的高纯Zn膜经500℃热氧化,获得c轴取向ZnO多晶薄膜.掺CeO2可抑制晶粒生长使颗粒细化平均粒径减小,同时改善了ZnO薄膜的体相化学计量比,Zn与O的比例从未掺杂时1∶1.28降到1∶1.191.XPS...     

浸渍涂布法制备ITO气敏薄膜

利用含In,Sn成分的水溶液,经浸渍涂布工艺在不同衬底上制备了ITO薄膜(掺Sn的In_2O_3薄膜)。采用XRD、XPS、SEM分析了薄膜的结构,成分和表面形貌;测试薄膜的气敏特性,发现其对NO_2有良好的选择性和灵敏度,而且薄膜显示出长时间良好的工作稳定性,可望制成实用的NO_2敏感元件。     

氧化钽感湿薄膜的研究

在Ar-O_2混合气氛中采用直流磁控反应溅射沉积制得了氧化钽薄膜.文章介绍了沉积薄膜的实验装置与工艺,叙述了反应溅射的过程与机理.用AES、XPS和X射线衍射研究了薄膜的成分与结晶结构,用Ta_2O_5薄膜研制成Si-MOS薄膜湿敏器件.测试结果表明:这种新的湿敏器件具有高的灵敏度和非常快的响应速度.     

多弧离子淀积TiO_2气敏薄膜材料

介绍了采用多弧离子镀设备．在玻璃基片上沉积ＴｉＯ２薄膜材料的制备技术。掺杂方法简单实用．采用ＳＥＭ、ＸＲＤ等对薄膜的结构和成分进行了观察和分析，用方形四点探针法测量了薄膜的电导率并对薄膜的气敏性能进行了初步研究。结果表明，ＴｉＯ２膜的组织致密，主要为金红石相结构．ＴｉＯ２薄膜在３００℃下对Ｏ２有较好的选择性．     

高稳定Ni-Cr薄膜电阻的研究

本文主要介绍采用磁控溅射制备 Ni-Cr薄膜的方法,并通过光刻、腐蚀,找到最佳的腐蚀条件,得到符合要求的Ni-Cr薄膜,并把它应用到具体电路中,取得满意的效果.     

气体传感器中的厚薄膜技术

厚薄膜技术已广泛用于制作气体传感器,在气敏技术中起重要作用。综述了在气体传感器制造中使用的厚薄膜技术,包括厚膜、薄膜、超微粒子薄膜和LB膜技术。     

酞菁铜薄膜传感器的气敏特性

利用酞菁铜有机半导体作为敏感材料制备成NO_2气体传感器,研究了其气敏特性,如器件的一致性、重复性、线性等,结果表明传感器具有实用价值。     

二氧化锡纳米粉料的制备及其气敏性能

采用低温等离子体法以无水四氯化锡为源物质制备了二氧化锡超微粉料,TEM照片显示粉料粒度均匀,粒径为10nm量级,并且阴极高压越高,粒径越小。用该粉料制备的气敏元件,测定了气体灵敏度与温度及浓度的关系,显示了比一般无渗杂氧化锡元件灵敏度高的特点,可望开发成为广普型气敏传感器。还讨论了元件的灵敏度和电导温度特性随不同热处理温度的变化。大的比表面积在这种类型传感器运行机制中起着重要作用.     

镉、锡复合氧化物及掺银薄膜的气敏光透射特性

ＣｄＯ－ＳｎＯ２复合氧化物是对乙醇气体选择性较好的敏感材料［１］，但灵敏度比纯ＳｎＯ２低。对镉、锡复合氧化物掺微量银后，灵敏度明显提高。掺银薄膜的气敏光透射特性好，可检测乙醇饱和气体的浓度高且重复性好。     

镉、锡复合氧化物薄膜的气敏性能

以不同锡、镉比的CdO、SnO_2混合粉料作靶,采用直流溅射方法制得镉、锡复合氧化物薄膜。由XPS及SEM分别对薄膜的组成与形貌进行分析,并探讨了掺钯前后,Sn/Cd比、工作温度及气体浓度等对CdO—SnO_2混合溅射膜性能的影响。     

掺杂对CdSnO_3气敏性能的影响

研究了贵金属及金属氧化物对CdSnO_3气敏性能的影响.发现不同的Fe_2O_3、La_2O_3的掺入量对材料的气敏性能有不同的影响,贵金属Pt、Pd、Ag及某些金属氧化物对CdSnO_3的灵敏度和选择性也有影响.掺入La_2O_3及MgO的CdSnO_3可作酒敏材料,掺Pd的CdSnO_3可作乙炔敏材料.