厚膜型气敏器件膜厚影响气体检测灵敏度的研究

利用化学深沉法制备ＳｎＯ２纳米材料，再利用平面丝网印刷技术制备不同膜厚的ＳｎＯ２厚膜型气敏器件试样，测量不同厚膜气敏器件试样对甲烷气体检测灵敏度和阻温曲线，并进行复阻抗分析。实验表明试样膜厚对检测灵敏度的影响是明显的，试样膜厚在５３μｍ左右对甲烷气体有最大灵敏度。     

厚膜α—Fe2O3气敏材料的研制

α－Ｆｅ２Ｏ３厚膜的成型与玻璃实的选取及玻璃料含量有很大关系，α－Ｆｅ２Ｏ３厚膜的敏感特性与Ｓｎ＾４＋的掺入量以及烧成温度有很大关系，找到了最佳的配方及烧成温度。     

厚膜力敏传感器及其应用

本文概述厚膜力敏传感器的原理和技术特点以及国内外１０多年来研究、开发的概况。重点介绍了目前国内厚膜力敏传感器的性能及应用。探讨了加快我国厚膜力敏传感器技术创新和产业化的若干问题及建议。     

低成本银基厚膜多层基板的研制

介绍低成本银基厚膜多层基板的材料系统，工艺流程，工艺特性以及基板的性能。     

厚膜压力传感器温度补偿用厚膜热敏电阻的研制

对过渡金属氧化物CoO、MnO、NiO厚膜热敏电阻进行了掺杂改进和重复性烧结试验,可较好地实现厚膜热敏电阻与厚膜力敏电阻一体化的温度补偿。     

SnO_2半导体陶瓷酒敏器件的金属与半导体欧姆接触

本文着重讨论了SnO_2半导体陶瓷酒敏器件的金属与半导体(简称金-半)欧姆接触问题。参照元素半导体器件中电极与半导体之间实现欧姆接触的惯用做法,采用金-n~+-n结构来实现金属电极和SnO_2半导体陶瓷之间的欧姆接触。实验结果表明:采用这种结构,可以有效地抑制由于器件的金属电极与半导体接触而引起的不良影响,能更好地体现SnO_2敏感材料自身的特性,对于提高器件的一致性和产品的成品率都有重要的作用。     

钢基板厚膜环形电位器的研制

传统的陶瓷基板厚膜环形电位器不能承受高过载。选用不锈钢板作为基板材料,被覆绝缘介质,在其上印制厚膜电路,然后烧结,制作了钢基板厚膜环型电位器。该电位器经过温度循环、抗过载、机械强度和动态射击试验,结果表明:被覆绝缘介质不锈钢基板厚膜环型电位器具有过载值高(18000~20000g)、动态电阻装定精度高(误差小于1%)等优点,满足高过载使用要求。     

厚膜元件与厚膜电路的红外烧结

用红外炉烧结厚膜元件和厚膜电路,可以缩短烧结周期、提高生产效率,节省能源和降低成本。利用红外炉,不仅可以烧结责金属厚膜材料,而且也能够烧成贱金属厚膜材料,如铜导体等。此外,红外炉还适于厚膜多层电路的烧结,可以减小电路在多次重烧过程中的性能衰退和基板变形,以及提高电路的产量、质量和降低成本。本文叙述红外烧结的特点、烧结原理以及厚膜导体,电阻、介质(包括厚膜电容器)和厚膜多层电路的红外烧结。     

薄膜气敏元件响应与膜厚的关系

建立了薄膜气敏元件响应与膜厚的关系。指出随着膜厚减小，元件响应呈上升、下降、再上升的规律，且较好地解释了实验发现的响应与膜厚的关系对还原性气体种类的依赖。     

铜厚膜环行器的研制

采用新型的在大气气氛中烧结的铜厚膜多层导电浆料,应用厚膜混合技术制作了2。2GHz和2.8GHz的环行器。其性能指标可与同类型采用薄膜贵金属制作的环行器相媲美,且工艺简单,成本低及生产周期短。     

以陶瓷厚膜为绝缘层的缘色薄膜电致发光器件

首次报道了采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层,ＺｎＳ：Ｅｒ作发光层的绿色薄膜电致发光器件。器件结构为陶瓷基片／内电极／陶瓷厚膜／发光层／透明电极。     

厚膜混合集成恒温盒的研制

介绍一种用厚膜混合集成技术制作的恒温控制电路，用此电路制作的恒温盒不仅快速稳定性好，而且控制的温度不随内部集成在同一基片上的低功耗高精度电路动态功耗改变而改变。其主要技术指标：温度控制为８５±３℃；－４０～＋７０℃工作，５ｍｉｎ内快速稳定。     

薄膜绝缘层对陶瓷厚膜电致发光显示器件的影响

采用丝网印刷技术，在Al2O3陶瓷板上印刷、高温烧结内电极及绝缘层制备出陶瓷厚膜基板，进而制备了新型厚膜电致发光显示器（TDEL），整个器件结构为陶瓷基板／内电极／厚膜绝缘层／发光层／薄膜绝缘层／ITO透明电极。对用不同薄膜绝缘材料制备的显示器件的特性进行测试、比较、分析，结果表明薄膜绝缘介质层对器件的阈值电压、发光亮度均有一定的影响，以复合绝缘层的性能最优。最后对器件的衰减特性进行了初步分析。